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最新专利技术
  • 一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构
    一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构_兰州理工大学_202510945789.6
    本发明公开了一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构， 涉及电子散热技术领域， 该结构由芯片冷却组件、主系统冷却槽道及弹簧组成， 采用模块化设计实现芯片冷却模块独立插拔；冷却组件通过液冷槽与主系统流道对接， 内置弹簧驱动冷却触点块压紧芯片...
    2025-12-06
  • 具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法
    具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法_日日新半导体架构股份有限公司_202510537787.3
    本发明提供一种具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法。其中， 半导体电路结构， 包括半导体基材、位于半导体基材内部的第一组有源区以及围绕第一组有源区的第一浅沟渠隔离区。其中， 第一浅沟渠隔离区包括设置在位于第一组有源区之间的间隙...
    2025-12-06
  • 散热器装置
    散热器装置_恩智浦有限公司_202510530476.4
    一个例子公开了一种散热器装置， 包括：引线框架， 所述引线框架具有管芯焊盘、第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；其中所述引线框架还包括一组散热器， 所述一组散热器包括：第一散热器， 所述第一散热器位于所述引线框架的所述第一边缘和所述第四...
    2025-12-06
  • 管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法
    管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法_湖北星辰技术有限公司_202511013949.X
    本申请涉及半导体制造技术领域， 具体涉及一种管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法， 管芯堆叠对准结构包括第一子标记以及第二子标记；所述第二子标记有多个且设于底层基板表面的不同位置；所述第一子标记有多个且分别对应设于多个需要堆叠设置的管...
    2025-12-06
  • 一种芯片扇出封装器件及其制备方法
    一种芯片扇出封装器件及其制备方法_深圳修远电子科技有限公司_202511011629.0
    本申请提供一种芯片扇出封装器件及其制备方法， 涉及半导体技术领域， 利用金属散热基板、贴合材料和芯片构建更短、散热效率更高的热传导路径， 由于该热传导路径的加入， 使得芯片所累积的热量能够经由所构建的热传导路径， 快速向外界传递， 以维持芯...
    2025-12-06
  • 背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法
    背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511000713.2
    本发明提供了一种背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法， 该背封结构中设置有掺杂抑制层， 即在衬底的侧面和底面设置掺杂抑制层， 并且， 该掺杂抑制层用于抑制衬底中的掺杂离子从衬底的底面和侧面析出， 使得在衬底的正面生长外延层时能够精确控制...
    2025-12-06
  • 一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构
    一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构_清华大学_202510895771.X
    本发明提供一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构， 涉及毫米波芯片封装技术领域， 所述过渡结构包括：基板、矩形腔体、芯片、并联金丝连接结构、阶梯型接地共面波导GCPW匹配结构以及多个盲孔；所述基板， 包括：顶层介质层、中间金属层以及底层金属...
    2025-12-06
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510864979.5
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中， 一种电子装置包含：电子组件， 所述电子组件包括传感器和电互连件；衬底， 所述衬底包括导电材料和半透明模制化合物， 其中所述导电材料耦合到所述半透明模制化合物， 并且其中所述电子组件的所述电互连件...
    2025-12-06
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510511609.3
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中， 一种电子装置可包含有源区、位于所述有源区上方的掩埋氧化物层以及安置于所述掩埋氧化物层的第一端和所述掩埋氧化物层的与所述第一端相对的第二端上方的加强件。所述加强件的内侧壁可在所述掩埋氧化物层上方界...
    2025-12-06
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510511540.4
    半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个范例中， 一种电子装置可包含包括通道区的有源区。第一隔离区可安置在所述通道区的横向侧处。源极区可位于所述通道区的覆盖面积中且安置在所述通道区与所述第一隔离区之间。装置钝化层可覆盖所述通道区的与所述源极...
    2025-12-06
  • 底部填充膜、包括底部填充膜的半导体封装及其制造方法
    底部填充膜、包括底部填充膜的半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202411616605.3
    底部填充膜可以包括：第一膜层， 具有第一介电常数；以及第二膜层， 在第一膜层上并具有第二介电常数， 其中， 第二介电常数高于第一介电常数。
    2025-12-06
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410502721.6
    一种封装结构及其形成方法， 其中方法包括：中介层， 所述中介层包括中心区和包围所述中心区的边缘区， 所述中介层包括相对的第一面和第二面， 所述第二面具有若干中介层凸点；封装至所述中心区的所述第一面的至少一个第一芯片和至少一个第二芯片；框架结...
    2025-12-06
  • 一种CoW模组及芯片封装结构
    一种CoW模组及芯片封装结构_沐曦集成电路(上海)股份有限公司_202410436105.5
    本发明涉及芯片封装领域， 尤其涉及一种CoW模组及芯片封装结构。包括：多个芯片、硅基转接板、塑封料层及翘曲抑制层硅基转接板， 翘曲抑制层固定连接于硅基转接板未安装芯片的一侧；翘曲抑制层的CTE大于硅基转接板的CTE；翘曲抑制层的CTE与塑封...
    2025-12-06
  • 高阶汽车保护用整流器晶片及其生产工艺
    高阶汽车保护用整流器晶片及其生产工艺_安徽安芯电子科技股份有限公司_202511024597.8
    本发明提供了一种高阶汽车保护用整流器晶片及其生产工艺， 涉及晶片生产技术领域。整流器晶片的生产工艺相较于传统工艺流程缩短， 在高温自动化扩散炉约6‑8个小时配合少量人力即可完成， 大幅提升了生产效率；取消了玻璃烧结工序， 减少有机粉尘等环境...
    2025-12-06
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_深圳台达创新半导体有限公司_202511349134.9
    本发明属于芯片封装技术领域， 公开了一种量子芯片封装装置， 其技术要点是：包括基板， 所述基板表面开设有安装槽， 所述安装槽内放置有芯片本体， 所述基板表面设置有封装盖， 所述基板表面设置有固定机构， 所述固定机构包括有卡接组件与调节组件，...
    2025-12-06
  • 半导体结构以及形成方法
    半导体结构以及形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202510945134.9
    本公开提供了一种半导体结构以及形成方法， 其中， 半导体结构包括：晶圆、至少一个凹槽和填充结构；至少一个凹槽形成在晶圆边缘；填充结构填充凹槽；其中， 填充结构的缓冲系数大于晶圆。这样， 在晶圆的边缘受外力冲击的情况下， 凹槽能够迫使裂纹沿凹...
    2025-12-06
  • 一种带金属划线区的半导体芯片切割方法
    一种带金属划线区的半导体芯片切割方法_广东芯粤能半导体有限公司_202510903947.1
    本发明提供一种带金属划线区的半导体芯片切割方法， 半导体芯片具有多个半导体芯片形成区域和分隔多个半导体芯片形成区域的划线区域， 且划线区域中设有划片道金属， 所述切割方法包括：通过激光烧蚀所述划片道金属形成开口槽， 所述开口槽的深度小于或等...
    2025-12-06
  • 金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件
    金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202511363581.X
    本申请实施例公开了金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过在第一金属层上沉积第一介质层， 在第一介质层上沉积第二介质层， 对第一金属层、第一介质层和第二介质层进行炉管退火以及蚀刻处理， 并在炉管退火以及...
    2025-12-06
  • 金属互连结构的制备方法和半导体器件
    金属互连结构的制备方法和半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511037510.0
    本申请涉及一种金属互连结构的制备方法和半导体器件。该金属互连结构的制备方法， 包括：在半导体叠层结构上依次形成第一绝缘层、停止层与第二绝缘层；导电结构从半导体叠层结构暴露出来；刻蚀第二绝缘层、停止层与第一绝缘层形成第一沟槽， 第一沟槽暴露导...
    2025-12-06
  • 深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片
    深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片_粤芯半导体技术股份有限公司_202510986160.6
    本申请公开了一种深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片， 涉及半导体制造技术领域。该深硅通孔制备方法包括：在晶圆的硅中介层上表面沉积氧化硅以形成氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜上表面涂覆光刻胶， 通过预设的通孔掩膜对光刻胶进行曝光显影以露出通...
    2025-12-06
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