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最新专利技术
  • 人工手术期间传感器数据的生成
    人工手术期间传感器数据的生成_斯内克欧有限责任公司_202480023384.0
    本发明提出了一种生成可用于训练人工智能(AI)模块的人工手术期间传感器数据的计算机实现的方法。该方法包括以下步骤：提供临床数据结构，该临床数据结构描述临床程序的多个临床状态并且限定所述多个临床状态之间的转变，从而允许该临床程序的不同路径(步...
    2025-12-18
  • 使用由个人口腔护理设备捕获的测量数据进行预测性牙周炎评估的机器学习技术
    使用由个人口腔护理设备捕获的测量数据进行预测性牙周炎评估的机器学习技术_皇家飞利浦有限公司_202480024724.1
    本发明提供了一种用于使用分治技术进行预测性牙周炎评估的机器学习模型结构，包括第一机器学习模型和第二机器学习模型，其中第一机器学习模型适于至少部分地基于由用户所使用的个人口腔护理设备捕获的测量数据来预测用户关于牙龈炎形成的健康状态；并且其中第...
    2025-12-18
  • 用于标记和追踪实验室样本的系统、方法和装置
    用于标记和追踪实验室样本的系统、方法和装置_EMD密理博公司_202480029557.X
    公开了一种用于实验室工作流处理的设备和相关方法。该设备可以包括一个或多个处理器，该一个或多个处理器被配置为提供多个动作以供用户选择。用户可以选择多个动作中的动作，并且该设备可以确定与样本相对应的标识。该设备可以在二维条形码内嵌入与该样本相对...
    2025-12-18
  • 结晶性硫化物固体电解质
    结晶性硫化物固体电解质_出光兴产株式会社_202480031298.4
    本发明提供一种结晶性硫化物固体电解质，在降低原料成本的同时具有高离子电导率，其包含锂原子、磷原子、硫原子、氧原子及卤素原子，具有以组成式(100‑y)(0.5)(Li3+2zP(S1‑xOx)4+z)+(y)LiX表示的组成，在组成式中，x...
    2025-12-18
  • 多层导体、用于多层导体的制造的方法以及包括多层导体的组件
    多层导体、用于多层导体的制造的方法以及包括多层导体的组件_罗杰斯公司_202480027782.X
    一种包括导体层和位于导体层上的介电层的多层导体。介电层包括具有小于0.001的耗散因子(Df)的聚合物组合物，并且包括环烯烃共聚物、反式辛烯橡胶、间同立构聚苯乙烯、聚甲基戊烯烯烃共聚物或其组合。本文中所描述的材料可以优选地提供导体和介电层之...
    2025-12-18
  • 层叠电感器
    层叠电感器_株式会社村田制作所_202480030696.4
    本发明提供在确保绝缘特性的同时，进一步使磁导率的降低减少的层叠电感器。本公开的层叠电感器具备坯体(10)，该坯体具有层叠了含有金属磁性体粒子(MP)的金属磁性体层(ML)的磁性体(M)、配置在磁性体(M)的内部且卷绕了线圈导体(CD)的线圈...
    2025-12-18
  • 磁芯片、电抗器、转换器以及电力转换装置
    磁芯片、电抗器、转换器以及电力转换装置_株式会社自动网络技术研究所_202480016178.7
    一种磁芯片，构成磁芯的一部分，所述磁芯片由在树脂中分散有软磁性粉末的复合材料的成形体构成，包括第一芯部和第二芯部，所述第一芯部和所述第二芯部在相互正交的方向上延伸，所述软磁性粉末在所述第一芯部及所述第二芯部中沿不同的方向取向，在所述第一芯部...
    2025-12-18
  • 用于无线电力输送的混合线圈
    用于无线电力输送的混合线圈_瑞萨电子美国有限公司_202380096591.4
    一种无线电力装置可以包括接收线圈，该接收线圈包含具有第一导体类型的第一导体组件，该接收线圈包含具有可以与第一导体类型不同的第二导体类型的第二导体组件，第一导体组件和第二导体组件可以串联连接以形成混合线圈。
    2025-12-18
  • 具有带有第一电容器和第二电容器的电容器元件的电容器组件
    具有带有第一电容器和第二电容器的电容器元件的电容器组件_罗伯特·博世有限公司_202480030855.0
    本发明涉及一种电容器组件(1)，该电容器组件包括电容器元件(2)，该电容器元件包括第一电容器(3)和第二电容器(4)。在此，第一电容器(3)和第二电容器(4)分别具有层叠的或卷绕的结构，其中，通过相应的电容器(3、4)的第一侧部上的第一接触...
    2025-12-18
  • 继电器
    继电器_松下知识产权经营株式会社_202480027702.0
    本发明的课题在于容易地抑制固定端子的发热。继电器(A1)具备盖(90)、固定端子(60)和可动触头(50)。盖(90)具有贯通孔(93)，由导电性材料形成。固定端子(60)形成有向上方开口的凹部(65)，以盖(90)的贯通孔(93)与凹部(...
    2025-12-18
  • 用于接线装置的散热器
    用于接线装置的散热器_豪倍公司_202480031561.X
    一种接线装置，其包括具有前盖和后盖的外壳、设置在外壳内的第一印刷电路板(PCB)、第一直流(DC)端口、由第一PCB的表面支撑并被配置成向第一DC端口提供电力的多个电力电子器件、以及与多个电力电子器件中的至少一个直接接触并设置在后盖的内部中...
    2025-12-18
  • 用于使用等离子体形成薄膜的接地装置
    用于使用等离子体形成薄膜的接地装置_应用材料公司_202480025034.8
    本公开的实施例提供了一种射频(RF)回程装置。一个示例的RF回程装置通常包括用于连接至腔室主体的支架、连接至支架的盖、以及连接至盖并配置为接触基板支撑的接触板。使用本文描述的RF回程装置通常能够减少RF回程装置及其各种元件所暴露的温度，从而...
    2025-12-18
  • 隔离阀垫片
    隔离阀垫片_朗姆研究公司_202480026189.3
    在一些示例中，设置隔离阀以隔离半导体制造中的气体与等离子体。一示例性隔离阀包含阀本体、阀致动器、以及提动件。该提动件包含由聚四氟乙烯(PTFE)材料所制成的垫片。该提动件设置成通过该阀致动器而在该阀本体中移动至(1)接合位置、或(2)脱离位...
    2025-12-18
  • 用于半导体制造处理腔室的高生产量等离子体盖
    用于半导体制造处理腔室的高生产量等离子体盖_应用材料公司_202480027588.1
    描述了半导体制造处理腔室，其具有在支撑环及喷头之间的RF隔离器、和/或在喷头及气体漏斗之间的RF垫圈。帽插件具有围绕帽插件的帽外壳，所述帽插件在气体漏斗上，且RF馈送件与喷头接触。可包括基板支撑件且基板支撑件可具有引导穿过基板支撑件的RF返...
    2025-12-18
  • 放电管
    放电管_浜松光子学株式会社_202380097998.9
    本发明的放电管包括：容器；具有开口部的板状的阳极部；响应于通过了开口部的光的入射而释放光电子的板状的阴极部；沿阳极部与阴极部相对的相对方向延伸的棒状的阳极电极部；和沿相对方向延伸的棒状的阴极电极部。在相对方向上，将阳极部相对于阴极部所处一侧...
    2025-12-18
  • 具增进的电气、机械及蚀刻特性的掺杂的含硅材料
    具增进的电气、机械及蚀刻特性的掺杂的含硅材料_应用材料公司_202480029763.0
    半导体处理的范例方法可包括提供沉积前体至半导体处理腔室的处理区。基板可安置在所述处理区内。所述沉积前体可包括含硅前体。所述方法可包括提供掺杂物前体至所述半导体处理腔室的所述处理区。所述掺杂物前体可包括含磷前体。所述方法可包括产生所述沉积前体...
    2025-12-18
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480031182.0
    基板接合装置具有：第一夹具11；第二夹具21，在第二基板与被第一夹具11保持的第一基板W1铅垂地相向的位置保持第二基板；Z致动器18，变更第一夹具11以及第二夹具21在铅垂方向上的间隔；以及第一变形致动器71A，使第一夹具11在平坦形状与凸...
    2025-12-18
  • 半导体结构和存储器单元及其制造方法
    半导体结构和存储器单元及其制造方法_凌北卿_202480030635.8
    本公开涉及半导体结构、存储器器件及其制造方法。半导体结构包括第一衬底、第二衬底、键合层、第一导电层和第一介质层。第二衬底设置在第一衬底上。第二衬底是单晶衬底。键合层设置在第一衬底与第二衬底之间。第一导电层设置在键合层与第二衬底之间。第一介质...
    2025-12-18
  • 用于金属间隙填充的方法
    用于金属间隙填充的方法_应用材料公司_202480028165.1
    一种金属间隙填充的方法，包括通过等离子体增强原子层沉积，在存在于场上和/或特征开口中的介电层上沉积金属层，所述方法使用金属卤化物前驱物和含有氢及惰性气体的等离子体；并在场上和开口中直接在金属层上方沉积金属间隙填充材料，其中金属间隙填充材料完...
    2025-12-18
  • 基片处理方法
    基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480030507.3
    本发明的一个方式的基片处理方法包括第一蚀刻工序，向形成有栅极电极和用于调节栅极电极的功函数的功函数调节膜的基片供给第一蚀刻液，来对功函数调节膜进行蚀刻。在第一蚀刻工序中，将氢氟酸、SPM(硫酸与过氧化氢水溶液的混合液)或SC1(氨与过氧化氢...
    2025-12-18
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