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最新专利技术
  • 一种用于弱磁信号测量的磁屏蔽箱及屏蔽效能估算方法
    一种用于弱磁信号测量的磁屏蔽箱及屏蔽效能估算方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510974423.1
    本发明提供一种用于弱磁信号测量的磁屏蔽箱及屏蔽效能估算方法，其中磁屏蔽箱包括无磁支撑框架以及屏蔽机构；无磁支撑框架呈长方体且至少沿长方体的棱边设置，用于支撑屏蔽机构，其中，无磁支撑框架内部中空以容纳待测物；屏蔽机构至少包括N层板层结构、板层...
    2025-11-24
  • 一种以吸收为主的电磁屏蔽柔性复合膜及其制备方法
    一种以吸收为主的电磁屏蔽柔性复合膜及其制备方法_成都飞机工业(集团)有限责任公司_202510984747.3
    本发明公开了一种以吸收为主的电磁屏蔽柔性复合膜及其制备方法，属于电磁屏蔽膜技术领域，吸收‑反射双层结构复合材料的设计，由聚苯胺包覆聚合物纳米纤维的电磁波吸收层与高导电性的金属纳米线反射层复合得到。采用聚苯胺包覆静电纺丝制备的聚合物纳米纤维膜...
    2025-11-24
  • 电磁波干扰抑制方法、电路以及设备
    电磁波干扰抑制方法、电路以及设备_成都中微达信科技有限公司_202511059847.1
    本申请提供一种电磁波干扰抑制方法、电路以及设备，该方法包括：采集超导量子计算系统中信号发射端以及负载接收端之间的电磁波频率；根据电磁波频率，确定电磁波干扰抑制方式；其中，电磁波干扰抑制方式包括控制运放单元对信号发射端对应的第一参考地电位以及...
    2025-11-24
  • 中空立方结构钴基氮掺杂碳纳米复合材料及制备方法和应用
    中空立方结构钴基氮掺杂碳纳米复合材料及制备方法和应用_西北工业大学_202511066561.6
    本发明属于吸波材料制备技术领域，具体涉及中空立方结构钴基氮掺杂碳纳米复合材料及制备方法和应用。包括以下步骤：以纳米立方结构ZnCo‑ZIF作为核，采用沉淀法将聚多巴胺包覆在ZnCo‑ZIF上，形成核壳结构的前驱体，将前驱体于800 ℃～90...
    2025-11-24
  • 一种降低电磁频谱监测电路假信号大小的方法
    一种降低电磁频谱监测电路假信号大小的方法_重庆工程学院_202511158692.7
    本发明提供一种降低电磁频谱监测电路假信号大小的方法，包括：使用一体化金属盖板对PCB电路板的各分支电路进行屏蔽；所述一体化金属盖板包括底板和多个隔墙，各隔墙之间形成多个向下凹陷的腔体，所述腔体用于容纳所述各分支电路；所述一体化金属盖板与PC...
    2025-11-24
  • 一种屏蔽罩自动标定安装设备及标定安装方法
    一种屏蔽罩自动标定安装设备及标定安装方法_惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司_202511216381.1
    本发明涉及一种屏蔽罩自动标定安装设备及标定安装方法，其中屏蔽罩自动标定安装设备包括机台以及安装在机台上的X轴运动模组、Z轴运动模组和Y轴运动模组，Z轴运动模组与X轴运动模组连接，Y轴运动模组位于Z轴运动模组的下方，Y轴运动模组上活动连接有安...
    2025-11-24
  • 一种电磁屏蔽膜和线路板
    一种电磁屏蔽膜和线路板_广州方邦电子股份有限公司_202511238028.3
    本发明公开了一种电磁屏蔽膜和线路板，所述电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的绝缘层、屏蔽层和胶膜层；所述绝缘层包括至少两个子层，远离所述屏蔽层一侧的子层为首层，靠近所述屏蔽层一侧的子层为末层，所述绝缘层的每一所述子层中均添加有颜料粒子，从所述首层至...
    2025-11-24
  • 导电泡棉与铁氧体复合屏蔽结构的制造方法
    导电泡棉与铁氧体复合屏蔽结构的制造方法_南通普罗图新材料科技有限公司_202511454807.7
    本发明属于电磁屏蔽材料技术领域，具体涉及导电泡棉与铁氧体复合屏蔽结构的制造方法。本发明公开了一种导电泡棉‑铁氧体复合屏蔽结构及其制造方法，通过预压缩导电泡棉基体(压缩率50‑70%)、浸渍镍锌铁氧体浆料(D50=2‑3μm)、阶梯固化(80...
    2025-11-24
  • 一种贴片机的电路板上料装置
    一种贴片机的电路板上料装置_深圳市彼洋自动化科技有限公司_202511460934.8
    本发明涉及贴片机上料技术领域，尤其涉及一种贴片机的电路板上料装置，包括两个对称设置的主体板，两个所述主体板的上端设置有对柔性贴装元件存放上料和夹持的夹持上料机构，所述夹持上料机构包括两个对称设置的连接板，两个所述连接板的下端分别固定设置在主...
    2025-11-24
  • 包括位单元的集成电路
    包括位单元的集成电路_三星电子株式会社_202510432857.9
    提供了一种包括位单元的集成电路。所述集成电路包括：位单元阵列，包括多个位单元；以及外围电路，在第一方向上与位单元阵列分开。所述多个位单元中的每个位单元包括第一有源图案和围绕第一有源图案的第一栅极线。外围电路包括第二有源图案和围绕第二有源图案...
    2025-11-24
  • 存储阵列、存储器、电子设备和存储阵列的制备方法
    存储阵列、存储器、电子设备和存储阵列的制备方法_华为技术有限公司_202410592935.7
    本申请实施例提供了一种存储阵列、存储器、电子设备和存储阵列的制备方法，涉及电子设备技术领域。其中，存储阵列包括第一电极柱、沟道层、栅极、第二电极柱、第三电极层和介电层。沟道层围绕在第一电极柱的侧面上。栅极嵌设在沟道层中，沟道层的至少部分位于...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510210071.2
    提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一栅极绝缘膜，在衬底上；第一栅电极，在第一栅极绝缘膜上；第一封盖膜，在第一栅电极上；第一栅极间隔物，与第一栅极绝缘膜、第一栅电极和第一封盖膜接触；绝缘衬垫，在第一封盖膜和第一栅极间隔物上；绝缘...
    2025-11-24
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510275954.1
    提供了一种具有提高的集成密度和电特性的半导体器件。该半导体器件包括：第一外围栅极结构，在衬底上；有源图案，在第一方向上与衬底间隔开，并且包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；外围有源图案，在第一方向上与衬底间隔开，并且包括在第一方向...
    2025-11-24
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_美光科技公司_202510585965.X
    本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。一种实例设备包含衬底；所述衬底上的第一区；所述衬底上的与所述第一区不同的第二区；设置在所述第一区中的至少一个第一晶体管；设置在所述第二区中的与所述第一晶体管不同的至少一个第二晶体管；覆盖在所述第一晶体管...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510618412.X
    本发明提供了一种包括高集成存储单元的半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件可以包括水平布置的开关元件，其包括纳米片和围绕纳米片的水平导线；金字塔形第一接触节点，其在水平布置的纳米片的第一边缘上形成；水平布置的垂直导线，其包括围绕金字...
    2025-11-24
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781324.1
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上交替堆叠隔离层和叠层，每个叠层包括第一导电层、牺牲层和第二导电层；形成贯穿隔离层和叠层的位线孔，每个位线孔在叠层中的面积大于在隔离层中的面积；在每个位线孔内形成栅介...
    2025-11-24
  • 一种浮栅型闪存存储器及其制作方法
    一种浮栅型闪存存储器及其制作方法_杭州积海半导体有限公司_202511104306.6
    本发明公开了一种浮栅型闪存存储器及其制作方法，属于闪存存储器技术领域，该浮栅型闪存存储器的制作方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有存储单元区和外围逻辑电路区；在外围逻辑电路区上形成光阻，刻蚀完存储单元区氧化物；在存储单元区和带有光阻的外...
    2025-11-24
  • 存储单元结构及存储单元结构的形成方法
    存储单元结构及存储单元结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410592451.2
    一种存储单元结构及存储单元结构的形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成源线结构以及位线结构，所述位线结构和源线结构之间具有第一开口；在所述第一开口的底部表面以及所述位线结构表面形成浮栅介质层；在所述浮栅介质层上形成浮栅层；...
    2025-11-24
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410729766.7
    本发明提供了一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包含基板、多个导电单元、与多个气隙。多个导电单元设置于基板上。每个导电单元包含导电结构与一对间隔物结构。导电结构设置于基板上。间隔物结构沿着导电结构的两侧上设置。气隙设置于每个导电单元之间...
    2025-11-24
  • 基于栅极载流子隧穿的mirror SONOS存储器及工艺方法
    基于栅极载流子隧穿的mirror SONOS存储器及工艺方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511054394.3
    本发明公开了一种基于栅极载流子隧穿的mirror SONOS存储器及工艺方法，选择管多晶硅栅的两侧依次从里至外形成有ONO隔离氧化层、ONO存储氮化硅层、ONO氮氧化硅层、ONO隧穿氧化层的复合层，且在所述的选择管多晶硅栅下方与半导体衬底的...
    2025-11-24
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