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最新专利技术
  • 管理半导体装置中的隔离结构
    管理半导体装置中的隔离结构_长江存储科技有限责任公司_202411392350.7
    本公开内容涉及用于管理半导体装置中的隔离结构的方法、装置和系统。一种示例半导体装置包括沿着第一方向延伸并且沿着正交于第一方向的第二方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。半导体装置还包括沿着第二方向延伸穿过第一堆叠体的栅极线缝隙结构、以及...
    2026-04-23
  • 一种叠层结构Flash的工艺实现方法及Flash芯片
    一种叠层结构Flash的工艺实现方法及Flash芯片_普冉半导体(上海)股份有限公司_202511928271.8
    本发明提供了一种叠层结构Flash的工艺实现方法及Flash芯片，该方法包括步骤：在芯片衬底上定义有源区，有源区包括单元有源区和外围有源区；在单元有源区生长隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上生长第一多晶硅形成浮栅FG；在有源区沉积ONO绝缘层；在...
    2026-04-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610003810.5
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；闪存阵列，所述闪存阵列位于所述衬底上，所述闪存阵列包括字线；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述衬底上，所述第一栅极结构的高度与所述字线的高度相同，并且所述第一栅极结构的材料与所述字线的材料相同...
    2026-04-23
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202610005602.9
    本申请涉及半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成具有彼此交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构；形成穿过层叠结构的第一狭缝；形成穿过层叠结构的第二狭缝；形成在第一狭缝和第二狭缝之间穿过层叠结构的接触孔；形成将...
    2026-04-23
  • 一种Al基化合物ONO堆叠中Ti掺杂存储层的电荷俘获型存储器及其制备方法
    一种Al基化合物ONO堆叠中Ti掺杂存储层的电荷俘获型存储器及其制备方法_华中科技大学_202512003101.5
    本发明涉及半导体存储器技术领域，提出一种Al基化合物ONO堆叠中Ti掺杂存储层的电荷俘获型存储器及其制备方法。该存储器的结构包括：衬底、隧穿层、存储层、阻挡层和电极层；所述隧穿层、存储层、阻挡层依次沉积在衬底表面，在所述阻挡层的表面蒸镀电极...
    2026-04-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411348806.X
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。半导体结构包括：堆叠结构。堆叠结构包括存储串以及沿第一方向堆叠设置的绝缘层和栅极层，存储串沿第一方向贯穿绝缘层和栅极层，其中，第一方向垂直于绝缘层的延伸方向...
    2026-04-23
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411346534.X
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统。所述半导体结构包括：包括交替堆叠设置的第一介质层和复合层的堆叠结构；所述复合层包括：第一导电层和围绕所述第一导电层的铁电层；延伸穿过所述堆叠结构的功能结构。
    2026-04-23
  • 一种铁电存储单元及其制造方法
    一种铁电存储单元及其制造方法_无锡舜铭存储科技有限公司_202610000559.7
    本发明公开一种铁电存储单元，其包括设置于铁电层的中间以及所述铁电层的至少一侧表面的氧化层，且该氧化层的材料和铁电层的材料包括相同的主体元素。通过在电极与铁电层之间、以及铁电层内部插入与铁电层具有相同的主体元素的氧化层，可以调控铁电存储单元中...
    2026-04-23
  • 一种存储元件及存储器
    一种存储元件及存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511909970.8
    本申请公开了一种存储元件及存储器，其中存储元件包括：沿第一方向层叠的第一电极层和第二电极层；位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的存储层，所述存储层具有双向阈值开关特性，所述存储层的材料包括带负电荷的第一离子和带正电荷的第二离子；其中，所...
    2026-04-23
  • 存储器
    存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202512001221.1
    本申请公开了一种存储器，该存储器包括衬底和多个存储单元，多个存储单元在衬底上阵列设置，存储单元包括叠置的第一电极、选通层、第二电极、双向阈值开关层和第三电极，选通层位于第一电极与第二电极之间，双向阈值开关层位于第二电极与第三电极之间。其中，...
    2026-04-23
  • 仅选择存储器及其形成方法
    仅选择存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202512005947.2
    本申请公开了一种仅选择存储器及其形成方法，该仅选择存储器包括衬底、多个存储单元和第一保护层。多个存储单元在衬底上阵列设置，第一保护层位于存储单元的侧壁，第一保护层的材料包括氮化硅，且第一保护层的密度大于或等于2.8g/cm3。由于第一保护层...
    2026-04-23
  • 一种相变存储器
    一种相变存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511869267.9
    本申请公开了一种相变存储器，属于相变存储器技术领域。相变存储器包括：沿第一方向层叠的第一导电层、第一电极层、第一选通层、第一相变存储层、第二电极层和第二导电层；第一相变存储层到第二导电层的距离小于第一相变存储层到第一导电层的距离，第一电极层...
    2026-04-23
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储控股股份有限公司_202411320371.8
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的第一半导体芯片、键合层和第二半导体芯片；其中，所述第一半导体芯片包括至少一个沿所述第一方向延伸的第一导电结构；所述第二半导体芯片包括至少一个沿所述第一方...
    2026-04-23
  • 集成电路和半导体装置
    集成电路和半导体装置_联发科技股份有限公司_202511363369.3
    一种集成电路包括主控晶粒、基底晶粒和至少两个高带宽存储器(HBM)堆栈，其均位于中介层上。主控晶粒包含多个处理器，该至少两个HBM堆栈位于基底晶粒上并通过基底晶粒和中介层与主控晶粒进行通信。该至少两个HBM堆栈和主控晶粒排列成一行，其中，主...
    2026-04-23
  • 半导体封装及制造半导体封装的方法
    半导体封装及制造半导体封装的方法_三星电子株式会社_202511773925.4
    一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
    2026-04-23
  • 一种栅控式半导体耗尽层调制真空可变电容器及其制备方法
    一种栅控式半导体耗尽层调制真空可变电容器及其制备方法_杨荣泉_202512037775.7
    本发明涉及可变电容器技术领域，且公开了一种栅控式半导体耗尽层调制真空可变电容器及其制备方法，包括上电极，由高纯度无氧铜制成，具有倒圆边缘结构；下电极，由无氧铜制成，兼作机械支撑与热沉；设置于上电极与下电极之间的真空绝缘层，真空间隙为；半导体...
    2026-04-23
  • 用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法
    用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法_德克萨斯仪器股份有限公司_202511886779.6
    一种微电子装置(100)包含具有上板(132)和下板(130)的高压部件(104)。在微电子装置的基底(102)的表面处，上板通过上板和低压元件(106)之间的主电介质(136)与下板隔离。下带隙电介质层(140)设置在上板和主电介质之间。...
    2026-04-23
  • GaN功率二极管及其制备方法
    GaN功率二极管及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511867233.6
    本发明提供了一种GaN功率二极管及其制备方法，GaN功率二极管包括外延片，外延片上设有漏极、源极以及栅极，漏极也为GaN功率二极管的阴极；栅极位于漏极和源极之间，包括多个P‑GaN岛结构，栅极与源极通过互联金属短接形成GaN功率二极管的阳极...
    2026-04-23
  • 具有半导体膜的双极晶体管结构及相关方法
    具有半导体膜的双极晶体管结构及相关方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511121994.7
    本公开提供了具有半导体膜的双极晶体管结构及相关方法。本公开的结构包括位于集电极上的内部基极。集电极具有第一掺杂类型。半导体薄膜位于内部基极上并水平地围绕内部基极。半导体膜水平地包封内部基极。具有第一掺杂类型的发射极位于半导体膜的第一部分上。...
    2026-04-23
  • 一种超高压IGBT芯片制备方法
    一种超高压IGBT芯片制备方法_临沂大学_202511974611.0
    本发明提供一种超高压IGBT芯片制备方法，属于IGBT芯片制备技术领域，本发明通过在硅衬底上生长漂移区外延层并采用温度抵接差异矩阵动态调节温场均匀性，对掺杂浓度分布进行浓度回向偏差向量检测，实施牺牲氧化处理后生长栅极氧化层，在硅片背面进行双...
    2026-04-23
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