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最新专利技术
  • 铜基金刚石复合材料的制备方法
    铜基金刚石复合材料的制备方法_深圳市超晶热导技术有限公司_202511027967.3
    本发明公开了一种铜基金刚石复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供铜基材，铜基材包括相对的第一表面和第二表面，铜基材的厚度为0.1mm～5mm，第一表面和第二表面的面积为100mm2～2000mm2，铜基材的面积与厚度的比值为100 : 1～...
    2026-03-02
  • 一种硅/金刚石复合材料及其制备方法
    一种硅/金刚石复合材料及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511208467.X
    本发明公开了一种硅/金刚石复合材料及其制备方法，该制备方法包括：在清洗后的硅基底一面旋涂金刚石悬浮液，然后利用MPCVD生长金刚石薄膜；在硅基底的另一面生长金刚石薄膜，从而得到硅/金刚石复合材料；其中，该金刚石悬浮液中金刚石的平均粒径为10...
    2026-03-02
  • 一种利用化学气相沉积制备碳化钽涂层的方法
    一种利用化学气相沉积制备碳化钽涂层的方法_湖南烁科热工智能装备有限公司_202511245973.6
    本发明中公开了一种利用化学气相沉积制备碳化钽涂层的方法，该方法是以含有钽源和碳源的气溶胶为原料进行化学气相沉积，形成碳化钽涂层，其中含有钽源和碳源的气溶胶中包含气态钽源和分散在气态钽源中的固态碳源。本发明方法中，以含有钽源和碳源的气溶胶为原...
    2026-03-02
  • 一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法
    一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法_深圳菲比特光电科技有限公司_202511609180.8
    本发明公开了一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法，涉及光学元件领域。一种超疏水自清洁光学面板的制备方法，包括以下步骤：S1、对玻璃基板进行清洗，确保表面洁净；S2、将清洗后的玻璃基板放入PECVD反应腔，抽至真空；S3、在玻璃基板上沉积均匀...
    2026-03-02
  • 一种利用高纯石英砂制备半导体材料的方法
    一种利用高纯石英砂制备半导体材料的方法_洛南县陶岭矿业有限公司_202511631238.9
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种利用高纯石英砂制备半导体材料的方法。该方法首先通过3‑氨丙基三乙氧基硅烷对石英砂表面接枝改性，利用氨基官能团络合金属杂质，从源头提升前驱体纯度；其次采用氢气/氘气脉冲往返切换，利用同位素效应调控表面...
    2026-03-02
  • 液态源瓶及液态源瓶的控制方法
    液态源瓶及液态源瓶的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410711408.3
    本申请提供了一种液态源瓶及液态源瓶的控制方法；液态源瓶包括：瓶体、具有敞口的内胆以及控制器；内胆可活动地固定于瓶体内，且内胆将瓶体内的空间分割成彼此独立的第一空间和第二空间，内胆的内侧与瓶体之间形成第一空间，内胆的外侧与瓶体之间形成第二空间...
    2026-03-02
  • 一步法构造光热防冰表面的等离子体处理装置与方法
    一步法构造光热防冰表面的等离子体处理装置与方法_南京工业大学_202511022740.X
    本发明公开了一种一步法构造光热防冰表面的等离子体处理装置与方法，涉及等离子技术领域，它包括处理模块，包括气体瓶、分别和气体瓶的输出端连接的气路件、流化件，以及与气路件和流化件输出端连接的混气箱；以及，反应模块，所述反应模块与混气箱的输出端相...
    2026-03-02
  • 一种半导体器件、制备方法及电子设备
    一种半导体器件、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410662433.7
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法及电子设备，向反应腔室中通入含有第一元素的反应物后，向反应腔室中通入水或氧等离子体，形成氧化物介质材料，并使氧化物介质材料表面具有羟基。向反应腔室中通入布朗斯特酸或氨基硅烷，与氧化物介质材料表面的羟基反应...
    2026-03-02
  • 一种进气装置
    一种进气装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410718974.7
    本申请提供一种进气装置，用于沉积设备，包括：进气头主体，所述进气头主体为空腔结构，所述进气头主体的第一端面设置有贯穿所述第一端面的多个出气孔；以及第一气体分散部，位于所述进气头主体内部，所述第一气体分散部包括第一进气部、第一抽气部以及分别与...
    2026-03-02
  • 一种利用两种硅前驱体化合物形成薄膜的方法
    一种利用两种硅前驱体化合物形成薄膜的方法_韩松化学株式会社_202510731771.6
    本文涉及利用两种硅前驱体化合物的硅薄膜制造方法，具体的涉及通过原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)，在低温下也能形成具有优异薄膜特性，可以调整根据前驱体的形态的硅薄膜的制造方法。
    2026-03-02
  • 用于前体气体喷射的方法和装置
    用于前体气体喷射的方法和装置_MEO工程股份有限公司_202510889864.1
    本公开提供了一种气体喷射系统，该气体喷射系统可以包括：壳体，其被配置为容纳多个前体储罐，该多个前体储罐包括一种或多种前体材料；以及喷嘴，其从壳体伸出，该喷嘴具有一尖端，其被配置为用于插入到材料处理设备的样本室中。前体储罐与喷嘴流体地连接，以...
    2026-03-02
  • 一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法
    一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202510959714.3
    本发明是一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法，包括通过调功器控制炉口温度高于炉尾温度，具体是控制炉口温度为190℃，炉尾温度为160℃。经检测，工艺完成后炉口和炉尾硅片氧化铝薄膜的膜层厚度差异很小，且工艺后炉口和炉尾物料电池性能差异较小，...
    2026-03-02
  • 一种用于高深宽比结构的铂薄膜沉积方法以及铂薄膜
    一种用于高深宽比结构的铂薄膜沉积方法以及铂薄膜_中国科学院微电子研究所_202511179958.6
    本发明公开一种用于高深宽比结构的铂薄膜沉积方法以及铂薄膜，涉及半导体薄膜沉积技术领域，用于解决现有技术中高深宽比结构中的铂薄膜均匀沉积的问题。包括：将预处理后的衬底置于反应真空腔室中，对反应真空腔室进行抽真空操作，调整反应真空腔室温度至特定...
    2026-03-02
  • 一种匀气环结构及半导体设备
    一种匀气环结构及半导体设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511220072.1
    本发明公开了一种匀气环结构及半导体设备，匀气环结构包括环体、气体流道、出气孔以及整流构件，气体流道设置在环体内，出气孔具有多个且沿环体的周向分布，出气孔与气体流道流体连通，整流构件设置在气体流道内并位于各出气孔的下游，各整流构件被配置为对流...
    2026-03-02
  • 一种工艺腔顶盖及薄膜沉积设备
    一种工艺腔顶盖及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511268757.3
    本发明提供了一种工艺腔顶盖及一种薄膜沉积设备。所述工艺腔顶盖包括：顶盖本体，包括纵向穿透其上表面及下表面的多个进气口，其中，所述顶盖本体的下表面设有向上凹陷的混气腔，所述多个进气口连接多种不同的气源；转盘，封闭所述混气腔的下表面，并设有至少...
    2026-03-02
  • 集成式气路系统以及半导体设备
    集成式气路系统以及半导体设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511596133.4
    一种集成式气路系统以及半导体设备，集成式气路系统包括：混气底座，包括相背设置的第一面和第二面、以及连接第一面和第二面的侧壁，混气底座内部具有由第一面至第二面延伸的第一气路、以及由侧壁至混气底座中延伸的多个相互独立的第二气路，第一气路的出气口...
    2026-03-02
  • 一种加热盘结构及制备方法
    一种加热盘结构及制备方法_无锡金源半导体科技有限公司_202511576893.9
    本发明公开了一种加热盘结构及制备方法，其中加热盘结构包括盘体、金属块和陶瓷套，盘体包括基座和盖板，基座和盖板相互朝向的端面拼接固定形成拼接界面；盘体沿盘体厚度方向贯穿设置有维修孔，维修孔具有围成维修孔的围壁；金属块设置于维修孔内，金属块的外...
    2026-03-02
  • 一种激光加热装置
    一种激光加热装置_松山湖材料实验室_202511169025.9
    本申请涉及一种激光加热装置，包括：激光器、基座、样品承载件和储热块；所述激光器与所述基座的一端连接；所述基座的另一端用于与真空镀膜系统连接；所述样品承载件的一端与所述基座连接，另一端用于延伸至所述真空镀膜系统的真空腔体内，所述样品承载件内设...
    2026-03-02
  • 一种低应力薄膜的制备方法及薄膜
    一种低应力薄膜的制备方法及薄膜_光驰半导体技术(上海)有限公司_202511174699.8
    本发明公开了一种薄膜的制备方法及由此得到的薄膜。具体制备方法包括执行一个沉积过程，以及得到薄膜的过程。本发明公开的方案，在每次沉积得到子薄膜层后进行Ar等离子处理，可以减少甚至消除薄膜中的缺陷，改善薄膜的品质，同时Ar离子体对膜层还具有轰击...
    2026-03-02
  • 一种铝合金直接化学镀镍的新型工艺
    一种铝合金直接化学镀镍的新型工艺_杭州德鼎科技有限公司_202511160841.3
    本发明公开了一种铝合金直接化学镀镍的新型工艺，包括以下步骤：对铝合金工件依次进行除油、除蜡处理后进行水洗；依次进行弱腐蚀处理、除垢以及水洗，活化处理；直接进行化学镀镍；对镀镍完毕的铝合金工件进行镀后处理，本发明涉及铝合金镀镍技术领域，新工艺...
    2026-03-02
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