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最新专利技术
  • 一种新型金刚石结构的MOSFET器件及其制作方法
    一种新型金刚石结构的MOSFET器件及其制作方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511051814.2
    本发明公开了一种新型金刚石结构的MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：金刚石衬底及其表面的金刚石P型掺杂层，金刚石P型掺杂层的表面经氢等离子体处理形成氢终端层；源极和漏极，间隔设置于氢终端层的上表面；介质层，包括位于氢终端层远离金刚石衬...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202510572353.7
    本发明提供半导体装置，更稳定地实现高耐压化。在高电位区域与低电位区域之间的耐压改善区域的表面，具有：多个场板(31)，它们各自隔着绝缘层与表面对置形成，在高电位区域与低电位区域之间以相互电容耦合的方式排列形成，并且沿着与排列方向交叉的方向延...
    2025-11-23
  • 半导体管芯及其制造方法
    半导体管芯及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510574104.1
    本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本申请涉及一种包括半导体主体(10)的半导体管芯(1)，其中半导体主体(10)的背面(10.2)被结构化为具有多个开口(30)，开口(30)沿着第一轴线(41)并且沿着第二轴线(42)被布置成重复图案(40...
    2025-11-23
  • 一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺
    一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511453895.9
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层...
    2025-11-23
  • 插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法
    插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法_中国科学院微电子研究所_202511085337.1
    本发明涉及一种插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法，属于薄膜晶体管技术领域，解决现有高温退火可能导致金属电极扩散、界面缺陷增多及沟道载流子迁移率降低，严重影响器件的稳定性与可靠性的问题。晶体管包括绝缘层衬底；漏极/源极位于...
    2025-11-23
  • 一种用于接触自旋量子位栅极阵列的各栅极的方法
    一种用于接触自旋量子位栅极阵列的各栅极的方法_IMEC非营利协会_202510581744.5
    在平坦表面(1)上合成栅极结构(3、4)的阵列，其适合于自旋量子位量子点器件的生产。栅极结构包括交替排列的第一和第二类型的结构。到第一和第二类型的栅极结构的电连接在单独的加工步骤序列中生成。到第一栅极类型的连接包括第一导线(17)的形成，第...
    2025-11-23
  • 超级结器件的多晶硅薄膜的形成方法
    超级结器件的多晶硅薄膜的形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969373.8
    本申请公开了一种超级结器件的多晶硅薄膜的形成方法，包括：在氧化层上形成第一多晶硅层，在形成第一多晶硅层的过程中通入的气体包括硅烷和磷烷，该氧化层形成于晶片上，该晶片用于形成超级结器件；在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，在形成第二多晶硅层的过...
    2025-11-23
  • 一种半导体功率器件及其制造方法
    一种半导体功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202510953890.6
    本申请公开了一种半导体功率器件，包括半导体层、多个沟槽、多个埋层和多个掺杂区。半导体层具有第一表面和第二表面。多个沟槽位于半导体层中，自半导体层的第一表面向半导体层内部延伸，并且在半导体层的第一表面上，多个沟槽沿着第一方向延伸。多个埋层位于...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510972920.8
    本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，该器件包括：衬底，其上形成有高压器件和低压器件，高压器件的工作电压大于低压器件的工作电压；高压器件的有源区的上表面为台阶型结构，台阶型结构的顶层上形成有第一栅介质层，第一栅介质层上形成有第一栅极；高压...
    2025-11-23
  • 一种具有NRing场限环的耐高压终端器件及其制造方法
    一种具有NRing场限环的耐高压终端器件及其制造方法_电子科技大学重庆微电子产业技术研究院_202511106536.6
    本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NRing场限环的耐高压终端器件及其制造方法；所述具有NRing场限环的耐高压终端器件采用单一场限环和场板复合结构，由复合单元构成，所述复合单元包括：背面区域、场限环区域、多重场板区域；本申请在...
    2025-11-23
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049735.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅介质层，栅介质层上形成有栅极；通过RTO工艺在栅极和栅介质层暴露的区域形成第一氧化物层；通过ALD工艺在第一氧化物层上形成第二氧化物层；进行halo离子注入，在栅极两侧的...
    2025-11-23
  • 导电插塞及其制备方法
    导电插塞及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511055335.8
    本申请提供一种导电插塞及其制备方法，其中在制备方法中，在外围引出区的接触孔中分别淀积底层金属层、扩散阻挡层和顶层金属层以制备得到外围引出区的三明治结构形式的导电插塞，本申请通过在底层金属层和顶层金属层之间引入一层较薄的扩散阻挡层，可以有效阻...
    2025-11-23
  • 半导体结构制备方法及半导体结构
    半导体结构制备方法及半导体结构_上海积塔半导体有限公司_202511135073.6
    本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，制备方法包括：提供碳化硅衬底，去除碳化硅衬底表面的目标隐患，得到粗糙度位于目标范围内的目标Si面；采用预设反应源、第一预设温度及第一预设压强下的减压化学气相沉积工艺，在目标Si面上外延生长预设厚...
    2025-11-23
  • 一种薄膜电阻的制备方法
    一种薄膜电阻的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511477860.9
    本发明提供一种薄膜电阻的制备方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成一薄膜电阻膜层，并检测所述薄膜电阻膜层的厚度；根据所述薄膜电阻膜层的厚度调整干法刻蚀工艺的刻蚀气体中各组分的含量比例；以及对所述薄膜电阻膜层执行干法刻蚀工艺，以暴露出所述晶圆表面...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510554167.0
    本发明的目的在于提供一种提高在高温高湿下的可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置包括半导体基板、第一电极、绝缘层间膜和至少一个第二电极。半导体基板包括流过主电流的有效区域和设置在该有效区域的周围的终端区域。第一电极设置在有效区域中。绝缘层间...
    2025-11-23
  • 三维半导体装置中的栅极结构
    三维半导体装置中的栅极结构_长江存储科技有限责任公司_202410567460.6
    提供了用于三维半导体装置中的栅极结构的装置和系统。在一方面，一种半导体装置，包括第一晶体管，其中，第一晶体管包括源极、漏极、和栅极结构。栅极结构包括第一区域和从第一区域的第一角部沿第一方向朝向源极或漏极突出的第二区域。
    2025-11-23
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510159227.9
    本公开涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：第一源极/漏极区域、与第一源极/漏极区域相邻的第一纳米结构、第二源极/漏极区域、与第二源极/漏极区域相邻的第二纳米结构、栅极结构、间隔件、和电介质层。...
    2025-11-23
  • 半导体模块
    半导体模块_罗姆股份有限公司_202511100210.2
    半导体模块具备导电基板、多个第一半导体元件以及多个第二半导体元件。上述导电基板包含与上述多个第一半导体元件电接合的第一导电部、以及与上述多个第二半导体元件电接合的第二导电部。上述半导体模块还具备设置在上述第一导电部的附近的第一输入端子、第二...
    2025-11-23
  • 一种共源共栅GaN器件及其制备方法
    一种共源共栅GaN器件及其制备方法_润新微电子(大连)有限公司_202511460325.2
    本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅GaN器件及其制备方法，共源共栅GaN器件包括引线框架基岛、MOS芯片和GaN芯片；引线框架基岛上设有作为GaN器件的源极的第一导电区；MOS芯片的源极设在背面、栅极和漏极设在其正面；MOS芯片背面的...
    2025-11-23
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510605187.6
    在实施例中，方法可以包括在衬底上方形成多层堆叠件。多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括去除第一半导体层。此外，方法可以包括在第二半导体层之间形成一次性材料。另外，方法可以包括对一次性材料和第二半导体层实施第一注入...
    2025-11-23
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