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  • 本发明公开了一种兼容多种尺寸基板的平台及植球工作台,平台上设有多个抽气通孔,基板放置在平台上表面。平台边缘设有调节槽,调节槽内设有支撑件,支撑件上表面与平台上表面持平,支撑件一端与调节槽内侧连接,支撑件能够调节长度使得另一端移动至靠近基板边...
  • 本申请提供了一种静电卡盘及半导体刻蚀装置,其中,静电卡盘包括卡盘本体、压力检测机构和光学检测机构,卡盘本体上设有第一容置孔和第二容置孔,压力检测机构滑动连接于所述第一容置孔内,压力检测机构用于抬升晶圆以及检测目标晶圆施加在其上的压力,光学检...
  • 本申请提供了一种晶圆的水平度控制方法及晶圆支撑装置,晶圆的水平度控制方法包括:在工艺过程中,对晶圆被支撑的一面施加非机械接触且向上的托力,托力的大小根据晶圆的水平度实时调控,晶圆支撑装置包括晶圆吸盘和力施加组件,晶圆吸盘用于放置薄片晶圆并带...
  • 本发明公开了一种基板吸附装置,属于基板吸附技术领域,用以解决带有密封件的吸盘存在的基板释放延迟问题。基板吸附装置包括吸盘本体、吸附空间、密封件和连通结构,当基板被吸附时密封件与基板及吸盘本体围成一密封空间,连通结构连通密封空间与吸附空间。本...
  • 本发明提供了激光解键合与撕膜一体机的拔片模组,属于晶圆生产设备技术领域,包括有用于吸取玻璃载板的吸附组件与用于带动吸附组件旋转的伺服旋转台;伺服旋转台顶部设置有连接座,连接座顶部设置有用于带动吸附组件升降的Z轴升降组件,Z轴升降组件一侧通过...
  • 本发明提供了集成视觉定位系统,属于晶圆加工设备技术领域,包括有安装在设备安装支架上的真空吸附平台,真空吸附平台包括有用于放置待加工晶圆的真空卡盘,真空卡盘顶部设置有真空卡盘内圈,真空卡盘内圈周侧设置有真空卡盘外圈,真空卡盘外圈可沿真空卡盘内...
  • 本申请公开了一种真空互联系统的对接式晶圆传递夹具,包括固定臂;一对活动臂对称设置在固定臂两端,每一活动臂的内端与固定臂的对应端铰接,外端沿背离固定臂方向延伸,一对活动臂和固定臂配合围设形成夹持空间,一对活动臂的外端之间形成开口;弹性单元用于...
  • 本发明公开了一种晶圆支撑装置和晶圆清洗装置,晶圆支撑装置包括支撑组件,所述支撑组件移动以水平支撑晶圆;至少一支撑组件可相对于其移动方向摆动以调节支撑组件的位置。本发明所述晶圆支撑装置使得支撑辊与晶圆的外缘均匀接触,保证晶圆的可靠支撑,设置在...
  • 本发明公开了一种晶圆支撑装置和晶圆清洗装置,晶圆支撑装置包括支撑组件,所述支撑组件移动以水平支撑晶圆;至少一支撑组件可相对于其移动方向摆动以调节支撑组件的位置。本发明所述晶圆支撑装置使得支撑辊与晶圆的外缘均匀接触,保证晶圆的可靠支撑,设置在...
  • 本发明提供了一种晶圆支撑组件及顶针组件。该顶针组件包括顶针和重锤;所述顶针包括顶针本体和顶针头部,所述顶针本体穿过晶圆基座的通孔,所述顶针本体的侧壁与所述通孔的通孔壁具有第一距离,所述第一距离的尺寸使得所述晶圆基座从最低处上升到最高处的过程...
  • 本发明提供了一种清洗设备的晶圆夹持装置及晶圆加工设备,属于化学机械研磨领域,包括驱动部、定位部和多个夹持部,其中,驱动部包括能绕自身轴线转动的驱动齿盘;各夹持部绕驱动齿盘的轴线均匀布置,夹持部包括转轴、夹持头和驱动齿轮,夹持头偏心固设于转轴...
  • 本申请提供一种承载装置及半导体工艺设备,该装置包括基准主板和至少一个环形支撑部件,其中,基准主板设置有至少一个镂空部;各环形支撑部件一一对应设置于各镂空部中,且与基准主板搭接;各环形支撑部件均设置有承载结构和滚动结构,承载结构用于支撑晶圆底...
  • 本发明公开了一种多块筒状半导体晶圆片的粘合设备,涉及晶圆粘合加工技术领域,包括粘合设备,包括放置板、升降电机和晶圆片本体,还包括固定装置和清理装置;其中,固定装置包括压板和固定组件,所述压板固定安装在升降电机的输出端,所述固定组件包括固定框...
  • 本发明提供了一种晶圆载片台,包括腔体、m个承片盘、支撑机构和m‑1个限位件,m个承片盘自下而上依次固定设置于腔体的内壁,且承片盘上开设有机械手取片口,支撑机构包括m‑1个悬浮件、底浮力件和升降件,悬浮件与自下而上的第二个承片盘至第m个承片盘...
  • 本发明公开了一种深槽的刻蚀方法,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成预设沟槽;在所述预设沟槽中形成预设填充层;对所述预设填充层进行平坦化处理,以使所述预设填充层与所述衬底齐平,并在所述衬底上形成外延层;刻蚀去除所述预设填充层,并在所述外...
  • 本发明公开一种包含有硅覆绝缘层基底的半导体结构以及其制作方法,其中包含有硅覆绝缘层基底的半导体结构包含一材料层,其上定义有一中间区域以及两边缘区域,其中中间区域位于两边缘区域之间,一氧化层以及一硅层由下而上堆叠于材料层上,其中硅层在中间区域...
  • 本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。一方面是在基底上方形成具有交替的第一和第二半导体层的半导体堆叠;图案化半导体堆叠和基底以形成具有半导体堆叠部分于基座部分上方的半导体鳍部;在半导体鳍部上方沉积隔离层;凹陷隔离层以形成围绕半导体鳍部的基座...
  • 一种半导体结构及其形成方法,包括:提供基底;所述基底包括用于形成半导体鳍第一区域,以及位于第一区域之间第二区域;形成位于第一区域基底上多个半导体鳍;形成覆盖多个半导体鳍的隔离层,隔离层在第二区域围成位于半导体鳍之间的隔离沟槽;在隔离沟槽内填...
  • 一种半导体结构及其形成方法、以及封装结构,半导体结构包括:基底结构;通孔结构,分立设置于基底结构的顶部上;种子层,仅位于各个通孔结构的底部和基底结构之间;第一介质层,位于基底结构的顶部,第一介质层覆盖通孔结构的侧壁和种子层的侧壁,且第一介质...
  • 本申请提供一种硅通孔互连结构及其形成方法,所述硅通孔互连结构包括:器件晶圆,所述器件晶圆的第一面形成有金属间介质层、第一互连金属层以及第一刻蚀停止层,所述第一刻蚀停止层包围所述第一互连金属层的侧壁和底部并形成在所述金属间介质层中;承载晶圆,...
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