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最新专利技术
  • 承载装置及其控制方法
    承载装置及其控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410437374.3
    本申请实施例提供了一种承载装置及其控制方法， 其中， 该承载装置用于承载需进行半导体工艺处理的待处理件， 该承载装置包括：至少三个支撑组件；所述至少三个支撑组件沿分布圆呈圆周分布， 所述支撑组件包括水平调节机构、升降调节机构和顶针， 所述水...
    2025-11-26
  • 升降销组件以及基板处理装置
    升降销组件以及基板处理装置_TES股份有限公司_202510449682.2
    本发明涉及一种升降销组件以及基板处理装置， 更详细地涉及一种可以减少使基板升降的升降销干涉于基座或者下喷头的销孔的内壁而损坏或者破损的升降销组件以及基板处理装置。升降销组件具备：升降销， 贯通销孔来配置， 所述销孔形成于基座或者下喷头；以及...
    2025-11-26
  • 一种小体积高精度的蓝膜晶圆平台
    一种小体积高精度的蓝膜晶圆平台_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511341593.2
    本发明涉及半导体制造技术领域， 公开了一种小体积高精度的蓝膜晶圆平台， 包括基台、Y轴运动平台、X轴运动平台、旋转轴环、转动平台、张紧转接板、蓝膜顶盘、蓝膜卡盘、压紧机构和挡块。该平台通过电机丝杠驱动组件实现Y轴和X轴方向的精确移动， 通过...
    2025-11-26
  • 一种使用BPSG填充沟槽的方法
    一种使用BPSG填充沟槽的方法_江苏邑文微电子科技有限公司_202511332520.7
    本发明涉及半导体技术领域， 提供了一种使用BPSG填充沟槽的方法。所述方法包括：(1)预沉积：提供具有沟槽的晶圆， 在LPCVD腔体中向所述晶圆表面沉积氧化硅介质层；(2)预退火：对所述预沉积后的晶圆进行预退火；(3)主沉积：在所述预退火后...
    2025-11-26
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410418820.6
    一种半导体结构的形成方法， 方法包括：提供基底， 基底顶部形成有介电层， 基底包括互连区以及与其相邻的隔断区；在隔断区的介电层的顶部形成沿第一方向延伸并沿第二方向间隔平行排布的第一阻挡层， 第一阻挡层露出互连区的介电层的顶面；在第一阻挡层的...
    2025-11-26
  • 用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻
    用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻_朗姆研究公司_202510679453.X
    本发明涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。本发明提供了使用沉积‑蚀刻‑沉积工艺将钨沉积到高深宽比的特征中的方法， 该工艺整合了多种沉积技术与在蚀刻期间交替的表面改性的脉冲和去除的脉冲。
    2025-11-26
  • BEOL互联中空气隙的形成方法
    BEOL互联中空气隙的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232064.9
    本发明公开了一种BEOL互联中空气隙的形成方法， 包括：步骤一、提供底层结构， 底层结构形成有当前互联层， 当前互联层包括当前金属层和当前层间膜；在底层结构上， 根据当前金属层的金属图形的密度不同分成金属图形密集区和金属图形稀疏区；当前互联...
    2025-11-26
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511318587.5
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法, 制造方法包括：提供基底， 基底上设置有介质层；在介质层上形成掩膜层， 对掩膜层进行图案化， 定义出预定形成第一沟槽的图案， 将刻蚀设备设置为第一模式， 对介质层进行刻蚀， 形成位于介质层内的第一沟槽；...
    2025-11-26
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511318736.8
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法， 制造方法包括：提供基底， 基底上形成有自下而上层叠的介质层、硬掩膜层和阻挡层；刻蚀阻挡层、硬掩膜层和介质层， 以形成贯穿阻挡层、硬掩膜层和介质层的通孔；修整硬掩膜层， 使位于硬掩膜层的通孔的横向尺寸扩...
    2025-11-26
  • 高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构
    高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构_陛通半导体设备(苏州)有限公司_202511326015.1
    本发明提供了一种高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构， 在该制造方法中， TSV结构中扩散阻挡层的形成包括：在第一腔体压强下， 在绝缘层的表面沉积第一扩散阻挡层， 并对第一扩散阻挡层执行冷却工艺；在第二腔体压强下， 在第一扩散阻挡层的表...
    2025-11-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511326619.6
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法， 在具有台阶的基底上依次形成具有不同刻蚀选择比的第一介质层和第二介质层， 并于台阶高处和台阶低处分次曝光， 在分次曝光时， 利用第二介质层和第一介质层的刻蚀选择比差异， 分区域分次进行接触孔图形的转移，...
    2025-11-26
  • 形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构
    形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511328011.7
    本申请公开了一种形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构， 所述方法包括：提供半导体前段器件结构， 所述半导体前段器件结构上具有刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积一层介质薄层；在螺旋等离子体环境下利用乙醚清洗所述介质薄层；以及按照设...
    2025-11-26
  • 一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件
    一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202511337612.4
    本申请实施例公开了一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过在光学功能层上蚀刻出第一预设图案， 在蚀刻出所述第一预设图案的所述光学功能层上依次沉积第一金属层和介质层， 在所述第一金属层和所述介质层上蚀...
    2025-11-26
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_瑞萨电子株式会社_202510419457.4
    本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底SB的背表面研磨成使得半导体衬底中央部分的厚度小于半导体衬底周边部分的厚度之后， 在半导体衬底的背表面形成包括由银或铜制成的膜的金属膜。之后， 通过金属膜将划片带粘合到半导体衬底的背表面...
    2025-11-26
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510454901.6
    形成封装件的方法包括：对晶圆的划线执行第一多个激光开槽工艺以形成第一组合沟槽， 以及对晶圆的划线执行第二多个激光开槽工艺以形成第二组合沟槽。对衬底的划线执行第一锯切工艺。第一锯切工艺在第一组合沟槽和第二组合沟槽之间的划线的分部中执行。执行第...
    2025-11-26
  • 晶圆级芯片封装结构及其制作方法
    晶圆级芯片封装结构及其制作方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202510972627.1
    本发明涉及芯片封装领域， 具体为晶圆级芯片封装结构及其制作方法， 包括晶圆， 晶圆上涂覆设有第一绝缘层， 第一绝缘层上溅射有金属种子层， 金属种子层上依次设有多层再分布层， 再分布层的上端设有第二绝缘层， 第二绝缘层上设有接线焊球， 通过在...
    2025-11-26
  • 含能CMOS晶体管结构及其制备方法
    含能CMOS晶体管结构及其制备方法_南京理工大学_202411197568.7
    本发明属于自毁芯片领域， 具体涉及一种应用于自毁芯片的含能CMOS晶体管及制备方法。包括依次设置的基底、栅极、由氧化层和金属层构成的含能层、绝缘层、半导体区和源漏电极， 含能层为铝热剂体系， 含能CMOS晶体管具备开关性、逻辑性和自毁性。本...
    2025-11-26
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_南通登煌机械制造科技有限公司_202511025663.3
    本发明提供一种量子芯片封装装置， 涉及芯片封装装置领域， 包括：基板， 所述基板上设有封装台， 且封装台上端面中部开设有阶梯状芯片槽， 所述阶梯状芯片槽内部放置有量子芯片；所述封装台上部安装电路板支撑框， 且安装电路板支撑框内部固定连接有电...
    2025-11-26
  • 三维存储器阵列中的存储器单元密封剂材料
    三维存储器阵列中的存储器单元密封剂材料_美光科技公司_202510452011.1
    本申请案涉及三维存储器阵列中的存储器单元密封剂材料。在形成存储器单元之后， 可形成密封剂材料。所述密封剂材料可包含所述存储器单元上的具有相对高介电常数的一些材料。所述密封剂材料可定位于所述存储器单元与支柱之间且可防止或减少所述存储器单元与所...
    2025-11-26
  • 封装结构及电子设备
    封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410434287.2
    本申请涉及电子元件封装技术领域， 公开了一种封装结构， 包括基板、第一电子元件、第二电子元件、至少一个导电组件和导热件。其中， 基板包括沿第一方向相反设置的第一表面和第二表面。第一电子元件埋嵌于基板内。第二电子元件设于第一表面上。导电组件沿...
    2025-11-26
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