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最新专利技术
  • 电极结构和包括该电极结构的锂二次电池
    电极结构和包括该电极结构的锂二次电池_三星SDI株式会社_202510390303.7
    提供了一种电极结构(例如， 极芯型(或类)电极结构)以及包括该电极结构的二次电池。该电极结构包括包含正极活性物质层的正极、包含负极活性物质层的负极、以及在正极与负极之间的隔膜。电极结构包括其中布置有正极活性物质层或负极活性物质层的涂覆部分以...
    2025-11-24
  • 用于可再充电锂电池的正电极以及包括其的可再充电锂电池
    用于可再充电锂电池的正电极以及包括其的可再充电锂电池_三星SDI株式会社_202510256156.4
    公开了一种用于可再充电锂电池的正电极以及包括该正电极的可再充电锂电池， 该正电极包括：正电极集流体；安全功能层， 位于正电极集流体上， 以及正电极活性物质层， 位于安全功能层上， 其中， 安全功能层包括包含磷酸铁锂类化合物的第一安全功能层和...
    2025-11-24
  • 用于可再充电锂电池的负电极、其制造方法以及包括其的可再充电锂电池
    用于可再充电锂电池的负电极、其制造方法以及包括其的可再充电锂电池_三星SDI株式会社_202510254443.1
    公开了一种用于可再充电锂电池的负电极、制造该负电极的方法以及包括该负电极的可再充电锂电池。负电极包括负电极集流体、以及位于负电极集流体上并且包括负电极活性物质和粘结剂的负电极活性物质层。负电极活性物质包括：核， 包括能够可逆地嵌入和脱嵌锂离...
    2025-11-24
  • 一种耐热压的多层集流体、电芯及其制备方法
    一种耐热压的多层集流体、电芯及其制备方法_扬州纳力新材料科技有限公司_202511046665.0
    本发明公开了一种耐热压的多层集流体、电芯及其制备方法， 涉及电池材料技术领域。本发明通过在多层集流体的有机物衬底中添加无机纳米材料纳米粘土可提高有机物衬底的刚性和耐热性， 减少热变形。同时添加玻璃纤维进行增强， 可显著降低形变， 从而减少有...
    2025-11-24
  • 制造用于可再充电锂电池的电极的方法、用于制造用于可再充电锂电池的电极的设备以及通过该方法制造的电极和可再充电锂电池
    制造用于可再充电锂电池的电极的方法、用于制造用于可再充电锂电池的电极的设备以及通过该方法制造的电极和可再充电锂电池_三星SDI株式会社_202510475996.X
    提供了制造用于可再充电锂电池的电极的方法、用于制造用于可再充电锂电池的电极的设备以及通过该方法制造的电极和可再充电锂电池。所述方法包括：在集流体的至少一个表面上形成包括正电极活性物质的浆料的涂层；以及使用第一轧辊对集流体进行轧制。第一轧辊具...
    2025-11-24
  • 可充电锌-醌电池
    可充电锌-醌电池_伊能励扬有限责任公司_202510478776.2
    本发明提供一种用于一次电池和二次电池的醌‑碳电极。本发明还公开了该电极的制备方法。所述电极包含5wt％至90wt％的一种或多种醌， 以及95wt％至10wt％的一种或多种导电碳材料。例如， 醌分子通过物理吸附方式固定在导电碳材料的表面或孔内...
    2025-11-24
  • 混合式极组、电池包和车辆
    混合式极组、电池包和车辆_宝马股份公司_202410458027.9
    本公开提供了混合式极组、电池包和车辆。一种混合式极组可包括：第一叠片式极组部分和第二卷绕式极组部分。第二卷绕式极组部分围绕第一叠片式极组部分卷绕。第一叠片式极组部分包括多层叠片。多层叠片中的每一层叠片包括：间隔布置的正极层与负极层、以及隔膜...
    2025-11-24
  • 包括至少两个晶粒的封装结构、组装结构及其制造方法
    包括至少两个晶粒的封装结构、组装结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202410882083.5
    提供一种封装结构、组装结构及制造方法。此封装结构包括：一模制结构、一第一顶部晶粒及一第二顶部晶粒。该模制结构包括一第一电子元件、一第二电子元件以及封装该第一电子元件及该第二电子元件的一封装剂。该第一顶部晶粒电性连接到该第一电子元件及该第二电...
    2025-11-24
  • 一种射频装置和半导体装置
    一种射频装置和半导体装置_加特兰微电子科技(上海)有限公司_202410452077.6
    一种射频装置和半导体装置， 其中射频装置包括封装结构和天线单元， 其中所述封装结构包括金属框架和设置在金属框架上的IC裸片， 其中， 所述IC裸片安装位置处对应的部分金属框架作为所述天线单元的辐射部， 所述辐射部还与IC裸片电连接进行信号传...
    2025-11-24
  • 测试键结构以及其测试方法
    测试键结构以及其测试方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410501194.7
    本发明公开一种测试键结构以及其测试方法， 其中该测试键结构包含两个导电垫相邻排列， 其中两导电垫之间具有一第一间隔距离， 两垂直接触柱， 分别位于两导电垫的下方并与两导电垫电连接， 一测试导电层， 位于两垂直接触柱下方， 并与两垂直接触柱电...
    2025-11-24
  • 包括由耦合的多个功率设备形成的电路的封装电子设备
    包括由耦合的多个功率设备形成的电路的封装电子设备_意法半导体国际公司_202510500156.4
    本公开的实施例涉及包括由耦合的多个功率设备形成的电路的封装电子设备。电子设备具有：第一衬底元件；第二衬底元件；以及半导体材料的多个管芯， 其集成了相应的功率设备并且形成具有单独端子、公共端子和中间端子的电路， 其中功率设备在中间端子处以相同...
    2025-11-24
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411634007.9
    公开了一种半导体器件， 包括：电力传输网络层， 在衬底的底表面上；栅电极， 在衬底上；第一源/漏图案， 在衬底上， 并且包括彼此间隔开的第一图案和第二图案， 栅电极介于第一图案和第二图案之间；通孔结构， 延伸到衬底中， 并且电连接到电力传输...
    2025-11-24
  • 半导体器件及制造方法、导电柱阻值测试方法、电子设备
    半导体器件及制造方法、导电柱阻值测试方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410457328.X
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、半导体器件中的导电柱的阻值测试方法、电子设备， 属于半导体技术领域。该半导体器件包括：2N个通孔、2N个导电柱、第一引出导线以及第二引出导线， 2N个通孔设置于硅衬底中且贯穿硅衬底；2N个导电柱包括依...
    2025-11-24
  • 电子芯片和方法
    电子芯片和方法_意法半导体国际公司_202510474302.0
    本公开的实施例涉及电子芯片和方法。本说明书涉及一种电子芯片， 该电子芯片由边缘界定， 并且包括沿主平面延伸的半导体层、位于半导体层上方的互连结构、以及被布置在电子芯片的边缘与电子芯片的电子电路区域之间的互连结构中的密封环。密封环包括耦合在一...
    2025-11-24
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411262959.2
    本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括：第一层间绝缘层；第二层间绝缘层， 其设置在第一层间绝缘层上；第一接合焊盘， 其设置在第一层间绝缘层中；第二接合焊盘， 其设置在第二层间绝缘层中并且连接到第一接合焊盘；第一接...
    2025-11-24
  • 半导体器件以及制造金属互连结构的方法
    半导体器件以及制造金属互连结构的方法_三星电子株式会社_202510298538.3
    本公开提供半导体器件以及制造金属互连结构的方法。该半导体器件包括：有源图案， 在第一方向上延伸；栅电极， 具有在有源图案上在第一方向上间隔开的栅电极的部分， 并在与第一方向相交的第二方向上延伸；栅极接触， 在栅电极上；源极/漏极图案， 在有...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其形成方法和半导体器件
    半导体结构及其形成方法和半导体器件_华为技术有限公司_202410458114.4
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其形成方法和半导体器件。该半导体结构包括介质层， 介质层中形成的通孔中沉积有一层粘附阻挡层和金属互连层， 且该粘附阻挡层仅位于通孔的侧壁， 其为非晶态的硫化钽或硫化钛薄膜。该粘附阻挡层可通过采用抑制剂辅助的...
    2025-11-24
  • 具有拥有后结构的半导体芯片的半导体封装件
    具有拥有后结构的半导体芯片的半导体封装件_三星电子株式会社_202510475295.6
    一种半导体封装件包括：第一半导体芯片、在第一半导体芯片上的第二半导体芯片、在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的多个芯片互连端子、以及粘合层。第一半导体芯片包括具有前侧和背侧的基底、在背侧上的后保护层、在后保护层上的多个后垫、以及在多个后垫...
    2025-11-24
  • 半导体装置和形成用于嵌入式光子桥管芯的封装互连结构的方法
    半导体装置和形成用于嵌入式光子桥管芯的封装互连结构的方法_星科金朋私人有限公司_202510408495.X
    半导体装置具有第一互连结构、第二互连结构和设置在第一互连结构和第二互连结构之间的半导体管芯。半导体管芯可以具有光子区域。嵌入式互连结构设置在第一互连结构和第二互连结构之间。嵌入式互连结构具有足以跨越第一互连结构和第二互连结构之间的间隙的高度...
    2025-11-24
  • 半导体结构及形成半导体结构的方法
    半导体结构及形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202411069711.4
    一种半导体结构包括第一介电层、保护层、第二介电层、第一缓冲层与第二金属线。第一介电层具有在其顶面中的第一金属线。保护层位于第一介电层上。第二介电层位于保护层上， 其中第二介电层与保护层具有穿孔， 且第一金属线位于穿孔下方。第一缓冲层位于第二...
    2025-11-24
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