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  • 本申请提供了一种具有高精度对位能力的硬压硬纳米压印设备,包括:对位视觉系统、用于安装对位视觉系统的高精度载台和用于对位视觉系统的水平度调节支撑柱,对位视觉系统包括有镜像布置的两组相机,每组相机的外端依次设有Z轴滑台、Y轴载台和X轴载台,x轴...
  • 提供了一种光敏树脂组合物、使用所述组合物制造的光敏树脂层、包括所述光敏树脂层的显示设备以及制造所述光敏树脂层的方法,所述光敏树脂组合物包括:(A)具有大于或等于1.66的折射率的聚合物树脂;(B)光聚合单体;(C)光聚合引发剂;和(D)溶剂...
  • 提供了一种光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物制造的光敏树脂层、包含该光敏树脂层的显示装置以及制造该光敏树脂层的方法,该光敏树脂组合物包括(A)粘合剂树脂;(B)光可聚合单体;(C)光聚合引发剂;和(D)溶剂。
  • 提供一种感光性树脂组合物、使用所述感光性树脂组合物制造的感光性树脂层、包括所述感光性树脂层的显示装置以及制造所述感光性树脂层的方法,感光性树脂组合物包含(A)粘合剂树脂;(B)光可聚合单体;(C)光聚合引发剂;以及(D)溶剂。
  • 公开了一种半导体光刻胶组合物和使用半导体光刻胶组合物形成或提供图案的方法。半导体光刻胶组合物可包括含锡(Sn)有机金属化合物;至少一种选自包含一个或多个卤素元素的磺酸化合物和包含一个或多个卤素元素的磺酰胺类化合物;以及溶剂。
  • 本发明提供一种化学放大型正型感光性组合物,包含:产酸剂(A),通过活性光线或者放射线的照射而产生酸;树脂(B),对碱的溶解性因酸的作用而增大;酸扩散抑制剂(C);含硫化合物(D),包含能够与基板的金属层配位的硫原子,含硫化合物(D)包含具有...
  • 本发明公开一种深紫外光刻胶及其制备方法和应用,涉及到深紫外光刻胶技术领域。一种深紫外光刻胶,包括以下质量份组分:主体树脂:15‑25份、光敏剂:1‑5份、光生酸剂:0.5‑3份、交联剂:2‑8份、表面活性剂:0.1‑1份、有机溶剂:60‑8...
  • 本发明提供一种负性感光树脂组合物、固化膜、图案固化膜及其应用,组合物包含:(A)聚苯并噁唑‑酰亚胺树脂、结构式(4)所示的(B)交联剂、(C)感光剂以及(D)有机溶剂;所述聚苯并噁唑‑酰亚胺树脂具有可光聚合基团,且含有苯并噁唑或/和其前体重...
  • 本发明属于光刻技术领域,具体涉及一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法和应用。所述底部抗反射涂层组合物至少含有聚合物A和聚合物B;聚合物A含有衍生自式(1)所示第一单体的结构单元一、衍生自式(3)所示第三单体的结构单元三和衍生自式(4)所示第...
  • 本发明提供了一种悬空图案化二维材料的制备方法。通过先转移后图案化的策略,显著提高了定位精度,减少了材料褶皱、残余应力和破损的风险,同时简化了工艺流程,避免了繁琐的刻蚀步骤,降低了材料污染和失败率,提升了整体成功率和样品洁净度。该方法实现了复...
  • 本发明公开了一种半导体加工设备及加工方法,属于半导体晶圆加工领域。一种半导体加工设备,包括基台及固定在其顶部的电动推杆,所述基台顶部固定连接有加工盘,所述加工盘内转动连接有定位盘,且所述基台上设置有驱动定位盘转动的驱动部,还包括安装架;本发...
  • 本发明提供了一种提升量子点彩色光刻胶耐热性与稳定性的后烘烤工艺,属于光刻胶技术领域。后烘烤工艺包括以下步骤:(1)复合表面配体改性;(2)梯度热处理;(3)控速冷却;各工艺步骤之间存在紧密的协同作用,形成完整的性能提升体系。复合配体改性为后...
  • 本发明涉及半导体制造装备技术领域,公开了高分辨率LDI光刻胶树脂固化系统,该系统包括 : 光路校准模块、能量调控模块、温度补偿模块和反馈控制模块。光路校准模块通过激光发射器、准直透镜组、分光棱镜和光强传感器构建精密光路网络;能量调控模块实时...
  • 本发明公开了一种电子束光刻图形数据结构及图形曝光控制方法,数据结构包括文件头,用于文件识别;剂量表,用于图形曝光剂量调整;索引块,用于提供场位置和图形索引;模块库,用于提供图形复用功能;图形段,用于提供子场图形具体定义;文件尾,用于标识文件...
  • 本申请涉及一种曝光设备,属于曝光机领域,用于带状物料双面曝光,其包括掩模装置、两个输料装置和一对光照装置,所述掩模装置包括两个掩模机构,所述掩模机构包括掩模组件,两个掩模机构的掩模组件间隔对称设置并适于紧密贴合,以将带状物料的其中一段夹紧密...
  • 本申请涉及光学邻近效应修正方法、装置、设备及存储介质。该光学邻近效应修正方法包括:基于目标图案包括的多个图形,获得目标图案的第一修正依据;根据第一修正依据,从第一工艺补值表中确定第一修正依据对应的第一预设补值;以及根据第一预设补值,将对应目...
  • 本发明涉及光子晶体制造领域,具体涉及一种多光束激光全息制造复周期光子晶体系统及方法,次设有激光器、多光束生成元件、光束准直元件、位移台、空间光调制器、聚焦透镜、光刻胶板、多轴位移台、上位机;所述上位机用于控制位移台、空间光调制器、多轴位移台...
  • 本发明提出一种优化双显影晶圆加工工艺,具体涉及于半导体加工技术领域, 所述优化双显影晶圆加工工艺包括以下步骤:S1.对晶圆表面进行清洗,清洗完毕后进行HMDS涂覆;S2.根据最佳转速与膜厚度的curve曲线确定膜厚度,并确定最佳软烤温度和最...
  • 本申请公开了一种激光曝光设备及电路板生产工艺,包括:固定机架,所述固定机架的上表面处固定设置有激光曝光组件,所述固定机架处还设置有清洁模块,所述铜板承载组件由移动底座和承载板构成,为了解决现有技术中,普通的曝光设备在针对覆铜板进行照射曝光加...
  • 本发明提供一种用于光刻的掩模数据处理方法及设备。应用于集成电路制造领域。该方法包括:S1,获取连续掩膜数据;S2,根据连续掩膜数据中各个孔位对应的透射率值确定离散阶梯值集合;S3,以离散阶梯值集合中的阶梯值为扩散目标,对连续掩膜数据进行误差...
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