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一种高低压开关柜绝缘监测方法及系统
本发明公开了一种高低压开关柜绝缘监测方法及系统, 属于电气监测和绝缘诊断技术领域, 其包括持续监测、触发式主动测量、特征提取、智能诊断以及不确定性自适应测量等步骤。本发明采用图神经网络和深度学习模型, 能够对多维参数进行深度融合和智能诊断。...
交流电弧检测方法及相关装置
本申请提出一种交流电弧检测方法及相关装置, 方法包括:电弧检测系统的控制器通过获取外部指令, 基于外部指令确定电路模拟模型;获取检测周期内来自信号检测电路模块的第一电流信号, 并基于第一电流信号确定电弧特征向量;基于电弧时频特征向量确定电弧...
一种局放在线监测系统
本发明涉及高压电气设备的在线监测技术领域, 公开了一种局放在线监测系统, 包括:以目标设备中监测节点为圆心, 按预设半径以45度间隔设定8个采样位置, 采集监测节点的张量数据;分别确定监测节点在每个采样位置的方位能量Eh;根据方位能量E1与...
一种通用型老化测试IGBT装置
本发明公开了一种通用型老化测试IGBT装置, 包括测试箱、温控箱和信号箱, 温控箱与测试箱固定连接, 测试箱包括第一箱体和设设置在第一箱体内的测试组件, 测试组件包括测试板和固定在测试板上的多个温控单元, 多个温控单元均包括液冷座, 液冷座...
一种IGBT多温老化测试装置
本发明公开了一种IGBT多温老化测试装置, 包括控制箱和与控制箱连接的测试箱, 控制箱包括控制器和与所述控制器电性连接的电源组件, 电源组件包括多个用于输出加热电流的电源箱, 测试箱包括多个测试组件, 测试组件包括盒体、内胆盒和测试单元, ...
用于PDEMOS器件的HCI应力测试方法
本发明涉及一种用于PDEMOS器件的HCI应力测试方法。所述HCI应力测试方法中, 设置所述衬底和所述源区接地, 并对所述栅极施加第一负电压, 对所述漏区施加第二负电压, 对所述场板施加第三负电压, 其中, 所述第三负电压小于所述第一负电压...
一种时间相关的电介质击穿的测试系统、方法及装置
本发明公开了一种时间相关的电介质击穿的测试系统、方法及装置, 该系统包括:测试电压输出电路、锁存器和处理器;其中, 测试电压输出电路用于与待测样品的第一端连接, 向待测样品输出测试电压;锁存器的输入端用于与待测样品的第二端连接, 在输入端输...
测试单元及测试方法
本申请公开了一种测试单元及测试方法, 属于半导体技术领域。本申请提出一种测试单元包括:仿制结构, 其中, 栅极仿制件的第一部在有源件所在平面的第一正投影与有源件所在的第一区域间隔开, 第一正投影和第一区域相对的两边平行, 且具有待测间距;第...
用于晶棒内铁污染的评估方法
本公开提供了用于晶棒内铁污染的评估方法;该评估方法包括:对来自晶棒的第一晶圆进行少子寿命测试;对来自晶棒的与第一晶圆相邻的第二晶圆进行颗粒分布测试;在第一晶圆内铁污染所聚集的第一环状区域的少子寿命低于第一晶圆内其他区域的少子寿命的情况下, ...
测试结构及测试方法
本发明提供了一种测试结构及测试方法, 应用于半导体技术领域。在本发明中, 通过设置实验结构和对照结构, 所述实验结构比所述对照结构多设置一天线结构, 以收集多层金属互联层工艺制造过程中产生的等离子, 然后通过测试计算所述实验结构和所述对照结...
一种半导体瞬态热测试结果分析方法及系统
本发明涉及半导体瞬态热测试结果分析方案设计技术领域, 具体涉及一种半导体瞬态热测试结果分析方法及系统。方法包括:采集温度响应原始数据, 通过混合滤波与漂移补偿算法进行预处理;构建含界面热阻校正因子的多层结构函数模型解析热容分布;采用遗传算法...
基于短线圈阵列的IGBT器件电流分布感知方法及装置
本发明提供了一种基于短线圈阵列的IGBT器件电流分布感知方法及装置, 涉及电气工程技术领域。该方法包括以下步骤:在待测压接型IGBT器件的表面设置X轴向上和Y轴向上的短线圈阵列, 短线圈阵列包括按照预设间隔设置的短线圈;将每个短线圈的两端连...
一种多脉冲压接式大功率IGBT测试装置及其测试方法
本发明涉及压接型IGBT芯片技术领域, 具体是涉及一种多脉冲压接式大功率IGBT测试装置及其测试方法, 测试装置包括工作台、夹具、感应装置、控制装置和下压装置, 工作台上设有导轨、检测台和定位组件;两个导轨之间具有供工件移动的送料通道, 导...
一种TMBS晶圆芯粒反向击穿特性测试方法
一种TMBS晶圆芯粒反向击穿特性测试方法, 属于半导体器件测试方法技术领域。解决了现有测试方法的测试结果不准确, 测试系统复杂度高等问题。本发明的方法, 先将待测TMBS晶圆芯粒的背面固定在载物台的凸台上;取球形可回弹镀金表笔和全镀金鳄鱼夹...
一种氮化镓功率器件的故障检测方法及系统
本申请提供一种氮化镓功率器件的故障检测方法及系统, 涉及故障检测技术领域, 根据氮化镓功率器件的额定电参数、芯片结构参数和封装特性确定氮化镓功率器件在预设工况下的安全运行参数;提取氮化镓功率器件在预设工况下的状态响应特征;基于安全运行参数和...
一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法及产品
本申请公开了一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法和产品, 其测试电路包括电源、第一陪测管S1、第二陪测管S2、被测器件DUT、正极过冲电路和负极过冲电路;电源正极接入正极过冲电路输入端, 正极过冲电路输出端连接第一陪测管S1漏极, 第...
功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法
本申请提出一种功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法, 涉及半导体器件测试技术领域。单点检测装置包括脉冲触发电路、采样反馈电路、驱动放大电路、电容储能电路以及数据采集器;脉冲触发电路用于根据特定测试点对应的导通时间输出预设宽度的脉冲...
芯片的自动化测试方法、装置及存储介质
本发明公开了一种芯片的自动化测试方法、装置及存储介质, 所述方法包括:响应于测试指令, 向芯片分选机发送芯片选取指令;以使芯片分选机基于芯片选取指令, 将选取的当前芯片的信号引入芯片测试设备中;接收芯片测试设备在检测到当前芯片的信号的情况下...
一种电路检测装置及方法
本发明属于电路检测技术领域, 具体的说是一种电路检测装置及方法, 包括承载部、控制部、冲洗机构、刮擦机构和干燥机构;承载部包括工作台、承载台和防护罩, 防护罩固定安装在工作台的上端面, 承载台滑动安装在工作台的上端面, 并位于防护罩的内部;...
一种芯片检测装置和方法
本申请实施例提供了一种芯片检测装置和方法, 装置包括, 芯片测试座;测试模块对芯片进行硬件测试得到结果, 确定硬件测试是否通过;串行调试模块, 在硬件测试通过后对芯片进行串行调试协议连接测试, 再次通过后, 提取芯片的原始固件程序并保存, ...
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