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最新专利技术
  • 一种基于BiVO4-BaTiO3复合薄膜的自供电可见光探测器及其制备方法
    一种基于BiVO4-BaTiO3复合薄膜的自供电可见光探测器及其制备方法_哈尔滨理工大学_202510949062.5
    一种基于BiVO4‑BaTiO3复合薄膜的自供电可见光探测器及其制备方法， 本发明属于金属氧化物半导体光电探测技术领域。解决现有光电探测器无法有效扩宽波长检测范围， 且现有光电探测器多基于含铅材料体系， 材料不稳定、改性困难、在零偏压下的光...
    2025-11-19
  • 一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法
    一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511190032.7
    本发明涉及半导体器件的技术领域， 尤其是涉及一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法， 其包括：锗基底；设置在锗基底表面的电极注入区、多个阻挡区、多个第一单色吸收区和多个第二单色吸收区；设置在电极注入区上的公共电极、多个第一吸收区电极和...
    2025-11-19
  • 一种基于4H-SiC-GaN异质结构的p-i-n型紫外光电探测器及其制备方法
    一种基于4H-SiC-GaN异质结构的p-i-n型紫外光电探测器及其制备方法_南通恒锐半导体有限公司_202511243353.9
    本发明涉及紫外光电探测器制备领域， 具体涉及一种基于4H‑SiC‑GaN异质结构的p‑i‑n型紫外光电探测器及其制备方法， 在材料结构层面， 极大程度地降低了位错缺陷， 为后续高质量晶体生长筑牢根基， 确保探测器在复杂工况下结构稳定， 有效...
    2025-11-19
  • 单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达
    单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202511203763.0
    本申请属于光器件技术领域， 提供了一种单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达， 通过设置第一SPAD单元的阴极掺杂区电连接第一阴极， 第二SPAD单元的阴极掺杂区电连接第二阴极， 第一SPAD单元的阳极掺杂区与第二SPAD单元的阳极掺杂区相...
    2025-11-19
  • 一种基于Cr2Ge2Te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用
    一种基于Cr2Ge2Te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用_广东工业大学_202510767021.4
    本发明公开了一种基于Cr2Ge2Te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用。其设计方法和步骤为：使用银辅助剥离法获取单层或少层Cr2Ge2Te6， 再使用PDMS/PVA薄膜将其转移到干净的SiO2/Si衬底上。最后在Cr2Ge2Te6两端镀...
    2025-11-19
  • 可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统
    可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统_哈尔滨工业大学_202510930383.0
    可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统， 本发明是要解决OH*基团的紫外发光信号探测效率低的问题。本发明平面对称型金刚石紫外火焰探测器包括金刚石层、TiO2膜层、第一接触电极和第二接触电极， 金刚石层为本征金刚石...
    2025-11-19
  • 一种背面金属栅格刻蚀方法
    一种背面金属栅格刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510803789.2
    本发明提供了一种背面金属栅格刻蚀方法， 该背面金属栅格刻蚀方法包括：提供预设基底， 将预设基底传入电感耦合等离子体刻蚀机的反应腔室；其中， 预设基底包括自上而下依次排布的有机膜层、介质硬掩膜层和金属栅格层；介质硬掩膜层刻蚀步， 向反应腔室中...
    2025-11-19
  • 感光结构、宽感光范围图像传感器及制备方法
    感光结构、宽感光范围图像传感器及制备方法_深圳光感半导体有限公司_202510991443.X
    本申请提供一种感光结构、宽感光范围图像传感器及制备方法。感光结构包括多个感光单元， 至少两个感光单元的材质不同， 至少一个感光单元的感光波段为不可见光， 以使感光结构的感光波段宽度大于RGB图像传感器的感光波段宽度。本申请的感光结构， 至少...
    2025-11-19
  • 多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法
    多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法_苏州多感科技有限公司_202511188821.7
    本发明公开了一种多芯片集成的光电传感器及其制造方法、FT测试方法， 属于集成电路技术领域， 该多芯片集成的光电传感器， 包括图像传感器芯片， 图像传感器芯片的正面具有感光区域和边缘区域， 感光区域上设置透光构件， 用于滤除干扰光， 边缘区域...
    2025-11-19
  • 半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器
    半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511221829.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器， 该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的传输栅极；形成于基底内的浮动扩散区和过渡掺杂区；其中， 过渡掺杂区位于传输栅极在基底的投影与浮动扩散区之间；过渡掺杂区的掺杂浓度...
    2025-11-19
  • 红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法
    红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法_中芯热成科技(北京)有限责任公司_202511262377.9
    本公开涉及红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法， 属于红外探测领域。该红外高光谱成像探测器包括：读出电路、胶体量子点红外探测单元以及随机滤光片阵列；其中， 读出电路具有阵列排布的像素电路；胶体量子点红外探测单元耦合在读出电路的一侧；胶...
    2025-11-19
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511263445.3
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供器件衬底， 在器件衬底上形成光电二极管层、第一牺牲层、第一外延层、第二牺牲层和第二外延层；形成贯穿第二外延层、第二牺牲层、第一外延层、第一牺牲层、光电二极管层并延伸至器件衬底中的支撑柱；形成...
    2025-11-19
  • 背照式图像传感器的形成方法
    背照式图像传感器的形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410317290.6
    本发明公开了一种背照式图像传感器的形成方法， 包括：将图像传感器晶圆正面和承载晶圆键合；晶圆正面形成有沟槽隔离结构；对所述图像传感器晶圆背面通过以下至少一种减薄工艺， 以提高所述图像传感器晶圆背面的平整度；所述至少一种减薄工艺包括：工艺一：...
    2025-11-19
  • 探测器及其制作方法
    探测器及其制作方法_中国科学院半导体研究所_202410346182.1
    本发明提供一种探测器及其制作方法， 探测器包括探测器阵列芯片、铟柱阵列以及读出电路， 探测器阵列芯片包括第一腐蚀截止层、第二腐蚀截止层、NPN晶体管阵列、发射区接触层以及电极层；本发明通过采用NPN晶体管阵列结构， 可以实现在低工作电压下高...
    2025-11-19
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410381671.0
    本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 图像传感器包括：半导体基底；第一改进栅极结构， 包括第一栅极结构及侧墙改善层；第一源漏， 与第一栅极结构之间具有第一距离；第二改进栅极结构， 包括第二栅极结构及侧墙改善层；第二源漏， 与第二...
    2025-11-19
  • 一种CIS芯片的扇出封装结构及其制作方法
    一种CIS芯片的扇出封装结构及其制作方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202510884273.5
    本发明提供了一种CIS芯片的扇出封装结构， 其提升系统级封装的可靠性与集成度， 且封装成本低。其包括：玻璃；围堰层， 其包括有围堰腔；CIS芯片， 其包括有硅层、感光器件；功能芯片；以及锡球；所述玻璃的上表面设置有围堰层， 所述CIS芯片键...
    2025-11-19
  • 优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器
    优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511173390.7
    本申请提供了一种优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器， 属于红外探测器领域；解决了现有底部填充工艺填充的填充胶容易产生空洞， 最终导致红外焦平面探测器芯片成像时出现缺陷， 影响红外探测器性能的问题；该方法包括以下...
    2025-11-19
  • 一种半导体元件及其制造方法
    一种半导体元件及其制造方法_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410347611.7
    本发明描述了一种用于制备半导体元件的制造方法， 包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行第一能量离子注入， 形成位于感光区的下方的第三掺杂隔离区；对半导体衬底进行高温修复；对半导体衬底进行第二能量离子注入， 形成位于相邻感光区之间的第一掺杂隔...
    2025-11-19
  • 一种用于背照射图像传感器的TSV及其形成方法
    一种用于背照射图像传感器的TSV及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202410347644.1
    本发明公开了一种用于背照射图像传感器的TSV的形成方法， 一方面TSV通孔先进行深沟槽的沉积以形成具有空隙的填充结构， 然后采用刻蚀至金属互连层， 最后在沟槽中生长金属层；另一方面， 在实现在有限的设计区域中， 将TSV相邻的隔离结构同时电...
    2025-11-19
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202411370956.0
    公开了图像感测装置。所述图像感测装置包括：第一像素， 其被配置为与透射第一颜色的光的第一滤光器交叠；第二像素， 其被配置为与透射不同于第一颜色的第二颜色的光的第二滤光器交叠， 同时在第一方向上与所述第一像素间隔开；第一像素隔离结构， 其被配...
    2025-11-19
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