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最新专利技术
  • 汽车车身电泳涂装机构及涂装方法
    汽车车身电泳涂装机构及涂装方法_大连华泰臣科技服务有限公司_202511693492.1
    本申请公开了汽车车身电泳涂装机构及涂装方法，包括：电泳槽，所述电泳槽的内壁处固定设置有内腔电泳增强组件，所述内腔电泳增强组件由移动支撑部和阳极头构成，所述移动支撑部用于带动阳极头进行移动，所述电泳槽的上侧处固定连接有翻转式车体固定工装，本申...
    2026-04-15
  • 一种提高粘结钕铁硼磁体表面性能的方法
    一种提高粘结钕铁硼磁体表面性能的方法_宁波韵升股份有限公司_202511403889.2
    本发明公开一种提高粘结钕铁硼磁体表面性能的方法，步骤如下，将真空浸渗罐中注入胶水，将工件放入真空浸渗罐中，真空浸渗罐进行真空保压，完成保压后，进行卸压，取出工件，并将工件进行多级清洗，利用挂具对工件进行第一次装挂，对工件与挂具进行前处理，将...
    2026-04-15
  • 一种工件篮可调的电镀槽
    一种工件篮可调的电镀槽_山王电子(无锡)有限公司_202511525871.X
    本发明涉及电镀槽技术领域，具体涉及一种工件篮可调的电镀槽，它包括：电镀槽本体，所述电镀槽本体的内部设置有工件放置篮，所述工件放置篮的两端设置有与工件放置篮相固定的侧壁连接块，所述电镀槽本体的两侧设置有调节机构，所述调节机构包括连接件、调节板...
    2026-04-15
  • 一种导电粉末滚镀装置及电镀方法
    一种导电粉末滚镀装置及电镀方法_深圳顺络电子股份有限公司_202511802261.X
    本发明提供一种导电粉末滚镀装置及电镀方法。所述导电粉末滚镀装置包括：电镀池(2)，用于容纳电镀液；阳极(21)，设置在所述电镀池(2)内，用于接入电源正极；阴极滚筒(6)，用于装载待电镀的导电粉末，其筒内壁为导电材质；滚筒导电机构(5)，与...
    2026-04-15
  • 一种镍钛合金电化学抛光液及其制备方法
    一种镍钛合金电化学抛光液及其制备方法_利博(常熟)合金材料有限公司_202511814496.0
    本发明涉及电化学抛光液技术领域，具体为一种镍钛合金电化学抛光液及其制备方法，镍钛合金电化学抛光液按质量份计包括以下组分：氨基磺酸20～25份，柠檬酸10～15份，氟化氢铵2.5～3.5份，氟硼酸钠0.5～1.2份，钼钒复合钝化剂0.8～1....
    2026-04-15
  • 一种精工钼丝智净集成设备
    一种精工钼丝智净集成设备_成都虹波实业股份有限公司_202511609226.6
    本发明涉及钼丝清洗技术领域，公开了一种精工钼丝智净集成设备，包括机架和若干与机架滑动连接的钼丝清洗台，钼丝在钼丝清洗台上依次通过放线机构、矫直机构、清洗机构、烘干机构和收线机构完成清洗。放线机构包括放线磁粉电机和与放线磁粉电机传动连接的放线...
    2026-04-15
  • 一种基于尺寸调控的失效电池正极材料直接再生方法及应用
    一种基于尺寸调控的失效电池正极材料直接再生方法及应用_武汉理工大学_202511564260.6
    本发明公开了一种基于尺寸调控的失效电池正极材料直接再生为单晶高压正极的方法及应用。该方法包括将失效电池多晶NCM正极材料与低熔点熔融盐混合，经低温预烧结补锂后，再通过高温退火实现晶粒尺寸调控与结构优化，最终获得具有单晶结构的高压正极材料。该...
    2026-04-15
  • 一种大尺寸磷化铟单晶制备炉芯
    一种大尺寸磷化铟单晶制备炉芯_华冠半导体(河源)有限公司_202511609921.2
    本发明属于晶体烧结设备技术领域，提供一种大尺寸磷化铟单晶制备炉芯，包括石英杜瓦管；支撑组件，支撑组件用于竖向支撑石英杜瓦管，支撑组件包括从内到外次设置的第一支撑件、第二支撑件和第三支撑件，第一支撑件用于支撑石英杜瓦管的底部，第二支撑件用于支...
    2026-04-15
  • 一种大尺寸N型单晶硅的掺杂方法及应用
    一种大尺寸N型单晶硅的掺杂方法及应用_四川高景太阳能科技有限公司_202511801407.9
    本发明涉及光伏单晶硅制造技术领域，具体而言，涉及一种大尺寸N型单晶硅的掺杂方法及应用。该方法包括：在惰性气氛的保护下，将硅料和掺杂元素进行熔融处理；掺杂元素包括：锑、磷、砷和铋；进行晶体生长，在所述晶体生长过程中施加轴向磁场，控制放肩阶段的...
    2026-04-15
  • 用于改善功率器件正向压降的单晶硅制备方法、功率器件及单晶硅
    用于改善功率器件正向压降的单晶硅制备方法、功率器件及单晶硅_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511523976.1
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种用于改善功率器件正向压降的单晶硅制备方法、功率器件及单晶硅，方法包括在直拉法拉制单晶硅棒时，通过控制等径过程中的拉晶参数和冷却参数，生长晶向为<111>的单晶硅棒，拉晶参数和冷却参数被配置为：能...
    2026-04-15
  • 一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置
    一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置_科芯半导体科技(凉山州)有限公司_202511667285.9
    本发明涉及一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置，包括处理单元、石墨坩埚以及设置于石墨坩埚竖向底面的姿态调节机构。石墨坩埚连接有氩气腔以实现内部封闭环境的压力平衡；处理单元基于石墨坩埚测温孔检测数据与内部温度场、自然对流场模拟结果，通过姿态...
    2026-04-15
  • 一种有机-无机杂化钙钛矿薄膜及其外延生长方法和微纳激光器
    一种有机-无机杂化钙钛矿薄膜及其外延生长方法和微纳激光器_中国科学技术大学苏州高等研究院_202511548338.5
    本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿薄膜及其外延生长方法和微纳激光器，所述外延生长方法包括以下步骤：在化学气相沉积系统中，将有机源材料置于加热上游区，无机源材料置于加热中心区，基底置于加热下游区，对加热中心区进行加热，在基底表面外延生长有机‑...
    2026-04-15
  • 一种氮化硼坩埚和杂质释放实时监测方法
    一种氮化硼坩埚和杂质释放实时监测方法_季华实验室_202512014440.3
    本发明提供了一种氮化硼坩埚和杂质释放实时监测方法，涉及氮化硼坩埚技术领域。本发明的氮化硼坩埚包括坩埚基体，坩埚基体的内表面覆盖有阻隔层，且坩埚基体内部通过掺杂杂质捕获材料形成杂质陷阱区域，杂质陷阱区域用于捕获从坩埚基体扩散出来的杂质。本发明...
    2026-04-15
  • 半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品
    半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品_上海车仪田科技有限公司_202511999718.0
    本申请提供了一种半导体外延生长的控制方法、系统、控制装置及相关产品，涉及半导体检测技术领域，本申请实时获取反射光谱数据并解析得到光学特征集，再将光学特征集输入光学传输模型中进行迭代优化，得到预测生长速率；将预测生长速率与目标生长速率进行比较...
    2026-04-15
  • 一种外延生长工艺控制方法及系统
    一种外延生长工艺控制方法及系统_季华实验室_202512003097.2
    本申请涉及半导体制造技术领域，本申请提供一种外延生长工艺控制方法及系统，其包括获取生长工艺运行参数；对生长工艺运行参数进行分析，得到工艺阶段分析结果；当工艺阶段分析结果为外延生长阶段时，则获取晶圆表面的实时性能参数；根据实时性能参数和预设的...
    2026-04-15
  • 源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质
    源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质_季华实验室_202512032275.4
    本申请属于杂质监测的技术领域，公开了一种源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：实时获取源炉加热过程中的主源材料的实时主源质谱信号和硅氧类杂质的实时杂质原始质谱信号，根据实时主源质谱信号和实时杂质原始质谱信号，结合源炉...
    2026-04-15
  • 一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法
    一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法_淮阴师范学院_202511257787.4
    本发明涉及一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法，属于硅基纳米材料制备领域。该方法包括如下步骤：取向单晶硅衬底进行超声清洗；在其背面通过脉冲电化学刻蚀制备孔隙率梯度分布的多孔硅牺牲层；经氢等离子体钝化处理后，在其表面低温沉积单晶硅纳米...
    2026-04-15
  • 一种分段式化学气相沉积法制备高致密TaC涂层的方法
    一种分段式化学气相沉积法制备高致密TaC涂层的方法_湖南顶立科技股份有限公司_202511535392.6
    本发明公开了一种分段式化学气相沉积法制备高致密TaC涂层的方法，所述方法包括以下步骤：S100、选用基体材料并进行预处理，去除基体材料表面杂质；S200、在第一预设温度和第一预设压力下，通过化学气相沉积法在基体材料上沉积第一预设厚度且呈柱状...
    2026-04-15
  • 碳晶材料和正极铅膏及其制备方法、正极极板与铅酸蓄电池
    碳晶材料和正极铅膏及其制备方法、正极极板与铅酸蓄电池_九号智能(常州)科技有限公司_202511478847.5
    本发明提供了碳晶材料和正极铅膏及其制备方法、正极极板与铅酸蓄电池，属于铅酸蓄电池技术领域。所述碳晶材料通过“碳源‑催化剂复合前驱体制备、纳米模板真空浸渍、惰性气氛两步碳化、酸法去模板”的工艺制备得到。所述碳晶材料兼具外部“纳米纤维的形态”与...
    2026-04-15
  • 颗粒硅的处理方法、组件和装置
    颗粒硅的处理方法、组件和装置_宁夏中环光伏材料有限公司_202511587087.1
    本发明提供一种颗粒硅的处理方法、组件和装置。根据本发明颗粒硅的处理方法，将颗粒硅至少分两个集合单元放置进行加热处理，集合单元之间设置间隙。本发明的处理方法与现有技术相比，将颗粒硅分集合单元放置，集合单元之间设置间隙，使得颗粒硅受热更加均匀，...
    2026-04-15
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