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最新专利技术
  • 一种曲面太阳能电池膜层刻蚀方法及系统
    一种曲面太阳能电池膜层刻蚀方法及系统_湖北万度光能有限责任公司_202511583333.6
    本发明提供了一种曲面太阳能电池膜层刻蚀方法及系统，该方法包括：获取置于曲面太阳能电池膜层刻蚀系统的定位平台上的第一覆膜曲面电池片的三维扫描图像；将第一刻线曲面映射到三维扫描图像上，得到第一目标三维图像；根据曲面太阳能电池膜层刻蚀系统的振镜动...
    2026-03-18
  • 一种光伏二极管贴锡片机
    一种光伏二极管贴锡片机_无锡固翌智能科技有限公司_202511621485.0
    本发明公开了一种光伏二极管贴锡片机。包括机架主体以及设置在机架主体台面上的产品上料机构、产品输送道机构、刷胶机构、锡片上料机构、锡片贴片机构、产品出料机构；所述产品上料机构设置在产品输送道机构入口处，所述刷胶机构、锡片贴片机构依次设置在产品...
    2026-03-18
  • 一种电池片边缘钝化上料及划片下料双模块设备
    一种电池片边缘钝化上料及划片下料双模块设备_无锡江岚智能装备有限公司_202511625021.7
    本申请涉及一种电池片边缘钝化上料及划片下料双模块设备，其包括机体，机体上依次设置有备用机构、堆叠电池片的下料组件、校验电池片堆叠平整度的检验机构、配装堆叠电池片的配装机构和规整电池片的规整组件，机体上设置有若干输送通道，备用机构包括备料组件...
    2026-03-18
  • BC类电池成串设备、方法及电池串
    BC类电池成串设备、方法及电池串_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202511717581.5
    本发明提供一种BC类电池成串设备、方法及电池串，其中成串设备，包括电池成串平台、分别处于电池成串平台的电池片上料工位的相对两侧的两组半串预制平台、分别处于各组半串预制平台的上游侧的两组预排布平台、两组电池片上料机构、两组第一搬运机构及第二搬...
    2026-03-18
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511724777.7
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：电池串，电池串包括多个沿第一方向分布的电池片，电池片包括中心区以及位于中心区沿第一方向相对两侧的边缘区，相邻电池片经由沿第二方向间隔排布的多根焊带电连接，第二方向垂直于第一方向，边缘区以及中...
    2026-03-18
  • 电池片剔除补片装置
    电池片剔除补片装置_无锡江岚智能装备有限公司_202511761737.X
    本申请涉及电池片加工生产领域，尤其是涉及一种电池片剔除补片装置，包括机架、共线布置在机架上的固定传送带和活动传送带，活动传送带的首端铰接于机架上，机架上铰接有电连接于控制系统的气缸，气缸的活塞杆铰接于活动传送带，固定传送带下方靠近活动传送带...
    2026-03-18
  • 一种硅片边缘钝化生产线及其方法
    一种硅片边缘钝化生产线及其方法_江西汉可泛半导体技术有限公司_202511775232.9
    本发明涉及一种硅片边缘钝化生产线，包括：料盒上下料区，其将装载未镀膜硅片料盒安置于载板上并且将装载已镀膜硅片料盒从载板上移出；进出料腔，其用于装载未镀膜硅片料盒的载板的进入和缓存，以及装载已镀膜硅片料盒的载板的送出和缓存；工艺腔，其与所述进...
    2026-03-18
  • 一种柔性多结太阳电池的制备方法
    一种柔性多结太阳电池的制备方法_东南大学_202511775888.0
    本发明公开了一种柔性多结太阳电池的制备方法，在同一反应器中制备GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池外延片，提高多结太阳电池Ge底电池质量。该方法包括步骤1：向反应器腔体中通入高温冲洗气体，进行清洁；步骤2：在GaAs衬底上依次外延生长...
    2026-03-18
  • 一种用于太阳能电池激光转印的复合栅线膜片及成型方法
    一种用于太阳能电池激光转印的复合栅线膜片及成型方法_凯鑫森(上海)功能性薄膜产业股份有限公司_202511778435.3
    本发明公开了一种用于太阳能电池激光转印的复合栅线膜片及成型方法，属于太阳能电池领域。针对现有太阳能电池制备性能差且原料消耗量大的问题，本发明提供了一种用于太阳能电池激光转印的复合栅线膜片，包括基膜层，设置在基膜层上的剥离层；设置在剥离层上的...
    2026-03-18
  • 一种适应于TOPCon电池的叠层隧穿工艺及TOPCon电池结构
    一种适应于TOPCon电池的叠层隧穿工艺及TOPCon电池结构_晋能光伏技术有限责任公司_202511848262.8
    本发明公开了一种适应于TOPCon电池的叠层隧穿工艺及TOPCon电池结构，涉及太阳能电池领域，所述工艺包括通入笑气并控制炉内压力和温度在设定值范围内，通过射频电源进行辉光放电，沉积隧穿氧化层；所述沉积隧穿氧化层过程中依次经过低功率隧穿和高...
    2026-03-18
  • 一种基于MXene透明导电电极的晶硅太阳电池的制备方法
    一种基于MXene透明导电电极的晶硅太阳电池的制备方法_南开大学_202511760537.2
    本发明公开了一种具有MXene透明电极的晶硅太阳电池的制备方法，属于光伏制造技术领域。该方法包括：首先制备MXene分散液；随后在已制备钝化层和载流子传输层的晶硅衬底上，采用溶液法(如喷涂、狭缝涂布)将MXene分散液涂覆于载流子传输层上；...
    2026-03-18
  • 基于紫外脉冲激光的复杂图形电极合金化方法
    基于紫外脉冲激光的复杂图形电极合金化方法_浙江拓感科技有限公司_202610102378.5
    本发明涉及一种基于紫外脉冲激光的复杂图形电极合金化方法，属于红外探测器芯片制造技术领域。在InAs/InAsSb二类超晶格红外中波探测器芯片上对已制备复杂图形的电极进行合金化处理，先将带有复杂图形电极的芯片旋涂光刻胶保护非电极区，在惰性气体...
    2026-03-18
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411623768.4
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一收光衬底及一镀膜层。镀膜层覆盖于收光衬底之上，具有至少一表面与收光衬底上表面非平行。当一外部光信号通过该镀膜层后被该收光衬底吸收并转换成一电信号。
    2026-03-18
  • 背接触电池及其制备方法以及背接触电池组
    背接触电池及其制备方法以及背接触电池组_天合光能股份有限公司_202411902784.7
    本申请提供了一种背接触电池及其制备方法以及背接触电池组。背接触电池包括：硅衬底，硅衬底包括靠近太阳光的衬底正面和背离太阳光的衬底背面；第一掺杂区、隔离区和第二掺杂区，位于衬底背面上，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间具有不同的掺杂元素，隔离区...
    2026-03-18
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_江苏宜兴德融科技有限公司_202511809959.4
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，其中太阳能电池包括：外延结构、反射镜层、背电极金属层以及设置在反射镜层与外延结构之间的隔离层，其中，所述隔离层由非晶态材料组成，且所述隔离层对所述外延结构的底电池的吸收波段内的光的透射率不小于99%，...
    2026-03-18
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610101967.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，背接触电池的第一极性区域上层叠有第一隧穿层和第一掺杂层，第一隧穿层包括第一氮化物层，第一隧穿层上形成有若干孔洞，第一极性区域的表面为绒面，第一极性区域具有若干第一金字塔...
    2026-03-18
  • 一种光转向复合膜、制备方法及其应用
    一种光转向复合膜、制备方法及其应用_凯鑫森(上海)功能性薄膜产业股份有限公司_202511778434.9
    本发明公开一种光转向复合膜、制备方法及其应用，属于光能利用领域。针对现有太阳能电池组件在低角度光照条件光能损失严重的问题，本发明提供一种光转向复合膜，包括依次设置的第一扩散功能层、中间粘结层和第二扩散功能层；第一扩散功能层上设置有第一微结构...
    2026-03-18
  • 受光元件以及受光元件的制造方法
    受光元件以及受光元件的制造方法_住友电气工业株式会社_202510865568.8
    本发明提供一种受光元件以及受光元件的制造方法，受光灵敏度高且不易产生损伤。受光元件具备：衬底，具有硅层；以及光电二极管，由III‑V族化合物半导体形成，与所述硅层接合，所述硅层包含波导、凹部、空隙以及壁，所述壁设置于所述凹部与所述空隙之间，...
    2026-03-18
  • 一种异质结差异化绒面电池及其制造方法
    一种异质结差异化绒面电池及其制造方法_江苏橙伟通能智能科技有限公司_202511828882.5
    本发明公开了一种异质结差异化绒面电池及其制造方法，该方法依次包括以下步骤：首先对晶硅衬底进行第一次碱制绒，在其双面形成大结构金字塔绒面；其次在管式炉中进行富磷吸杂处理，同步于硅片双面生成一层富磷氧化硅层，该层兼具吸杂提纯和掩膜功能；然后采用...
    2026-03-18
  • 一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的方法
    一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的方法_盐城师范学院_202311114412.3
    本发明公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：S1，生长LED的N型半导体；S2，在N型半导体表面上图形化，且在图形化中生长量子阱或者生长量子阱且图形化量子阱；S3，在图形化中生长P型半导体，...
    2026-03-18
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