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最新专利技术
  • 基于p型氧化铌偶极子的金属-氧化物-半导体器件及其制造方法
    基于p型氧化铌偶极子的金属-氧化物-半导体器件及其制造方法_复旦大学_202511600730.X
    本发明涉及基于p型氧化铌偶极子的金属‑氧化物‑半导体器件及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明的技术方案包括一种MOS器件，其栅介质叠层自下而上依次包括界面层、高k介电层和包含氧化铌的p型电偶极子层。其制备方法采用原子层沉积工艺沉...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳平湖实验室_202511607563.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件的制备过程中，湿法刻蚀技术会导致势垒层被栅极材料沾污的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层、势垒层、盖帽层、栅极、源极、漏极和第一隔离部；沟道层和...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳平湖实验室_202511607833.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件的制备过程中，湿法刻蚀技术会导致势垒层被栅极材料沾污的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层、势垒层、盖帽层、栅极、源极、漏极和第一隔离结构；沟道层...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510115504.6
    一种半导体装置，包括：下层间绝缘层、有源图案、多个纳米片、栅电极、源极/漏极区域、衬垫层、接触隔离层和源极/漏极接触件，其中，接触隔离层的侧壁包括在第一水平方向上与源极/漏极接触件接触的第一侧壁、在第一水平方向上与衬垫层和有源图案中的每个接...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备_华为技术有限公司_202410650333.2
    本申请的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备，旨在增加栅极与栅介质层的接触面积，从而提高栅极的控制能力。本申请实施例中提供的半导体结构，栅极包括面向沟道柱侧壁的第一表面、以及与第一表面相邻的第二表面；栅...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510647999.7
    提供一种半导体装置，能够提高可靠性。一实施方式的半导体装置具备：半导体部，其具有单元区域和设置在单元区域的外侧的终端区域；第一电极，其设置在半导体部的背面上；第二电极，其设置在半导体部的正面侧；控制电极，其经由沿从单元区域朝向终端区域的方向...
    2025-12-25
  • 半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法
    半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511198459.1
    公开了半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法。本申请涉及一种半导体晶体管器件(1)，其具有：源极区(2)；本体区(3)，其包括在竖向方向(10)上延伸的沟道区(3.1)；漏极区(4)；栅极区(6)，被布置成在横向方向(11)上在沟道...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510656496.6
    本公开的目的在于提供能够兼得“恢复dV/dt max”及导通损耗的折衷的改善和栅极总电荷量Qg降低的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；发射极电极，形成在半导体基板之上；第一导电型的漂移层，形成在半导体基板之中；第二导电型的基极...
    2025-12-25
  • 碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备
    碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备_比亚迪股份有限公司_202511204162.1
    本申请提供一种碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备，在碳化硅MOSFET中的源极沟槽底部设置的第一保护层，可以有效降低碳化硅MOSFET处于关断状态时，降低源极沟槽底部的电场。其中，具体通过避免高能量对体区的注入损伤，可有效屏蔽碳...
    2025-12-25
  • 一种优化电场的超结结构及其制备方法
    一种优化电场的超结结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511238918.4
    本发明公开了一种优化电场的超结结构及其制备方法，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型外延层，位于衬底层的上表面；第二导电类型杂质注入区，位于器件两端的外延层内；第二导电类型体区，位于器件两端的外延层内，且位于对应的杂质注入区上；第一导电类...
    2025-12-25
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511573580.8
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，旨在提升器件耐压性能与可靠性。该终端结构包括衬底；外延层，位于衬底的上方；重掺杂区，位于外延层中；结终端扩展区，位于外延层中，且与重掺杂区接触；氧化层，位于重掺杂区和结...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社日本显示器_202510697503.7
    本发明涉及半导体装置。课题在于实现即使是微细的像素电路，也在不使开口率变小的情况下具备良好电特性的半导体装置。半导体装置具备：具有图案的氧化物半导体层；栅电极，其与前述氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，其设置在前述氧化物半导体层与前述栅电极之...
    2025-12-25
  • 形成半导体结构、沉积偶极层及形成半导体器件的方法
    形成半导体结构、沉积偶极层及形成半导体器件的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510697267.9
    公开了形成半导体结构的方法。所公开的方法包括通过循环沉积过程在高k电介质材料的表面上沉积包含三元镓材料的偶极层。还公开了通过原子层沉积过程在衬底上沉积偶极层的方法。还公开了采用三元镓材料形成半导体器件的方法。
    2025-12-25
  • 调节MOS晶体管的阈值电压的方法
    调节MOS晶体管的阈值电压的方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511203776.8
    本发明提供了一种调节MOS晶体管的阈值电压的方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括第一沟道、第二沟道、第一氧化层及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一沟道表面，所述第二氧化层覆盖所述第二沟道表面；对所述第一氧化层执行第一粒子辐照，在所述...
    2025-12-25
  • 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
    碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410651482.0
    本发明涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述碳化硅金属氧化物半导体场效应管包括：第一外延层，具有第一导电类型；第二外延层，具有第一导电类型，位于所述第一外延层上，且掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；所述第一导电类型和第...
    2025-12-25
  • 碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法
    碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410653784.1
    本发明涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法，所述碳化硅肖特基势垒二极管包括：衬底，具有第一导电类型；第一外延层，具有第一导电类型，位于所述衬底上方；第二外延层，具有第一导电类型，位于所述第一外延层上，且掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂...
    2025-12-25
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
    绝缘栅双极型晶体管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410658740.8
    本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，IGBT包括：集电区；缓冲区，位于所述集电区上；漂移区，位于所述缓冲区上；体区，具有第二导电类型，至少部分位于所述漂移区上；发射区，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类...
    2025-12-25
  • 边缘终端结构
    边缘终端结构_安世有限公司_202510681470.7
    本公开涉及一种适合于MOSFET晶体管的边缘终端结构，特别是在功率应用中。一种边缘终端结构，所述边缘终端结构适合于所述MOSFET晶体管，包括多个平行的条状物(1)、和至少一个屏蔽氧化物填充的沟槽SOTR(6)，其中所述SOTR(6)垂直于...
    2025-12-25
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162862.9
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型终端区柱的柱宽及柱间距先增大后减小；第二导电类型离子注入阱、第二导电类型终端主结分别在第二导电类型有源区柱和第二导电类型过渡区柱上方。本发明设置非均匀分布的第二导电类型终端区...
    2025-12-25
  • 一种宽禁带半导体器件及其制备方法
    一种宽禁带半导体器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511262166.5
    本申请公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法，可用于半导体领域，该器件包括：沿第一方向依次堆叠的衬底、第一电荷平衡区、第二电荷平衡区、第三电荷平衡区以及源极；第一电荷平衡区包括沿第二方向交替分布的第一P型调制区和第一N型调制区；第二方向垂直...
    2025-12-25
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