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  • 本发明公开了一种多动力船的动力锂电池装置的运行控制方法,包括如下步骤:步骤一:系统启动;步骤二:控制模式配置;将其运行控制模式分为零排放模式、多动力源协同模式、能量回收模式和航行路线优化模式;步骤三:数据采集与处理;步骤四:控制参数识别与决...
  • 本申请实施例涉及二次电池领域,提供一种二次电池的制备方法、二次电池、储能系统和用电设备。该方法包括:获取极片表面的金属粉尘量以及金属粉尘种类;根据金属粉尘量,确定金属粉尘的粉尘量级是否为第一粉尘量,第二粉尘量对应的金属粉尘量大于第一粉尘量对...
  • 本发明公开一种在圆柱电池的集流片极耳上精准包胶的设备,包括包胶台,包胶台上设置有多个包胶单元,每一包胶单元内均包括有定位座、吸料头、仿形定位机构、移栽吸胶吹气机构、滑台机构及滚轮包胶机构;吸料头设置在定位座上方并由外接机械手或外接设备驱动,...
  • 本发明涉及电化学储能技术领域,特别是涉及一种基于低共熔溶剂的新型高熵电解液及其在低温二次电池、超级电容器等电化学器件中的应用。本发明的低共熔溶剂高熵电解液由至少五种低共熔溶剂组成;所述低共熔溶剂由氢键受体和氢键供体组成;所述氢键受体为氯化胆...
  • 本发明公开了一种基于PVDF‑HFP的非对称固态电解质、制备方法及应用,包括以下步骤:步骤1:在PVDF‑HFP悬浊液中加入UiO‑66充分混合得到混合液A;步骤2:在PVDF‑HFP悬浊液中加入甲酸和正硅酸乙酯充分混合得到混合液B;步骤3...
  • 本发明公开了一种硼基镁盐固态电解质的制备方法及其应用,属于镁电池固态电解质技术领域。本发明的技术方案要点为:在无水无氧的条件下将硼氢化镁Mg(BH4)2和无水乙醚溶剂加入到不锈钢球磨罐中,于室温在...
  • 本发明提供了一种二次电池及其制备方法、储能系统和用电设备,涉及储能技术领域。隔膜包括聚乙烯基膜、第一涂层和第二涂层;第一涂层设置在聚乙烯基膜的两侧表面上,第一涂层的材料包括第一碳纳米管、石蜡层和聚多巴胺‑聚乙烯亚胺层,聚多巴胺‑聚乙烯亚胺层...
  • 本发明提供一种圆柱电芯包胶装置,包括:电芯输送机构和电芯托举机构;所述电芯输送机构用于输送圆柱电芯;所述电芯托举机构用于驱动圆柱电芯升降和转动,所述电芯托举机构设置在所述电芯输送机构的侧部,其中,所述电芯托举机构包括第一支撑组件、第二支撑组...
  • 本发明提供了一种燃料电池系统及运行方法,包括:燃料电池电堆,布置于所述燃料电池系统的顶部;燃料电池系统输出控制器,为直流变压器DCDC,布置于所述燃料电池电堆的下方;燃料电池系统BOP部件,包括空压机、水泵、中冷器及增湿器,布置于所述燃料电...
  • 本发明公开了一种半浸没式燃料电池模块及温度控制方法,包括:电池堆、冷却液、封装结构以及耐压透水透气膜,所述电池堆设置于封装结构内,且电池堆的开孔端板作为封装结构的侧板或底板;所述电池堆中除开孔端板外的部分均浸没在冷却液中,并通过耐压透水透气...
  • 本申请实施例提供一种高镍电芯用正极箔材和电芯,正极箔材包括:PET层,其在超过预设温度时熔缩以切断导电通路,并可减轻箔材整体重量、提升能量密度;铝箔层设置在PET层的正反两面,密度大于PET层;复合材料层涂覆于铝箔层背离PET层的表面,包括...
  • 本发明公开了一种磷酸铁锂正极材料及其制备方法与电池,属于电池材料技术领域。该磷酸铁锂正极材料包括内核以及包覆于内核表面的外壳;内核为磷酸铁锂,外壳为掺杂有纳米三氧化钨的多孔炭。其制备包括:将磷酸铁锂与掺杂有纳米三氧化钨的多孔炭混合后烧结。通...
  • 本发明属于新能源技术领域,具体涉及一种用于强化铵离子存储的双阳离子空位钴镍基氢氧化物电极的制备方法。首先在碳布上通过水热法生长钴镍钼氢氧化物纳米片阵列,随后利用碱液介导的电化学刻蚀策略同时移除钼和部分氢组分。层板中钼金属的移除不仅增加了离子...
  • 本发明涉及锂离子电池领域,具体公开了一种应用于锂电硅碳负极的废料微米硅高值转化制备方法;本发明采用电化学原位嵌入制备碱金属硅合金,并以此为前驱体还原二氧化碳,对碱金属进行原位替换,生成具有高比容量的具有介孔结构的硅碳复合负极材料,通过控制电...
  • 本申请提供一种电极材料的混合方法、电极膜片的制备方法、电池极片、电池及电子设备。电极材料的混合方法包括:获取低温处理后的活性物质;将低温处理后的所述活性物质与导电剂进行第一搅拌处理,得到第一混合物;获取低温处理后的粘结剂;将所述第一混合物与...
  • 本公开实施例提供了一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器,存储芯片包括衬底和n个导电通孔组,每一导电通孔组均包括第一导电通孔~第四导电通孔、第一重分布接触结构~第四重分布接触结构;第一重分布接触结构与第一导电通孔沿第三方向的投影至少部分重叠,第...
  • 本发明属于散热技术领域,公开了一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构,包括:并联SiC模块基板、射流冲击散热底板、射流冲击扰流板、通孔、流体出口、密封槽、流体入口、螺纹孔、水冷板、微通道结构、上部扰流板、下部扰流板;本发明采用本射...
  • 本发明属于功率半导体器件封装技术领域,尤其涉及一种抗过流双柔性缓冲层封装SiC MOSFET器件,本发明中,通过在SiC MOSFET芯片的上下两侧分别设置上缓冲层以及下缓冲层,在上缓冲层与下缓冲层相互远离的一侧分别设置上DBC基板以及下D...
  • 本发明提供了一种晶圆缺口定位装置,属于半导体制造技术领域。包括:基座,一侧面上设置有限位件;定位板,安装在基座上,定位板的第一侧面上具有一条垂直于水平面的刻度线;定位组件,定位组件包括:固定部、杆件和定位头,固定部安装在第一侧面上,杆件竖直...
  • 本发明涉及晶圆搬运设备技术领域,尤其是指一种晶圆搬运设备及方法,包括搬运架、安装于搬运架的驱动机构、至少两个与驱动机构连接的机械臂、与机械臂末端连接并用于夹取晶圆的执行器、用于防止水渗入驱动机构的第一防水组件及用于防止水渗入执行器的第二防水...
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