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  • 本发明提供了一种琥珀蚕茧的煮茧液及琥珀蚕茧的缫丝方法, 属于养蚕业制丝技术领域。一种琥珀蚕茧的煮茧液, 为包含质量百分含量0.1%~0.3%碳酸钾和质量百分含量0.1%~0.3%乙二胺四乙酸的水溶液。本发明基于所述煮茧液开展的琥珀蚕茧的缫丝...
  • 本发明提供一种用于无糖棉花加工的去糖去脂设备及加工方法, 涉及无糖棉花加工技术领域, 包括:辅助排油机构、温度均匀机构和防护控制机构;所述辅助排油机构安装在棉花煮练机构的顶部;所述温度均匀机构共设有五组, 且五组温度均匀机构安装在棉花煮练机...
  • 本发明属于生物医药领域, 涉及一种核酸分子文库及其用于结直肠癌检测的用途。所述核酸分子文库通过包括如下步骤的方法制得:(1)获得一端有锚定引物的核酸分子, 并且所述核酸分子中的一条单链与经过处理的目标核酸分子互补;(2)以步骤(1)的产物为...
  • 本申请公开了基于多模态光电子成像的晶体生长均匀性动态监测方法, 涉及晶体监测技术领域, 包括集成多种光电子成像方法对晶体生长过程进行监测, 得到多模态成像数据;基于深度学习模型对多模态成像数据进行数据融合分析, 计算均匀性指数, 生成热力图...
  • 本发明属于碳化硅衬底生产技术领域, 具体地说是一种外延炉衬底转移装置, 包括外延炉本体;所述外延炉本体的一侧固连有转运箱;所述转运箱两侧相对的表面均开设有贯通槽;所述贯通槽与外延炉本体连通, 通过托盘、电推杆、机械臂和夹爪的配合, 实现了对...
  • 本发明提供了一种单晶硅制绒添加剂、其制备方法及包含其的制绒液。该制绒添加剂的原料包括如下组分:相对于该单晶硅制绒添加剂的总重量, 碱性试剂0.1~0.8质量%, 成核剂1.0~5.0质量%, 助核剂0.8~3.0质量%, 表面活性剂0.01...
  • 本发明公开了一种基于HVPE设备生长高质量的氮化镓晶体的制备方法, 包括以下步骤:S1、提供蓝宝石衬底;S2、在蓝宝石衬底上做SiO2类圆柱层;S3、在SiO2类圆柱层上生长氮化镓成核层;S4、在氮化镓成核层上生长三维分布层;S5、在三维分...
  • 本发明公开了一种远程外延生长氮化物薄膜的方法, 包括如下步骤:对硅衬底依次进行氩气蚀刻、退火处理, 所述氩气蚀刻用于去除硅衬底表面的氧化层, 所述退火处理用于修复硅衬底的表面晶格;所述硅衬底为(100)面的单晶硅衬底;对硅衬底进行表面氮化处...
  • 本发明实施例提供了一种碳化硅晶体生长方法及装置, 碳化硅晶体生长装置基于碳化硅晶体生长方法生长碳化硅晶体, 涉及碳化硅长晶技术领域。本发明实施例提供碳化硅晶体生长方法, 对坩埚抽气时候, 籽晶与坩埚的内腔隔离, 此时, 籽晶此时位于坩埚外。...
  • 本发明涉及双晶基片技术领域, 具体公开了一种钽铝酸锶镧双晶籽晶的制备方法, 包括:先利用烧结法制备第一个钽铝酸锶镧双晶晶体母材, 从其中切割出完好晶界的晶坯, 经粗抛、化抛、离子束抛光后, 作为第一双晶籽晶;利用提拉法将第一双晶籽晶制备大尺...
  • 本发明提供一种化合物氟硼酸铯铵和氟硼酸铯铵非线性光学晶体的制备方法及用途, 该化合物的化学式为CsNH4B8O12F2;该晶体化学式为CsNH4B8O12F2, 属于三方晶系, 空间群为P321, 单胞参数为a=b=6.5858(4)±0....
  • 本发明提供了一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法, 属于半导体技术领域, 包括在碳化硅衬底外延生长之前, 对碳化硅衬底C面进行减薄操作, 以使碳化硅衬底Si面为凹面;定量控制碳化硅衬底Si面的翘曲度, 以减小碳化硅厚外延片的翘曲度。本发明提供的...
  • 本发明公开了一种异质集成结构及其制备方法, 异质集成结构包括:衬底, 衬底具有相背设置的第一表面和第二表面, 第一表面包括间隔设置的第一区域和第二区域;介质层, 形成于第一区域的第一表面上;光子晶体层, 形成于所述第二区域的第一表面以及所述...
  • 本公开提供了一种加热装置。加热装置包括:多个固定支架、多个支撑支架和加热丝;加热丝的一侧用于与基座可拆卸连接, 多个固定支架分别位于基座, 且位于基座和加热丝的另一侧之间, 每个固定支架上设置至少两个支撑支架支撑加热丝的另一侧, 每个固定支...
  • 本发明公开了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置, 涉及半导体加工技术领域。包括底座, 所述底座顶部中央设置有炉腔, 炉腔顶部中央设置有圆形基座, 圆形基座顶部安装有圆形载盘, 炉腔两侧内壁安装有温度传感器, 所述炉腔内壁设置有冷却机构, 冷却机构...
  • 本申请属于气相外延技术领域, 涉及一种原料监测补充方法及气相外延装置;该原料监测补充方法应用于气相外延装置中的控制装置, 气相外延装置还包括生长装置以及与控制装置耦接的监测装置, 生长装置包括反应腔室与补充腔室, 监测装置设置于反应腔室内,...
  • 本发明提供一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法, 涉及多晶或单晶金刚石晶体领域。本发明包括生长托、衬底片和若干个可依次堆叠放置的散热调节片, 衬底片设于生长托的顶部并用于沉积金刚石, 生长托用于放置在含有冷却水路的散热台...
  • 本申请涉及晶硅制造技术领域, 提供一种坩埚及其制造方法, 至少有利于提高单晶硅锭的品质同时提高坩埚的使用寿命。坩埚包括:内基材层, 内基材层的材料包括氧化钇、氧化锆和氧化硅, 内基材层包括由内向外依次层叠设置的表面功能层、过渡层和基体结合层...
  • 本发明公开了一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器, 包括保温罩以及设置在保温罩内的坩埚, 保温罩内壁围绕坩埚设置有主加热器, 坩埚下方设置有底部加热器, 所述主加热器内壁设置有支撑骨架, 支撑骨架由碳纤维增强SiC复合材料构成, 且表...
  • 本发明公开了一种多层水冷结构的石英铸锭炉炉体, 应用在石英铸锭制备领域, 包括外炉体, 所述外炉体的底部设置有水平调节机构, 所述外炉体的顶部盖设有炉盖;本发明通过使用工具转动螺栓头使转轴带动第二锥形齿轮转动, 第二锥形齿轮转动带动第一锥形...
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