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  • 本发明公开了一种混合钝化背接触电池及其生产方法,涉及太阳能电池领域;制备方法包括硅片抛光;抛光后的硅片背面依次沉积隧穿氧化层和掺杂多晶硅层;在硅片背面的掺杂多晶硅层通过激光烧蚀定义出未来的P区和N区;硅片正面进行酸抛处理;硅片正面进行碱制绒...
  • 本发明公开一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法,包括前驱体‑聚合物母体制备、液相热注入诱导成核、气相辅助结晶与维度调控、后处理与器件组装四步骤。采用原位生长策略,结合液相热注入与气相辅助结晶,解决纳米晶团聚问题,实现二维结构精准...
  • 本发明公开了一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法。硅掺杂氧化镓导电电极的硅掺杂氧化镓外延层与n型氮化镓衬底之间形成优异欧姆接触,界面接触电阻低,深紫外波段(280~400 nm)透过率可达85%,可满足氮化镓基...
  • 本公开涉及一种曲面光伏组件的制备方法及曲面光伏组件,属于光伏组件制造技术领域。曲面光伏组件的制备方法包括:将初始BC电池片与第一电连接件焊接得到曲率半径为R1的曲面电池片,初始BC电池片中细栅线的延伸方向与第一电连接件的延伸方向相垂直;通过...
  • 本申请公开了一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法,涉及光电探测器技术领域。制备方法包括利用分子束外延工艺制备外延生长结构,所述外延生长结构包括由下至上层叠布置的Te掺杂GaSb衬底、缓冲层、吸收层、阻挡层和接触层;对所述外延生长结构进行...
  • 本申请提供了一种双色二类超晶格红外探测器的刻蚀方法,属于芯片制造技术领域。该方法包括:提供一双色二类超晶格红外探测器,并在所述双色二类超晶格红外探测器表面形成光刻胶掩膜;在纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率之比不低于5 : 1条件下,对所述双色二类...
  • 一种太阳能电池的金属化方法及太阳能电池,所述金属化方法包括:提供一电池硅片,在所述电池硅片上制备电极;对所述电极进行电极固化,以提高电极导电性;使用指定频率的电磁波对固化后的电极进行选择性加热。根据本发明所提供的太阳能电池的金属化方法,通过...
  • 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及太阳能电池的技术领域,包括(a)在硅基体背面依次叠层制备隧穿氧化层、本征非晶硅层、第一BSG层和第二BSG层,其中,所述第二BSG层的硼含量高于所述第一BSG层的硼含量;(b)去除...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及太阳能电池的制作方法。在本申请实施例中,通过在激光辅助烧结处理过程中配置目标照射过程,使得在目标照射过程中的激光在太阳能电池基底上的移动方向和第一电极的纵长延伸方向彼此相交,不仅可以形成更大的覆盖非电...
  • 本发明涉及光伏电池制备领域,具体涉及到一种薄膜太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:在基板上制备发电层,获得电池芯片;去除发电层边缘一定宽度;将汇流条从发电层引出;在发电层远离基板的一侧按顺序依次放置后封装胶膜和背板并对齐,获得层叠组件;对层...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种光伏组件用电池片及组件和制备方法,包括以下步骤,对制绒后的硅片正反面均进行选择性图案化刻蚀形成至少一个用于分片的镜面凹槽,硅片两面的镜面凹槽数量相同,在硅片反面叠片处刻蚀镜面平台,再生成用于施胶的金...
  • 本发明公开一种光伏组件及其制备方法。该光伏组件可包括:一个或多个电池串,其中,电池串包括有串接的多个长宽比不小于4 : 1的太阳能电池,其中,长宽比不小于4 : 1的太阳能电池基于轴向切割硅棒得到的硅片制备出,太阳能电池的宽度不小于90mm...
  • 本发明公开了一种TBC电池的N区刻蚀结构、刻蚀添加剂及刻蚀抛光液;该添加剂按照质量百分比包括以下组分:选择性抑制剂0.5~1%、脱泡剂0.5~1%、分散剂1~1.5%、稳定剂0.5~1%,余量为去离子水;其中,所述选择性抑制剂为二甲基二烯丙...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:硅基底,以及设置于硅基底的第一侧的多个第一掺杂区和多个第二掺杂区;第一掺杂区和第二掺杂区沿第一方向依次排列,且相互间隔设置;相邻的第一掺杂区和第二掺杂区之间设置有隔离槽,隔离槽...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种背接触太阳能电池、其制备方法和光伏组件。其中,背接触太阳能电池包括:基底,基底的背面一侧包括相互错开的第一掺杂区和第二掺杂区;第一掺杂层,位于第一掺杂区内;第一栅线,位于第一掺杂层背离基底的一侧,且与第一掺...
  • 本发明公开了一种电池制备方法及电池,应用于光伏领域,包括:提供电池预制件;对电池预制件的背面进行开膜处理;在电池预制件的正面制备正面导电电极;将完成上述处理的待处理电池结构背面暴露出的导电电极接触区域与背面导电结构连接,并将正面导电电极与正...
  • 本发明涉及光伏生产领域,特别是涉及一种TBC电池及其制造方法,通过在硅基体的背面依次设置第一导电类型叠层及第一掩膜层;去除所述第一导电类型区域之外的第一掩膜层,得到图形化的第一掩膜层;在图形化的第一掩膜层的保护下对所述硅基体的背面进行刻蚀,...
  • 本发明涉及光伏发电领域,特别是涉及一种TBC电池及其制造方法,通过在硅基体的背面依次设置第一导电类型叠层及第一掩膜层;去除所述第一导电类型区域之外的第一掩膜层,得到图形化的第一掩膜层;在图形化的第一掩膜层的保护下对所述硅基体的背面进行刻蚀,...
  • 本发明涉及光伏生产领域,特别是涉及一种光伏电池表面栅线的制造方法及光伏电池片,通过在电池片表面设置图形化的待处理栅线;在所述待处理栅线的顶面设置顶面覆盖层;对所述电池片表面进行刻蚀,所述待处理栅线与所述顶面覆盖层在刻蚀药剂中组成原电池,所述...
  • 本发明公开了一种光伏电池片、光伏电池片制备方法及光伏组件,应用于光伏发电领域,光伏电池片包括衬底,该衬底的表面形成有图形化栅线结构,图形化栅线结构包括种子层及位于种子层上的导电金属层,衬底上还设置有与种子层导连的阴极导电结构,阴极导电结构在...
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