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  • 本发明属于半导体晶圆清洗设备技术领域,具体地说是一种晶圆翻转机构,包括主框架、旋转驱动件、转动盘及两组上下配合设置的夹持架组件。转动盘转动设置于主框架中,旋转驱动件固定安装于主框架上,旋转驱动件的驱动端与转动盘连接、并带动转动盘在主框架中转...
  • 本发明公开了一种静电卡盘和等离子刻蚀系统,静电卡盘包括:绝缘加热层,用于对待加工件进行加热;基座,与所述绝缘加热层连接,并且所述绝缘加热层与所述基座之间具有密封的移动空间;冷却组件,所述冷却组件和/或所述绝缘加热层能够在所述移动空间内移动,...
  • 本申请涉及一种晶圆调节机构、晶圆传输系统及半导体处理设备。该晶圆调节机构包括:底座;导向组件,所述导向组件的一端与所述底座转动连接,所述导向组件的另一端朝远离所述底座的方向延伸;所述导向组件的外周面用于与传输带上的晶圆接触,所述导向组件在转...
  • 本申请涉及量子芯片加工领域,公开了一种量子芯片加工系统,包括:惰性气体循环设备、真空设备、转移设备、清洗单元、烘干单元,惰性气体循环设备中处于惰性气体气氛,清洗单元和烘干单元设于惰性气体循环设备中;清洗单元用于清洗衬底,去除位于衬底表面的氧...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,基底的顶部形成有第一介电层;在第一介电层的顶部形成核心层;在核心层的侧壁形成掩膜侧墙;去除核心层;对预设刻蚀窗口内的第一介电层进行刻蚀,预设刻蚀窗口沿第一方向横跨掩膜侧墙,以使掩膜侧墙对预设刻蚀窗口...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种晶圆表面刻蚀方法及刻蚀机,该方法包括:向气体混合室内注入调节气体;向气体混合室内通入初始刻蚀气体,利用调节气体对初始刻蚀气体进行调节,获得中性刻蚀气体;将中性刻蚀气体输入至刻蚀腔,对刻蚀腔内的晶圆表面进行...
  • 本发明公开了一种通过刻蚀工艺实现半导体器件表面平坦化的方法及半导体器件,该方法至少包括:提供表面为非平坦化的衬底;在所述衬底上形成表面平坦化的牺牲层;通过刻蚀,去除所述牺牲层以及部分所述衬底材料,以实现所述衬底的表面平坦化;其中,所述衬底的...
  • 本申请请求保护的电子收集装置及散热方法、X射线管,电子收集装置包括电子收集极,电子收集极具有壳壁,壳壁包括内壳壁和外壳壁,内壳壁的至少一部分用于收集背散射电子;壳壁合围形成有密闭腔室,密闭腔室内设置有非气态的相变介质,非气态的相变介质与内壳...
  • 本发明提供一种断路器,包括外壳及内部元件,所述内部元件至少包括上灭弧室、下灭弧室、双断点触头系统、第一接线端子、第二接线端子、过载脱扣器、机构、转轴,所述双断点触头系统包括单断点动触头、双断点动触头和静触头,所述机构驱动至少一个转轴所述双断...
  • 本申请公开了一种继电器的控制电路、继电器系统及用电设备。该继电器的控制电路包括电源、第一分压支路、第二分压支路,第一分压支路的两端分别与电源及继电器的线圈连接,第二分压支路的两端分别与电源及继电器的线圈连接,第一分压支路的阻值大于第二分压支...
  • 提供一种用于磁保持继电器的驱动电路,包括基准电压电路,用于提供基准电压;电容器,包括用于接收控制信号的第一端以及用于接收所述基准电压的第二端;第一比较电路,用于接收所述电容器第二端的电压,并将其与第一阈值电压进行比较,当所述电容器第二端的电...
  • 本申请公开了一种超级电容器及其制备方法,所述超级电容器包括:离子液体基电解液、隔膜、电极;所述离子液体基电解液包括离子液体;所述离子液体的电化学窗口大于3V,熔点低于60℃,沸点高于300℃;所述电极包括正极和负极。本申请提供的超级电容器是...
  • 本发明涉及一种高电阻率热压钐钴永磁体及其制备方法,该磁体由钐钴基合金和包覆该磁体主相晶粒的无机纳米绝缘材料组成。该钐钴基合金为SmCo5、Sm2Co17、Sm2
  • 本申请公开一种导电双极板生产线及导电双极板的生产方法,包括自上游向下游依次设置的进料机构、挤出机构、成型机构以及成品收集机构;进料机构包括密炼机、提升机和双螺杆喂料机;挤出机构包括挤出机和挤出模具;成型机构包括辊压成型机、辊温控制器、冷却托...
  • 本发明提供了一种防腐蚀复合型缆绳,包括:副缆芯和内保护层,所述副缆芯外侧面固定连接内保护层,而内保护层的外侧面固定连接外保护层,且副缆芯由内芯和耐腐蚀层组成,而内芯的表面固定连接耐腐蚀层,所述内保护层由绝缘层、防水层和抗菌层组成,而绝缘层固...
  • 本公开涉及人工智能技术领域,提供了一种问诊回复方法、问诊回复装置、计算机存储介质、电子设备,其中,问诊回复方法包括:响应于检测到用户输入的问诊问题,获取包含所述问诊问题的上下文语句,并确定与所述问诊问题具备预设关联关系的医学知识;将所述问诊...
  • 本发明公开的一种轧制产品的合金成本优化方法,包括如下步骤:1:根据轧制产线上的历史轧制产品的合格率确定合金成本待优化的钢种;2:基于多元线性回归得到各力学性能预测模型和模型标准差;3:在工艺要求的约束下,将待优化的钢种中的各元素组分由连续数...
  • 本发明提供了一种利用竞争性等位基因特异性PCR技术鉴定先导基因编辑效率的方法。本发明发现先导编辑样本DNA库的KASP荧光信号报告点与阴性对照的报告点连线后,该连线会与KASP分型实验结果的坐标轴(分别代表编辑前原始DNA的荧光报告轴和编辑...
  • 本申请提供了一种存储阵列、存储器、存储芯片和电子设备,不仅能够提高存储阵列的集成度和存储密度,而且可以降低存储阵列的集成难度和工艺难度。存储阵列可以包括第一存储模块和N1条第一位线。其中,第一存储模块可以包括N1条字线和N2条假字线。N1条...
  • 本申请公开了一种控制方法及双倍速率同步动态随机存储器DDR,所述方法包括:在接收到双倍速率同步动态随机存储器DDR的调压调频指令的情况下,保持所述DDR的目标接口处于开启状态,所述目标接口处于所述开启状态下能够继续接收针对所述DDR的读写指...
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