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最新专利技术
  • 一种提高CMOS图像传感器性能的工艺方法
    一种提高CMOS图像传感器性能的工艺方法_格科半导体(上海)有限公司_202510986127.3
    本发明公开了一种提高CMOS图像传感器性能的工艺方法，至少包含以下步骤：步骤S1，提供一衬底，第一温度下，在所述衬底上生长第一P型外延层；步骤S2，第二温度下，在所述第一P型外延层上生长N型外延层；步骤S3，第三温度下，在所述N型外延层上生...
    2025-11-22
  • 共同封装的光学器件和收发器
    共同封装的光学器件和收发器_洛克利光子有限公司_202510957281.8
    一种用于共同封装光子和电子集成电路的组件。在一些实施例中，该组件包括：光子集成电路(PIC，105)；以及电子集成电路(IC，110)。光子集成电路的前表面在重叠区域(135)中紧靠电子集成电路的前表面。光子集成电路的第一部分(125)突出...
    2025-11-22
  • 一种二碲化钨/二硫化钨异质结的光电探测器及其制备方法
    一种二碲化钨/二硫化钨异质结的光电探测器及其制备方法_广东工业大学_202510909085.3
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种二碲化钨(WTe2)/二硫化钨(WS2)异质结光电探测器及其制备方法，该光电探测器的结构为电极/WTe2/WS2异质结/电极，电极与WTe2/WS2异质结两端的WTe2和WS2非重叠部分与电极接触。本...
    2025-11-22
  • 一种硅基同质结红外探测器及其制备方法和应用
    一种硅基同质结红外探测器及其制备方法和应用_国科大杭州高等研究院_202511050098.6
    本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硅基同质结红外探测器及其制备方法和应用。本发明提供的硅基同质结红外探测器包括高掺杂硅衬底和设置于高掺杂硅衬底中心位置的台面，台面包括依次层叠的阻挡层和吸收层，阻挡层直接与高掺杂硅衬底接触，吸收层的边...
    2025-11-22
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511393682.1
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种背接触电池组件及光伏系统，该背接触电池组件包括第一电池串、焊带、汇流条；第一电池串包括沿第一方向交替排布的若干背接触太阳电池片，相邻的背接触太阳电池片通过焊带串联，背接触太阳电池片包括沿第一方向排布的第一...
    2025-11-22
  • 背接触电池片、电池组件及光伏系统
    背接触电池片、电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511226131.6
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种背接触电池片、电池组件及光伏系统，包括基底，所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面；沿第一方向间隔设置于所述第一表面上的第一汇流结构和第二汇流结构；本申请中通过上述的结构设计，将第一表面的汇流结构设置为...
    2025-11-22
  • 光伏组件及光伏组件制备方法
    光伏组件及光伏组件制备方法_隆基绿能科技股份有限公司_202510900609.2
    本发明公开了一种光伏组件及光伏组件制备方法，光伏组件包括电池串，电池串包括交叠排布的多个电池片；电池片具有相对的切割边和第一非切割边，由光伏组件的背面指向正面的方向，电池串中第N+1个电池片与第N个电池片边缘重叠，且第N+1个电池片的切割边...
    2025-11-22
  • 光伏组件及光伏组件制备方法
    光伏组件及光伏组件制备方法_隆基绿能科技股份有限公司_202510896382.9
    本发明公开了一种光伏组件及光伏组件制备方法，光伏组件包括电池串，电池串包括交叠排布的多个电池片和串联多个电池片的互联件；电池片具有相对的切割边和第一非切割边，由光伏组件的背面指向正面的方向，电池串中第N+1个电池片与第N个电池片边缘重叠，且...
    2025-11-22
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511067541.0
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件。光伏组件，包括层压件、绝缘件和边框，绝缘件设置于层压件的边缘，绝缘件与绝缘件在第一方向上接触，层压件的边缘位于边框内。层压件包括电池层，在垂直于层压件的厚度方向的平面内，电池层与绝缘件的最...
    2025-11-22
  • 层压布
    层压布_苏州帝华智能科技有限公司_202511056358.0
    本申请涉及一种层压布，属于光伏层压设备技术领域。该层压布包括：本体，具有供待层压件放置的放置面；限位机构，设置有多个，多个限位组件设置于放置面上，且多个限位机构沿本体的长度方向间隔分布，以形成多个供待层压件放置的限位部，每个限位部适于将与其...
    2025-11-22
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_浙江福斯特新材料研究院有限公司_202511035434.X
    本发明提供了一种光伏组件及其制备方法。光伏组件包括依次层叠设置的前板、第一胶膜层、预封装电池、第四胶膜层和后板；预封装电池包括第二胶膜层、电池片层和第三胶膜层；其中，第二胶膜层和第三胶膜层在130℃下的ML值各自独立地≥0.35dN·m；第...
    2025-11-22
  • 一种彩色光伏组件及其制备方法
    一种彩色光伏组件及其制备方法_武汉大学_202510988080.4
    本发明公开一种彩色光伏组件，包括从上至下依次叠层设置的盖板玻璃、第一封装胶膜、彩色太阳能叠层电池、第二封装胶膜和背板玻璃；其中，MoO3彩色太阳能叠层电池由彩色半透明电池层和晶硅电池层通过四端子或者两端子叠层而成，MoO3彩色半透明电池层包...
    2025-11-22
  • 一种仿板岩光伏瓦组件的制作工艺及仿板岩光伏瓦组件
    一种仿板岩光伏瓦组件的制作工艺及仿板岩光伏瓦组件_昆吾世纪(北京)光伏能源有限公司_202510816873.8
    本发明属于建筑用仿板岩光伏瓦组件技术领域，公开了一种仿板岩光伏瓦组件的制作工艺及仿板岩光伏瓦组件。所述的仿板岩光伏瓦组件的制作工艺，包括：采用高温油墨，根据网版将仿板岩纹理图案，印制在高透性玻璃朝向靠近光伏电池片的一侧上，制作获得仿板岩光伏...
    2025-11-22
  • 电池片及其制备方法、网版和光伏组件
    电池片及其制备方法、网版和光伏组件_润马光能科技(金华)有限公司_202510773144.9
    本发明公开了一种电池片及其制备方法、网版和光伏组件，涉及光伏电池技术领域；本发明制备的电池片由至少一个第一区域和第二区域组成，第一区域形成第一PN结，第二区域形成第二PN结，第一PN结和所述第二PN结的极性相反。本发明的电池片同时存在两种极...
    2025-11-22
  • 一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
    一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统_比亚迪股份有限公司_202510897974.2
    本发明涉及异质结电池技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该异质结太阳能电池至少包括复合组件，所述复合组件包括无铟TCO薄膜以及设置在无铟TCO薄膜表面的栅线电极，所述栅线电极沿第一方向依次包括TCO栅线层...
    2025-11-22
  • 一种基于InN纳米柱界面调制的宽光谱响应GaAs异质结太阳能电池及其制备
    一种基于InN纳米柱界面调制的宽光谱响应GaAs异质结太阳能电池及其制备_华南理工大学_202510865155.X
    本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种基于InN纳米柱界面调制的宽光谱响应GaAs异质结太阳能电池及其制备。所述太阳能电池从下至上依次包括背面电极、InGaP背场层、GaAs衬底层、InN纳米柱层、空穴传输层、正面电极、抗反射ARC层；...
    2025-11-22
  • 一种碲化镉/晶体硅叠层太阳电池组件及其制备方法
    一种碲化镉/晶体硅叠层太阳电池组件及其制备方法_江苏协航能源科技有限公司_202510823880.0
    本发明涉及太阳电池技术领域，具体为一种碲化镉/晶体硅叠层太阳电池组件及其制备方法，该碲化镉/晶体硅叠层太阳电池组件包括碲化镉电池和晶体硅电池，前表面为沉积n型硫化镉/p型碲化镉异质结电池的TCO玻璃，依次叠加第一胶膜层、晶体硅电池层、第二胶...
    2025-11-22
  • 太阳能电池片、电池组件和光伏系统
    太阳能电池片、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511039516.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统，太阳能电池片的硅基底的P型区域上设有由第一隧穿层和扩散阻挡层组成的电介质层，电介质层的空穴势垒的高度大于电介质层电子势垒的高度。N型掺杂层和硅基底之间则设有第二隧穿层...
    2025-11-22
  • 一种ESD器件及其制作方法
    一种ESD器件及其制作方法_扬州国宇电子有限公司_202511043535.1
    本发明公开了ESD器件技术领域内的一种ESD器件及其制作方法，一种ESD器件，包括：单晶片，划分第一区、第二区，第二区内设阳极区、阴极区，第一区、阳极区内有轻掺杂N型注入区，在轻掺杂N型注入区上部有轻掺杂P型注入区，在阳极区和阴极区上有重掺...
    2025-11-22
  • 超结MOSFET静电防护装置、超结MOSFET及其制备方法
    超结MOSFET静电防护装置、超结MOSFET及其制备方法_江苏庆延微电子有限公司_202511032178.9
    本申请公开了一种超结MOSFET静电防护装置、超结MOSFET及其制备方法，该静电防护装置包括：引接单元及击穿引流单元；击穿引流单元包括栅漏击穿引流单元及栅源击穿引流单元；引接单元用于引入冲击电流；栅漏击穿引流单元用于将引入的冲击电流引入外...
    2025-11-22
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