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  • 本发明提供了一种高压腔体组件,其包含一基座;一下腔体,其包含一底盘及一支撑台,底盘具有一下环壁面,下环壁面凸设有复数下齿部,下腔体设置于基座的该顶面,支撑台凸设于底盘上;一上腔体,其包含一顶盖及一腔壁,腔壁环绕凸设于顶盖的一侧面,腔壁具有一...
  • 本发明提供一种静电吸附盘的温度控制系统以及温度控制性能的改善方法。该系统在静电吸附盘内部设置一温控层,所述温控层包括石墨吸热层和石墨烯导热层;系统还包括激光发生器及控制器。工作时,激光发生器发射加热激光至石墨吸热层,使其高效吸收能量产生热量...
  • 本发明公开一种用于翘曲晶圆的压平装置及方法,该装置包括压环主体,其内环尺寸大于晶圆有效作业区域,压环主体底部内缘为压边区,用于接触晶圆边缘非有效区域,压环主体上、压边区外侧区域为避空区,其下表面与晶圆表面保持非接触间隙。本发明通过压边区和避...
  • 本公开提供一种工艺控制方法、装置、计算机设备和存储介质,属于半导体制备技术领域。本公开的工艺控制方法包括获取控制任务,并确定控制任务下的各个待运行任务分别对应的目标配置信息;目标配置信息包括至少一个工艺腔室、每个工艺腔室对应的填充晶圆的运行...
  • 本发明提供一种基片处理装置,其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置,处理由运送装置运送的基片。另外,各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜...
  • 本申请涉及一种芯片批量作业方法、系统、计算机设备和存储介质。所述方法包括:在芯片生产过程中由制造执行系统下发芯片作业任务,基于芯片作业任务控制下货组件将多批载具依次下货至指定的芯片作业机台,芯片作业机台会上传每批载具对应的载具检测数据,对接...
  • 为了在整个晶片上形成副产物的恒定分压以及气体分子的恒定停留时间,可以使用双喷淋头反应器。双喷淋头结构可以针对蚀刻剂以及所述副产物实现空间上均匀的分压、停留时间和温度,由此在整个所述晶片上产生均匀蚀刻速率。系统可以包含对所述反应器进行差动泵送...
  • 本发明涉及一种高精度晶圆键合装置,包括:键合腔,包括沿周向设置的第一窗口、第二窗口以及第三窗口,第一窗口用于供晶圆上料或下料;键合下板组件,包括用于承载第一晶圆的卡盘;键合上板组件,包括与卡盘适配的压板;检测组件,包括第一检测相机和对称设置...
  • 本申请涉及一种晶圆解键合处理模块及晶圆解键合装置,包括:处理板,具有解键合工位和若干吸附孔,若干吸附孔与负压组件连通,负压组件能够产生负压以吸附待解键合物;加热组件,位于处理板下方,与处理板贴合设置,能产生热量并传递至处理板;降温组件,包括...
  • 本发明涉及一种冷热一体晶圆处理装置,包括:外框架,具有第一容置腔;处理组件,包括位于第一容置腔内的加热组件和冷却组件,加热组件具有至少一个加热工位,晶圆适于放置在加热工位以被加热至目标温度;冷却组件,具有至少一个冷却工位,晶圆适于放置在冷却...
  • 本发明公开了一种防静电损伤的芯片封装装置,本发明涉及芯片封装技术领域,包括底座,该底座用于对装置进行支撑;旋转机构,该旋转机构用于带动夹持好的芯片旋转,通过设置旋转机构,可以在芯片封装的时候,将夹持好的芯片旋转一周,进而分别实现对芯片盖夹持...
  • 本发明属于晶圆加工技术领域,具体公开了一种应用于半导体工业的晶圆加热装置,包括衬管隔套支管,所述衬管隔套支管的上端通过滑动组件穿插有加热器底座,所述加热器底座的内部从下往上依次固定穿插有冷却底板、陶瓷绝缘板与硅石英隔热砖,所述硅石英隔热砖的...
  • 本申请提供了基于激光扫描的晶圆工艺参数优化方法及系统,涉及半导体技术领域,所述方法包括:通过毫米波扫描,确定第一晶圆状态;构建第一梯度传递关系和第二梯度传递关系,搭建轻量参控模块并嵌入式部署于加工机床中控;随加工需求的趋变,触发轻量参控模块...
  • 本发明公开了一种测量半导体外延结构厚度的方法,涉及半导体激光器检测技术领域。本发明先通过划片解理或切割或断裂处理得到洁净、平整且无污染的外延端面,并采用含有酸性、氧化物等组分腐蚀端面,由于各外延层的成分不同或掺杂浓度不同,其与混合溶液发生化...
  • 本发明公开了一种晶圆视觉侦测系统及方法,涉及半导体技术领域,包括图像采集单元、光源单元与控制单元。在侦测流程上,由控制单元触发图像采集单元采集图像,配合差异化亮度的光源单元以快速且准确实现晶圆从运输到静止的宏观与微观侦测,突破传统电容传感器...
  • 本发明提供了一种介电常数的测量方法,包括:S1:在衬底上沉积得到隔离层;S2:在所述隔离层上沉积得到待测膜层;S3:利用测量设备测量得到所述待测膜层的电容‑电压曲线,其中,所述测量设备的探针与所述待测膜层接触;S4:根据所述探针与所述待测膜...
  • 本发明提供一种装置包括多个半导体芯片、待测装置电路、控制电路和开关电路。半导体芯片制造于包括一或多条切割线的半导体晶圆上。待测装置电路形成沿着至少一条切割线并包括多个待测装置。开关电路连接在待测装置电路和控制电路之间。控制电路产生多个控制信...
  • 本公开中披露了一种非破坏性的方法,用于确定有图案晶片中特征的垂直延伸,所述方法包括使用扫描电子显微镜(SEM)在测试晶片上的特征区域上扫瞄电子束,并感测从测试晶片返回的反向散射电子,以获得特征区域的反向散射电子(BSE)影像,其中扫描的电子...
  • 本申请涉及一种缺陷评价条件的确定方法和半导体器件的制造方法。一种缺陷评价条件的确定方法,包括:提供样本晶圆,样本晶圆包括多组样本管芯组,每一样本管芯组包括多个样本管芯;在每一样本管芯组的每一样本管芯上形成第一目标材料层;在每一样本管芯组上的...
  • 本发明涉及一种AI‑DSP混合音频处理芯片的堆叠封装方法及系统,包括以下步骤,采用第一键合机对AI芯片和DSP芯片进行倒装焊,得到倒装焊芯片;对所述倒装焊芯片进行互连,得到互连芯片结构;对所述互连芯片结构进行垂直堆叠,得到堆叠芯片结构;采用...
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