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最新专利技术
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411117203.9
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，涉及集成电路领域，制作方法通过形成电容孔组并定义电容孔组的电容孔的数量，以使形成的存储单元包括一个晶体管与至少两个铁电电容器，提升了存储密度，提高了半导体结构的存储能力；并通过形成铁电层与第一...
    2026-03-19
  • 铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置
    铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置_长鑫科技集团股份有限公司_202411183485.2
    一种铁电存储器、三维铁电存储器及三维铁电存储装置，该铁电存储器包括第一字线、第一位线、第一晶体管、第一铁电电容对；第一铁电电容对包括第一铁电电容和第二铁电电容，第一铁电电容和第二铁电电容沿第一方向延伸；第一晶体管的控制端与第一字线连接，第一...
    2026-03-19
  • 存储器装置和该存储器装置的操作方法
    存储器装置和该存储器装置的操作方法_三星电子株式会社_202511118713.2
    一种存储器装置包括：位线，其在第一水平方向上延伸；竖直沟道层，其在位线上在竖直方向上延伸；均在竖直方向上延伸的第一介电层和第二介电层，且竖直沟道层位于第一介电层与第二介电层之间；彼此面对的一对字线，且竖直沟道层、第一介电层和第二介电层位于一...
    2026-03-19
  • 一种铁电电容的制备方法
    一种铁电电容的制备方法_温州核芯智存科技有限公司_202511742132.6
    本发明涉及一种铁电电容的制备方法，本发明主要目的在于采用磁控溅射工艺在电容孔底部沉积一层致密的TiN薄膜并去氧化层，使得TiN薄膜的电阻率仅为50～100uΩ·cm，其远低于氮化钽的电阻率，有效降低下电极与铜衬垫之间的接触电阻，提高存储器的...
    2026-03-19
  • 一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法
    一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法_西安电子科技大学_202511765572.3
    本发明涉及半导体存储器技术领域，特别涉及一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法；铪锆氧铁电介质层包含掺杂有二氧化锆的二氧化铪，二氧化锆的层数为二氧化铪与二氧化锆总层数的50%~70%，铪锆氧铁电介质层表面通过离子注入工艺注入He...
    2026-03-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411164754.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上；第一互连结构，位于所述第一介质层内；第一器件，位于所述第一介质层内，且所述第一器件覆盖在所述第一互连结构的底部和侧壁上，所述第一器件包括堆叠的第一...
    2026-03-19
  • 包含有磁隧穿结和电感的半导体结构
    包含有磁隧穿结和电感的半导体结构_联华电子股份有限公司_202411232947.5
    本发明公开一种包含有磁隧穿结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)和电感的半导体结构，包含一基底，基底上定义有的一元件区以及一电感区，一磁隧穿结(MTJ)位于元件区内，其中磁隧穿结包含有一第一MTJ材料层，以及一电感...
    2026-03-19
  • 磁存储器件以及制造该磁存储器件的方法
    磁存储器件以及制造该磁存储器件的方法_三星电子株式会社_202511160786.8
    一种磁存储器件，包括：衬底；基底绝缘膜，在衬底上；磁隧道结元件，包括在基底绝缘膜上的第一磁性图案和第二磁性图案以及位于第一磁性图案与第二磁性图案之间的隧道势垒图案；上电极图案，在磁隧道结元件的上表面上；封盖结构，包括顺序堆叠在磁隧道结元件的...
    2026-03-19
  • 存储器件及其制备方法
    存储器件及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511804885.5
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器件及其制备方法，包括：半导体结构，包括基底、位于基底上的至少一层金属层和位于至少一层金属层上的第一互连层，第一互连层包括至少一个第一互连结构；位于半导体结构上的第一底电极层，包括至少一个第一底电极...
    2026-03-19
  • 包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法
    包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510223772.X
    本申请提供一种包含至少两个存储器元件的封装结构、组装结构及其制备方法。该封装结构包括一模塑结构、一逻辑元件、一非易失性存储器元件及一易失性存储器元件。该模塑结构包括一存储器控制器元件、一互连元件及封装该存储器控制器元件及该互连元件的一封装剂...
    2026-03-19
  • 封装结构
    封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202510487639.5
    本发明提供一种封装结构。所述封装结构包含第一电子组件及第二电子组件以及数据存取结构。所述数据存取结构部分地安置于所述第一电子组件与所述第二电子组件之间的间隙中。所述数据存取结构包含逻辑部分及存储部分。所述逻辑部分及所述存储部分中的一者在所述...
    2026-03-19
  • MIM电容及其制作方法
    MIM电容及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411156300.9
    本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成下电极；进行热处理在所述下电极表面形成表面处理层；在所述表面处理层上形成介电质层。本发明通过对下电极表面进行热处理使得下电极表面形成表面处理层，由此改善下电极表面...
    2026-03-19
  • 一种ε-Ga2O3/金刚石异质结二极管
    一种ε-Ga2O3/金刚石异质结二极管_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202411141191.3
    本公开属于半导体技术领域，提供了一种ε‑Ga2O3/金刚石异质结二极管。其包括从下至上层叠设置的阳极金属层、p型金刚石衬底、n型ε‑Ga2O3外延层和阴极金属层；当衬底由p‑或p‑/p+金刚石组成时，外延层由n‑、n+或n‑/n+型ε‑Ga...
    2026-03-19
  • 一种快恢复二极管及其制作方法
    一种快恢复二极管及其制作方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511806579.5
    本发明涉及一种快恢复二极管及其制作方法，包括以下步骤：在n型基板正面的有源区上淀积硬掩模，并在硬掩膜上刻蚀出注入窗口；通过窗口向n型基板正面注入p型杂质，热扩散形成p‑阱；刻蚀硬掩模和n型基板，在n型基板上形成凹槽；n型基板正面注入p型杂质...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_新唐科技股份有限公司_202510047563.4
    本发明提供半导体装置。半导体装置包括基板、外延层、第一高压阱、第一掺杂区、栅极介电层及栅极电极。基板具有第一导电类型。外延层设置于基板上，且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一高压阱设置于外延层中，且具有第二导电类型。第一掺杂区设置于...
    2026-03-19
  • 一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片
    一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511531675.3
    本发明实施例提供了一种超结绝缘栅双极型晶体管、超结绝缘栅双极型晶体管的制作方法和芯片，该超结绝缘栅双极型晶体管可以包括：沿第一方向交替排列的第一截面区和第二截面区；所述第一截面区和所述第二截面区均包括集电极、集电区、缓冲层、外延层、超结P柱...
    2026-03-19
  • 一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片
    一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511533422.X
    本发明实施例提供了一种逆导型IGBT器件、制造方法和芯片, 包括N型衬底；多个沿横向间隔排列且相互平行的沟槽, 栅氧化层，位于各个沟槽的侧壁和底部；多晶硅层，位于栅氧化层之上，并填充沟槽的内部空间；掩埋P层，载流子存储N层，P型阱，N+电子...
    2026-03-19
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511533415.X
    本申请提供了一种半导体器件制备方法，方法包括：在基底上镀覆形成掩膜层，掩膜层的厚度为1000埃~10000埃；在掩膜层中形成第一开口，通过第一开口对基底进行刻蚀，以在基底中形成初级沟槽；在初级沟槽的沟槽底部进行离子注入，以形成包裹初级沟槽底...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510769417.2
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可包括高集成存储单元，用于制造该半导体装置的方法可包括：在衬底之上形成多个初步纳米片，在初步纳米片之间设置有第一水平间隙；形成间隔层，其环绕初步纳米片的部分并在初步纳米片之间限定第二水平间隙；形成...
    2026-03-19
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_王佩如_202510810070.1
    本揭示涉及功率组件及其制造方法。本揭示提供一种半导体组件的制造方法，包含下列步骤：提供一半导体基板；在所述半导体基板上成长一外延层；在所述外延层上形成一绝缘层；在所述绝缘层上成长一金属掩膜层，其中所述金属掩膜层包括一离子注入阻挡区及一离子注...
    2026-03-19
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