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  • 本申请公开一种光电探测器的制备方法,涉及光电转换技术领域。制备方法包括利用快速热氧化方式在第一炉管中进行硅衬底的预氧化处理,以在硅衬底表面形成第一氧化层;利用管式热氧化方式在第二炉管中进行硅衬底的热氧化处理,制备获得热氧化硅衬底,热氧化硅衬...
  • 本发明提供了一种改善TOPCon电池磷扩推结的方法,包括以下步骤:磷源沉积、扩散推进和降温退火;其中,在源磷沉积过程中,低温通源温度为795~805℃;高温通源时间为120s~160s;降温退火时,温度为840℃~870℃。本发明提供的这种...
  • 本发明提供了一种BC太阳能电池电镀方法及其应用,涉及太阳能电池的技术领域,所述BC太阳能电池电镀方法包括:(a)在待电镀电池片的正面氮化硅层和背面氮化硅层上开槽;(b)在待电镀电池片的背面开槽区制备金属镀层,其中,待电镀电池片的正面与电源阴...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域。具体涉及一种异质结太阳能电池的制造方法和异质结太阳能电池。方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底表面形成本征钝化层;在本征钝化层表面形成掺杂层;其中形成掺杂层的步骤采用CVD工艺,包括:将硅源气体、氧源气体和掺...
  • 本发明提供了一种改善TOPCON电池效率的方法,包括制绒和硼扩推结;制绒包括预制绒处理和绒面二次修饰,绒面二次修饰采用修饰液对预制绒后的硅片绒面金字塔形貌进行结构优化;二次修饰后进行硼掺杂:硅片进入硼扩炉管,先通入高纯度氧气进行氧化反应,然...
  • 本申请实施例提供一种防积灰光伏组件的制程工艺及制程产线,涉及光伏组件的生产技术领域。本申请实施例的防积灰光伏组件的制程工艺,防积灰光伏组件包括层压件和设置于层压件周围的边框,边框包括至少一条防积灰框边,防积灰框边无A面,制程工艺包括以下步骤...
  • 本发明公开了一种硼、磷掺杂Poly层的钝化接触结构及其电池。该钝化接触结构先采用低温低压氧化、高温常压氧化、低温常压氧化相结合的方式,在硅片表面生长出两侧薄且致密、中间厚且疏松的隧穿氧化层。本发明通过不同致密性氧化层的叠加,提升了隧穿氧化层...
  • 本发明公开了一种光伏电池金属栅线的制备方法及光伏电池,其中方法包括以下步骤:在电池片基体的一面上拟形成金属栅线的区域上形成种子层,所述种子层的覆盖区域包含且大于拟形成金属栅线的区域,所述种子层不完全覆盖所述电池片基体的一面;在种子层上形成金...
  • 一种电池片的制备方法、电池片和光伏组件,电池片的制备方法至少包括以下步骤:提供整片电池,在整片电池的表面定位至少一个切割线,在整片电池的表面沿靠近至少一个切割线的两侧制备隔离部,沿至少一个切割线对整片电池进行激光切割,以形成至少两个分片电池...
  • 本申请涉及一种光伏组件的制备方法及光伏组件,制备方法包括:对叠层铺设后的光伏层叠件进行层压封装,得到光伏层压件;对光伏层压件进行激光烧结处理;激光烧结处理包括:向光伏层压件施加偏置电压,同时采用激光扫描光伏层压件中电池片表面的栅线结构。在层...
  • 本发明提供一种光感产品键合封装结构及方法,涉及半导体封装技术领域。该光感产品键合封装结构包括:基板,基板上设置有金手指;芯片,芯片通过胶粘在基板上,芯片上具有发光区域,芯片上具有焊盘;底部垫球,底部垫球设置在金手指上;顶部叠球,顶部叠球设置...
  • 本发明涉及一种直立石墨烯异质结及其制备方法、光电探测器及其使用方法和应用,包括:将衬底放置于石英管中,然后抽真空;向石英管中通入保护气体并加热至设定温度;关闭保护气体并再次抽真空;先将甲烷通入乙醇溶液中,然后使含有乙醇蒸汽的甲烷气体通入石英...
  • 本发明公开了一种新型中波高温红外探测器,其整体结构为nBp结构,采用InAs/InAsSb超晶格结构作为吸收层,采用AlAsSb/InAsSb超晶格结构作为势垒层,采用InAs/InAsSb超晶格结构作为接触层,其中所述接触层包括上接触层和...
  • 本发明公开一种光电器件结构和光电器件漏电测试方法,涉及半导体光电技术领域,以解决现有技术中半导体光电器件漏电的解决效率低的问题。光电器衬底,所述衬底包括衬底正面和衬底背面;形成于所述衬底正面的有源区;形成于所述衬底背面的中心区域;以及设置于...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统。背接触电池包括硅基底、若干第一极性细栅和若干第二极性细栅,第一极性细栅和第二极性细栅间隔,设于硅基底,沿第一方向排列;硅基底包括沿第一方向排列的若干第一极性掺杂区和若...
  • 本申请公开了一种光伏组件,包括:导电背板和设于导电背板上的电池层;电池层包括多个沿第一方向间隔排布的电池串,电池串包括多个沿第二方向间隔排布的电池片,第一方向垂直于第二方向,电池片包括中间区以及沿第一方向位于中间区两侧的边缘区;电池片上设有...
  • 本发明公开了一种防断栅TBC光伏电池、光伏组件和系统,涉及光伏电池制造技术领域,包括硅基底及其正面的第一钝化层、减反层,背面的隧穿层、掺杂层、第二钝化层和金属电极,所述金属电极包括主栅PAD、细栅电极和细栅防断栅,所述主栅PAD包括N区主栅...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及异质结太阳能电池及其制作方法、光伏组件和光伏系统。本申请实施例中将背光面设置为抛光面,且采用导电过渡层和金属层来代替相关技术中的透明导电层,在降低了成本的同时能够从整体上提高短路电流,进而提高了太阳能...
  • 本发明提供一种防止铜扩散的柔性太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池的制备方法包括:在半导体衬底上生长倒装外延层,接着在外延层上生长金属层,所述金属层的结构为Cr/Ti/Pt/Pd/Ni/Au,其中,Cr/Ti/Pt/Pd/Ni为金属渐变缓冲...
  • 本发明公开一种光学感测结构、光学感测膜及光学显示系统,其中光学感测结构包含光学感测件以及至少一第一反射体。光学感测件具有感光面,且感光面可用以感测环境光强度。所述至少一第一反射体位于光学感测件的一侧。所述至少一第一反射体具有第一正面、第一背...
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