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  • 本申请公开一种半导体结构和封装芯片,半导体结构包括封装基板、至少一个第一存储颗粒和至少一个中间层,其中,封装基板的第一表面上设置有第一焊盘;每一第一存储颗粒的第一表面的中心区域设置有第二焊盘,且每一第一存储颗粒的第一表面设置有至少一个第一中...
  • 本发明提供了一种端子焊接用焊片包裹装置及方法,包括:底座,所述底座上开有直滑槽;侧压块,所述侧压块的数量为两个,两个侧压块沿直滑槽长度方向可移动地连接于直滑槽内侧,两个侧压块之间形成与端子连接头相对应的夹持槽,侧压块用于压紧U形焊片的垂直部...
  • 本发明属于电子装配领域,提供一种引线元器件动态波去金工艺方法,包括预处理、加热锡料、引线元器件插装、喷涂助焊剂、预热、动态波去金处理、过程监控与参数调整、后处理的完整方法流程。所发明工艺方法可通过将动态波应用于引线元器件的去金过程中,可使引...
  • 本发明提供一种具有微凸块的基板构造,包含基板、多个凸块下金属层及多个锥体微凸块,各该凸块下金属层的导接凹部设置于该基板的保护层的开口中且电性连接该开口中的焊垫,各该锥体微凸块具有位于该导接凹部中的跟部及凸出于该导接凹部的接触部,各该锥体微凸...
  • 本发明涉及芯片制造的技术领域,提供了一种车规级芯片制造方法和芯片封装结构,包括:S1:提供芯板、功率模块和散热铜块;在所述芯板上制备第三布线层和第四布线层以形成第一半成品板;在所述第一半成品板上加工第一通孔和第二通孔;将所述功率模块安装到所...
  • 本发明涉及芯片制造的技术领域,提供了一种车规级芯片制造方法和和芯片封装结构,包括:S1:在所述芯板上制备第三布线层和第四布线层以形成第一半成品板;在所述第一半成品板上加工第一通孔;将所述功率模块安装到所述第一通孔内;S2:制备第二布线层以形...
  • 本申请提供一种通孔加工的制备方法和光芯片,涉及激光精密加工技术领域,包括在基板内形成圆形压应力层;预设时间内,在所述圆形压应力层内形成改性通道;腐蚀所述改性通道,得到所需的通孔。采用长脉冲激光和飞秒脉冲激光的复合结构光场空间复用,实现通孔制...
  • 本发明公开一种封装载板及其制作方法,该方法包括:提供一玻璃芯板,并在玻璃芯板上制作玻璃通孔,以形成TGV孔;对玻璃芯板进行清洁、活化处理;在活化处理后的TGV孔的内壁、以及玻璃芯板的表面沉积硅烷偶联剂,以形成粘接层;在粘接层上沉积派瑞林,以...
  • 本申请涉及一种封装结构及其制备方法,包括:提供载板;于载板的一侧形成干膜结构,干膜结构包括干膜层与导电柱,干膜层内具有通孔,导电柱填充至少部分通孔;提供导电结构,其中,导电结构包括主体部以及设置于主体部的一侧的凸起部,凸起部与通孔一一对应;...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种半导体芯片,包括第一基板、芯片功能层、第二基板、若干个智能功率模块、若干个第一引脚、若干个第二引脚和塑封体,其中芯片功能层设置在第一基板的第一布置面上,智能功率模块设置在第二基板的第二布置面上,智能功率模...
  • 本发明公开了一种低寄生电感SiC功率封装模块,包括:第一基板;叠层母排,装设在第一基板上,包括正极母排和负极母排,正极母排与负极母排之间设有间隙,间隙内设有绝缘层,绝缘层上设有球形颗粒;本申请实现了母排间隙的精确控制与稳定维持,既避免了间隙...
  • 本发明提供了一种多芯片的CLIP封装结构,涉及芯片封装技术领域,包括基板,基板具有水平设置的第一方向,基板上沿第一方向间隔安装有多个待封装的芯片,多个芯片的上表面共同设有铜片,铜片具有沿第一方向间隔设置的多个粘接部,每个粘接部与一个芯片的轮...
  • 一种高集成多路半导体器件阵列模块结构及其集成方法,属于电子元器件技术领域。包括引脚电极1、引脚电极2、二极管芯片及焊接材料层。引脚电极1及引脚电极2的一端为芯片贴装区域,另一端电极引出端。芯片组装于引脚电极1和引脚电极2的芯片贴装区域,芯片...
  • 本发明为一种通孔内具有光波导的基板结构以及其制作方法,其中,基板结构具有一核心基板层,该核心基板层于所具有相对的一第一表面和一第二表面之间连通有一通孔;该通孔的一内壁面上形成有一通孔金属层,且该通孔金属层于该通孔中留有连通该第一表面和该第二...
  • 本申请提供一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备,芯片封装结构包括:依次层叠设置的基板、多个中介层和第一芯片,多个中介层沿基板至第一芯片的方向依次堆叠设置;每个中介层内包括导电柱,导电柱沿中介层的厚度方向贯穿所在的中介层;至少部分中介层内还...
  • 一种功率半导体封装,包括一基板;一芯片,所述芯片通过一双层烧结银接合结构固定至所述基板;以及一环氧模塑料,其至少模封所述芯片及所述双层烧结银接合结构的一部分。所述双层烧结银接合结构包括一第一烧结银层,位于所述基板上;以及一第二烧结银层,位于...
  • 本申请公开一种带有嵌入式互联硅桥的三维封装结构及封装方法,涉及半导体领域,基板,基板的周围具有引脚焊盘;互联硅桥,粘接于基板的中央;导电柱,形成于引脚焊盘上方并与引脚焊盘电性连接,基板上方还设置有封装层,封装层包裹互联硅桥及导电柱,且导电柱...
  • 本申请提供了一种芯片封装结构及其制备方法和显示装置。芯片封装结构包括:基底,包括支撑结构和多个基底子单元,支撑结构包括多个容纳空间,至少部分基底子单元位于容纳空间内;第一布线层,位于基底子单元的第一侧;第二布线层,位于基底子单元的第二侧,沿...
  • 本发明公开了一种金属化陶瓷基板,包括:陶瓷基体与组装在陶瓷基体两侧的覆铜层,在陶瓷基体与覆铜层之间,设置有一个由具有择优取向的α‑Ti薄膜与Cu‑Sn焊膏反应形成的连续、均匀的金属间化合物过渡层。还公开了一种金属化陶瓷基板的制备方法。本发明...
  • 本申请实施例涉及半导体技术领域,具体涉及一种封装基板及其制作方法、半导体器件和电子设备。本申请旨在解决无法同时保证封装基板的互联密度和强度,导致封装基板的可靠性降低的问题。本申请实施例提供一种封装基板,包括基板、第一玻璃芯板和第一布线层,基...
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