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  • 一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版及设备、存储介质、计算机程序,方法包括:对多个原始图形进行全局光学邻近修正处理,形成多个初始修正图形,以及与多个初始修正图形相对应的多个第一模拟图形;获取边缘放置误差不满足修正标准的第一模拟图形,以及与其对...
  • 一种光学邻近修正方法和系统、设备及存储介质,修正方法包括:提供设计版图,包括多个设计图形;在多个所述设计图形中选择具有互连端部的设计图形作为目标图形,其中,所述互连端部用于实现设计图形在晶圆上的对应结构的互连;对所述目标图形的互连端部进行端...
  • 本公开涉及一种光学邻近校正方法、电子设备和计算机可读存储介质。光学邻近校正方法包括:将初始版图图形的轮廓切割为多个线段;将在轮廓的预设区域的线段切割为多个第一点;针对多个线段以及多个第一点中的每个第一点分别确定相应的光强误差,其中光强误差指...
  • 本申请提供一种光掩模版及其形成方法,所述光掩模版包括:透明基板,所述透明基板包括图形区和空白区,所述图形区包括主图形区和标记区;阻断层,所述阻断层位于所述空白区表面,环绕所述标记区设置,所述阻断层的透光率为0%,对光的反射率为100%。所述...
  • 本申请提供了一种基于压电陶瓷驱动的缺陷标记方法、系统、介质和设备,涉及精密微纳加工技术领域,包括:获取待处理板材每一缺陷点的坐标;控制XY移动平台根据当前缺陷点的坐标将当前缺陷点移动至缺陷标记装置的压头的正下方;获取当前缺陷点与压头尖端的距...
  • 本发明公开了一种钙钛矿光刻胶纳米复合材料的制备方法以及激光直写方法。制备方法包括以下步骤:形成双光子光刻胶基底;形成CsPbBr₃前驱体溶液;融合CsPbBr₃前驱体溶液与双光子光刻胶基底,形成掺杂CsPbBr₃前驱体的双光子光刻胶纳米复合...
  • 公开抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法。所述抗蚀剂组合物可包括由式1‑1至1‑4的任一个表示的有机金属化合物、由式2表示的添加剂、和溶剂。所述溶剂可包括非极性溶剂、极性非质子溶剂、或其组合。对于式1‑1至1‑4和2中的M11、L11至L14...
  • 提供加热处理后较少产生电极的表面粗糙的感光性着色组合物、固化物、有机电致发光元件和图像显示装置。感光性着色组合物的特征在于,其含有(a)着色剂、(b)碱溶性树脂、(c)光聚合引发剂、(d)烯属不饱和化合物、(e)溶剂和(f)分散剂,上述(a...
  • 本发明公开了一种光刻胶溶液及其制备方法与应用,包含含氟化合物、负载阳离子的偶氮苯类化合物及光引发剂;所述含氟化合物为含氟树脂单体和/或含氟共聚物,所述负载阳离子的偶氮苯类化合物由偶氮苯类化合物经有机胺和/或有机铵盐修饰后,再负载阳离子得到。...
  • 本申请提供一种感光性树脂组合物、感光性固化膜及其制备方法以及电子元件,该感光性树脂组合物包括聚酰亚胺前体树脂、光引发剂、热产碱剂、具有酰胺酸结构的聚合性化合物和架桥剂。本申请通过在感光性树脂组合物中加入热产碱剂、具有酰胺酸结构的聚合性化合物...
  • 本发明公开了一种ArF光刻用双层树脂膜、其制备方法及应用。本发明的双层树脂膜包括一抗蚀剂层和涂覆于抗蚀剂层的一顶层涂层膜层。本发明的双层树脂膜运用在ArF浸没式光刻中,能够减少光刻胶性能下降和缺陷增多的问题。
  • 本申请提供一种晶圆涂胶装置,涉及半导体设备技术领域,旨在解决现有技术中晶圆涂胶装置对晶圆进行涂胶及冲洗后,存在清洗液容易导致晶圆污染,降低了晶圆良率的技术问题,该晶圆涂胶装置包括承载台、收集杯及吸附结构;承载台用于承载晶圆,收集杯环设于承载...
  • 本公开内容提供当存在包括子像素交叉扫描振动的交叉扫描振动时,用于校正从空间光调制器(SLM)到基板的图像的投射的方法和系统。这些方法和系统包括:偏移相对于基板上的横向扫描行进方向旋转的SLM上的掩模图案,沿着SLM的轴偏移以对交叉扫描振动进...
  • 本发明提供了一种用于光刻的晶圆分配方法、APC系统,所述方法包括:获取待执行光刻的晶圆的第一批次号、ID号及历史信息;根据所述晶圆的第一批次号的尾号及ID号的尾号的奇偶性,将所述晶圆分配于所述第一载台或所述第二载台用于曝光;根据所述晶圆分配...
  • 本发明涉及掩膜版制造,具体涉及基于分段多项式非线性拟合的掩膜版关键尺寸补偿方法,设计不同孔径大小的孔层,并进行光刻形成整版的孔层,计算每种孔径的孔层对应的CD偏差值;预设分界点,将不同孔径划分为多个区间;采用基于误差梯度的动态分界算法对分界...
  • 本发明提供了一种光刻胶三维形貌的坏点检测方法、介质、产品及设备。其中上述方法包括:在待检测设计版图的版图图形中筛选得到训练图形;利用预先建立的物理仿真模型对训练图形进行仿真,得到光刻胶三维形貌;从光刻胶三维形貌中提取光刻胶顶部仿真轮廓;使用...
  • 本申请提供一种光刻工艺优化方法、装置、终端及介质,其中,光刻工艺优化方法,包括:构建掩膜图形数据组、光源数据组和光刻胶数据组,并基于掩膜图形数据组、光源数据组和光刻胶数据组随机生成父代种群;父代种群包括多个父代个体;基于预设的迭代次数,对父...
  • 本公开提供了一种结合局域光热效应的超分辨光刻方法,可应用于微纳加工与先进光刻技术领域,该方法包括:在基底上制备包括光刻胶层和至少一层金属层的超透镜膜层结构,光刻胶层包括具有热交联反应特性的光刻胶;提供具有纳米衍射结构的掩模,纳米衍射结构被配...
  • 本公开提供了一种自由照明系统,可应用于微纳光刻技术领域,该系统包括沿光路依次设置的:照明光源,用于提供入射光束;数字微镜器件,包括呈阵列排布的多个微反射镜单元,用于根据输入的照明模式的控制图形控制微反射镜单元的角度,以将入射光束中与照明模式...
  • 本发明提供一种套刻标记以及校正套刻精度量测准确性的方法,所述套刻标记包括:前层套刻标记与当层套刻标记;前层套刻标记包括沿第一方向排列的第一对前层标记、沿第二方向排列的第二对前层标记以及沿第三方向排列的第三对前层标记;当层套刻标记包括第一对当...
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