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最新专利技术
  • 一种自动搅拌的药材加工设备及其方法
    一种自动搅拌的药材加工设备及其方法_内蒙古民族大学_202510617357.2
    本发明涉及药材加工技术领域，具体涉及一种自动搅拌的药材加工设备及其方法，设备包括承载箱，包括承载箱，承载箱内固定连接有清洗箱、搅拌箱和干燥箱，搅拌箱内设有阻隔组件；承载箱内底壁固定连接有电机，电机信号连接有智能系统，电机的输出轴顶端同轴固定...
    2025-12-02
  • 一种矿山除尘降尘设备
    一种矿山除尘降尘设备_浙江秦核环境建设有限公司_202510618353.6
    本申请公开了一种矿山除尘降尘设备，属于除尘技术领域。本申请包括一车体、设于车体上的机架、设于机架上的水箱、以及一出水模块，所述出水模块包括一固定盘、滑动安装在固定盘上的数个滑移杆、设于滑移杆上的喷头、用于将水箱内的水送入喷头的送水组件、与固...
    2025-12-02
  • 注射器组件、灌装方法和使用方法
    注射器组件、灌装方法和使用方法_南京巴特弗莱医药包装材料有限责任公司_202510620322.4
    本发明公开了一种注射器组件、灌装方法和使用方法，注射器组件包括直通针管、中部活塞和盖体组件，直通针管内形成有注射腔，两端分别形成有第一开口和第二开口；中部活塞和底部活塞，中部活塞位于底部活塞上方且将注射腔分隔为第一腔体和第二腔体，锁盖本体设...
    2025-12-02
  • 基于机器学习的引流管引流状态智能监测控制系统
    基于机器学习的引流管引流状态智能监测控制系统_安徽医科大学第一附属医院_202510621263.2
    本发明公开了基于机器学习的引流管引流状态智能监测控制系统，涉及引流管引流状态监测控制技术领域。该系统包括引流状态预分析模块，基于获取的引流管数据对引流管引流状态进行初步异常分析，若不存在异常，则基于下一时刻的引流管数据继续进行初步异常分析，...
    2025-12-02
  • 丹叶大黄素在制备预防或治疗药物性肝损伤药物中的应用
    丹叶大黄素在制备预防或治疗药物性肝损伤药物中的应用_浙江中医药大学_202510618476.X
    本发明丹叶大黄素在制备预防或治疗药物性肝损伤药物中的应用，该肝损伤为对乙酰氨基酚所诱导的药物性肝损伤。本发明采用中药大黄中的有效成分丹叶大黄素来预防和治疗对乙酰氨基诱导的药物性肝损伤，具有安全可靠，毒副作用小的特点。从整体出发，多靶点干预对...
    2025-12-02
  • 一种用于手臂骨折儿童的康复锻炼装置
    一种用于手臂骨折儿童的康复锻炼装置_深圳市儿童医院_202510616428.7
    本发明涉及康复锻炼装置技术领域，且公开了一种用于手臂骨折儿童的康复锻炼装置，包括固定支座和安装在固定支座右侧的一号安放座，二号安装座通过活动杆与一号安放座铰接，二号安装座的左侧通过弧形板铰接，一号安放座上设置有弧形垫。使得按摩效果同时进行，...
    2025-12-02
  • 一种兔脑干出血模型及其建立方法
    一种兔脑干出血模型及其建立方法_华中科技大学同济医学院附属同济医院_202510616085.4
    本发明公开了一种兔脑干出血模型及其建立方法，其建立方法包括以下步骤：S1：术前准备：选取健康成年新西兰白兔，实验兔术前12小时禁食；S2：手术过程：采用异氟烷气体麻醉，解剖充分暴露颅骨，抽取实验兔动脉血，将自体血注入右侧脑干皮质脊髓束，消毒...
    2025-12-02
  • 基于神经电位波形的神经传导通路量化分析方法以及系统
    基于神经电位波形的神经传导通路量化分析方法以及系统_博策生物医学(天津)有限公司_202510617352.X
    本申请涉及生物医学工程技术领域，公开一种基于神经电位波形的神经传导通路量化分析方法以及系统。系统包括：生物电讯号采集模块，配置为建立表征神经电流随时间变化的时间序列；波形深度学习模块，配置为基于时间序列，利用深度学习算法拟合Aβ神经纤维、A...
    2025-12-02
  • 基于脑电图的癫痫发作自动检测方法、系统、设备及介质
    基于脑电图的癫痫发作自动检测方法、系统、设备及介质_华南理工大学_202510621109.5
    本发明公开基于脑电图的癫痫发作自动检测方法、系统、设备及介质。所述方法包括：将用户待测的一维脑电信号进行预处理，得到多个脑电信号序列，将脑电信号序列输入预训练的同步学习网络，得到分类结果，将分类结果映射回用户的待测一维脑电信号得到癫痫发作的...
    2025-12-02
  • 康养机器人系统、情绪状态识别方法、设备、介质和产品
    康养机器人系统、情绪状态识别方法、设备、介质和产品_光明信科(北京)控股有限公司_202510616812.7
    本发明实施例公开了一种康养机器人系统、情绪状态识别方法、设备、介质和产品，其中，系统包括：机器人本体、配置于机器人本体的图像采集装置和生理信号感应装置，以及信号分析装置；其中，图像采集装置用于采集包含目标对象的连续图像帧；生理信号感应装置为...
    2025-12-02
  • 基于多模态特征的步态分析方法、系统及可读存储介质
    基于多模态特征的步态分析方法、系统及可读存储介质_上海临艾研科技有限公司_202510614624.0
    本发明提供了基于多模态特征的步态分析方法、系统及可读存储介质，该方法包括：在基准时钟下构建各个靶点的刺激信号时序规则；生成刺激信号，并基于预设通道分配矩阵对刺激信号进行分配，并根据刺激信号时序规则将分配后的刺激信号沿对应的刺激通道发送给各个...
    2025-12-02
  • 呼吸事件识别与分类及其模型训练方法
    呼吸事件识别与分类及其模型训练方法_深圳大学_202510619917.8
    呼吸事件识别与分类及其模型训练方法，对收集到的呼吸事件的呼吸信号波形进行标注，获得标注信息包括呼吸事件类型；呼吸事件的呼吸信号波形、特征向量和标注信息，输入呼吸事件识别与分类模型，进行训练；训练后获得呼吸事件识别与分类模型或呼吸事件识别与分...
    2025-12-02
  • 用于肿瘤细胞减灭术衔接腹腔热灌注化疗的麻醉监测系统
    用于肿瘤细胞减灭术衔接腹腔热灌注化疗的麻醉监测系统_天津符讯科技发展有限公司_202510617399.6
    本申请涉及医疗器械技术领域，尤其涉及一种用于肿瘤细胞减灭术衔接腹腔热灌注化疗的麻醉监测系统。系统包括：心肺监测模块，配置为从肿瘤细胞减灭术麻醉引导期开始实时采集待监测对象的心肺重点指标；体温监测模块，配置为实时监测待监测对象的体温，并获取体...
    2025-12-02
  • 一种基于红外热成像系统的病灶定位方法及系统
    一种基于红外热成像系统的病灶定位方法及系统_南京漫鱼医疗技术有限公司_202510615187.4
    本发明属于病灶定位技术领域，具体涉及一种基于红外热成像系统的病灶定位方法及系统。该发明，通过综合温度分布、边缘特征、温度梯度及时域变化信息，结合温度和生理补偿，使得异常温度信息更真实可靠，从而提高了病灶定位的准确性，降低了误诊率，引入患者体...
    2025-12-02
  • 提高芯片分区工艺可靠性的方法
    提高芯片分区工艺可靠性的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510625425.X
    本发明公开了一种提高芯片分区工艺可靠性的方法，在芯片版图中包含第一工艺区域以及第二工艺区域，两部分区域分开进行工艺；在进行第二工艺区域的工艺时对第一工艺区域进行光刻胶覆盖保护；在对第一工艺区域采用光刻胶覆盖保护时，先对第一工艺区域整体进行H...
    2025-12-02
  • 具有非对称图形的半导体器件及其半自对准制备方法
    具有非对称图形的半导体器件及其半自对准制备方法_西安电子科技大学_202510627936.5
    本发明公开了一种具有非对称图形的半导体器件及其半自对准制备方法，涉及微电子技术领域，包括：基板；第一膜层，位于基板的表面上，第一膜层包括间隔排布的结构块；第二膜层，覆盖在结构块暴露出的表面上；第三膜层，紧贴在结构块一侧的第二膜层上，且第二膜...
    2025-12-02
  • 一种沟槽深结非对称结构MOSFET器件
    一种沟槽深结非对称结构MOSFET器件_西安电子科技大学_202510627938.4
    本发明涉及一种沟槽深结非对称结构MOSFET器件，包括：若干个元胞结构，每个元胞结构的形状相同，均为条形元胞结构或方形元胞结构，并且，相邻两个元胞沿垂直于水平方向的中心线非镜像对称设置；每个元胞结构包括：SiC衬底层(1)、N型外延层(2)...
    2025-12-02
  • 集成肖特基二极管的双非对称UMOSFET及制备方法
    集成肖特基二极管的双非对称UMOSFET及制备方法_西安电子科技大学_202510627886.0
    本发明公开了一种集成肖特基二极管的双非对称UMOSFET及制备方法，该UMOSFET包括集成的肖特基结构，肖特基结构设置在双非对称UMOSFET的N+区与P+阱区之间；肖特基结构包括源极沟槽以及设置在源极沟槽内部的肖特基接触，源极沟槽从双非...
    2025-12-02
  • 高性能、低导通电阻的八边形元胞阵列结构及其制备方法
    高性能、低导通电阻的八边形元胞阵列结构及其制备方法_西安电子科技大学_202510627878.6
    本发明公开了一种高性能、低导通电阻的八边形元胞阵列结构及其制备方法，八边形元胞阵列结构包括衬底、叠加于衬底之上的元胞阵列结构、欧姆接触层和栅极结构。元胞阵列结构包括多个周期性排列的元胞结构；元胞结构包括四个对称分布的子元胞结构；子元胞结构包...
    2025-12-02
  • 基于双沟道极化超结的GaN高电子迁移率晶体管及制备方法
    基于双沟道极化超结的GaN高电子迁移率晶体管及制备方法_西安电子科技大学_202510627877.1
    本发明公开了一种基于双沟道极化超结的GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，该晶体管包括衬底层，及依次层叠设置在衬底层一侧的缓冲层、第一P型氮化镓层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层、u‑氮化镓层和第二P型氮化镓层；第二P型氮化镓...
    2025-12-02
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