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  • 本发明涉及桥梁检测技术领域,具体是一种大跨度桥梁挠度变化的监测方法。本发明在桥墩上设置两层激光跟踪仪,通过激光跟踪仪监测与桥梁上固定的靶标距离,从而判断桥梁是否发生形变,并设置了基础靶标,对激光跟踪仪进行零点漂移修正,使检测的距离值更加准确...
  • 本发明提供一种基于可见光成像与拉曼光谱检测的细胞识别方法及系统,包括:将目标细胞样品放置于置物台,安装好探针以及毛细微管;获取目标细胞样品的实时显示图像,基于改进的YOLO11模型对实时显示图像进行目标检测,确定目标细胞检测结果;将上位机与...
  • 本发明公开了一种毫米波雷达性能优化方法及系统,属于雷达技术领域,方法包括:优化滤波电路:设计高增益多级带通滤波电路,用于增强24GHz频段信号并抑制带外噪声;优化天线结构:联级多输入多输出阵列天线,通过正交波形编码扩展虚拟阵列孔径;优化信号...
  • 本发明公开了一种基于轨迹重建的分布式合成孔径雷达高精度成像方法,首先求解分布式系统中各个平台高阶误差,保证各个平台成像结果聚焦程度,再求解每个平台的线性误差,利用各个平台线性轨迹误差参数与图像偏移之间的定量关系,反演线性误差参数,最终重建分...
  • 本发明提供一种基于液晶弹性体的仿生虹膜,涉及仿生软体机器人技术领域,包括:外壳,其一侧设有圆柱形的容置槽,容置槽的槽底设有贯穿设置的同心穿孔;液晶弹性体,其呈圆盘状且中部设有内孔,内孔的直径小于同心穿孔直径,液晶弹性体嵌入容置槽,使内孔与同...
  • 本申请涉及一种显示面板及显示终端。显示面板包括第一基板、第二基板、彩膜层和液晶层,第二基板与第一基板相对且间隔设置;彩膜层设置于第一基板和第二基板之间,彩膜层包括多个不同颜色的色阻块;液晶层设置于第一基板和第二基板之间,液晶层的厚度配置为第...
  • 本发明公开了一种光刻工艺涂胶方法,包括:步骤一、进行旋转涂胶在晶圆表面涂布一层光刻胶,在旋转产生的离心力的作用下光刻胶在晶圆表面均匀分布并在晶边形成凸起结构。步骤二、从第一喷嘴喷出吹扫气体对晶边进行倾斜向外的吹扫,以使凸起结构的厚度降低并使...
  • 本发明提供一种无掩膜光刻设备对位与曝光运动标定方法及装置,属于光刻设备对位与曝光技术领域。该无掩膜光刻设备对位与曝光运动标定方法包括如下步骤:S1:获取第一坐标转换关系,获取第二坐标转换关系;S2:获取第一待测坐标;S3:获取第二待测坐标,...
  • 本发明公开了一种摇杆装置及电子设备,涉及控制器技术领域,其中,摇杆装置包括壳体、摇杆组件和检测组件,壳体内形成有安装腔;摇杆组件穿过开口伸入安装腔内;检测组件包括弹片、应变模块和与应变模块通信连接的控制单元,弹片与摇杆组件连接,应变模块支撑...
  • 本发明涉及一种基于分布式数据传输的异构平台软件动态测试方法,动态测试框架通过测试用例生成模块基于被测软件配置文件完成测试用例、码元的自动化生成,生成完毕后调用分布式数据传输模块将被测软件传输至相应嵌入式硬件模块并通过测试框架调用运行,在动态...
  • 本申请公开了一种医学文本的分类方法及装置,包括:获取待分类医学文本;对待分类医学文本进行嵌入处理,得到待分类医学文本的嵌入;将待分类医学文本的嵌入输入至预先训练好的集成编码器中,得到第一分类结果和第二分类结果;其中,集成编码器由BERT编码...
  • 本发明提供一种信号提供方法、信号提供模组和显示装置。信号提供方法应用于显示装置,所述显示装置包括驱动模组,所述驱动模组用于根据起始电压端提供的起始电压和时钟信号端提供的时钟信号,生成驱动信号;显示周期包括间隔设置的保持时间段和刷新时间段;所...
  • 本申请公开了一种显示面板的像素驱动电路、修复后的显示面板的像素驱动电路和显示面板的修复调试方法,所述像素驱动电路包括数据输入模块、第一存储模块、复位模块、第一主动开关、发光控制模块和发光单元,所述发光控制模块包括第二主动开关、第三主动开关和...
  • 本发明公开一种刻蚀沟槽及通孔线边缘粗糙度优化方法,属于集成电路制造技术领域,包括:在具有硬掩模层的衬底上通过光刻工艺曝光得到光刻胶图形;通过离子束刻蚀工艺对光刻胶图形进行刻蚀,降低光刻胶图形沟槽或通孔结构侧壁的表面粗糙度;通过沉积工艺在衬底...
  • 本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过氢、锗离子注入工艺的制备方法,属于半导体设计及制造技术领域,包括依次进行的如下步骤:准备第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆和第二晶圆均为晶圆衬底裸片;对第一晶圆表面进行热氧化处理,形成绝缘氧化层;对第一晶圆进...
  • 本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过氢、硼、氮离子注入工艺的制备方法,属于半导体设计及制造技术领域,包括:准备第一晶圆和第二晶圆;对第一晶圆表面进行热氧化处理;对第一晶圆进行氢离子注入及硼、氮离子注入工艺,使第一晶圆在绝缘氧化层下方形成氢...
  • 本发明公开一种GeOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法,属于半导体设计及制造领域,包括:准备第一晶圆和第二晶圆;在第一晶圆表面生成一层锗硅层;对第一晶圆进行氢离子注入工艺,使锗硅层内形成弱化层;通过键合工艺将第一晶圆的锗硅层的表面与第二晶...
  • 本发明公开一种应变SGOI衬底结构的制备方法,属于半导体技术领域,包括:准备第一晶圆和第二晶圆;在第一晶圆表面生成一层锗硅层;对第二晶圆表面进行热氧化处理,使第二晶圆表面形成氧化层;对第一晶圆进行氢离子注入工艺,使第一晶圆在锗硅层内形成一层...
  • 一种电解液、二次电池及电子装置。电解液包括化合物A和化合物B;其中,化合物A为如式I所示的含磷酸胺类化合物的至少一种,化合物B为如式II所示的含吡啶环类化合物的至少一种。电解液中的化合物B凭借其吡啶环结构及不饱和官能团的引入,能够在负极表面...
  • 本发明提供了一种基于痕量添加剂的水系锌离子电解液及其制备方法和应用,该方法包括:将1~500mg/L的吡啶偶氮基化合物、0.5‑5mol/L的锌盐、去离子水按体积比1:35000‑36000:123000‑125000混合,得到水系锌离子电...
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