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最新专利技术
  • 一种提高非晶Ni-P镀层扩散阻挡性能和耐蚀性的工艺方法
    一种提高非晶Ni-P镀层扩散阻挡性能和耐蚀性的工艺方法_大连理工大学_202511060248.1
    本发明公开了一种提高非晶Ni‑P镀层扩散阻挡性能和耐蚀性的工艺方法，所述工艺方法包括如下步骤：步骤1，预处理：将基板打磨抛光、清洗吹干，得待镀基板；步骤2，镀液配置：将六水合硫酸镍、四水合乙酸镍、二水合柠檬酸三钠、四水合酒石酸钾钠、十二烷基...
    2026-01-23
  • 一种提高非晶Ni-P镀层光亮度的工艺方法
    一种提高非晶Ni-P镀层光亮度的工艺方法_大连理工大学_202511060247.7
    一种提高非晶Ni‑P镀层光亮度的工艺方法，所述工艺方法包括金属基板预处理、镀液配置、化学镀；所述金属基板预处理：将金属基板打磨抛光、清洗吹干，得待镀金属基板；所述镀液的成分如下：六水合硫酸镍10~50g/L、四水合乙酸镍1~10g/L、二水...
    2026-01-23
  • 一种卧式HVPE炉管用镓反应器
    一种卧式HVPE炉管用镓反应器_山东力冠微电子装备有限公司_202511245685.0
    本发明属于卧式HVPE炉管用镓反应器领域，具体的说是一种卧式HVPE炉管用镓反应器，包括装置主体；所述装置主体下方设置有装置底板，所述装置主体与装置底板之间设置有稳定生产抬升机构；所述稳定生产抬升机构包括进气法兰，所述进气法兰设置在装置主体...
    2026-01-23
  • 一种利用雾化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法
    一种利用雾化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法_江苏利泷半导体科技有限公司_202511161740.8
    本发明公开了一种利用雾化学气相沉积(Mist‑CVD)生长氧化镓薄膜的方法，通过脉冲式雾化(频率1.5‑2.5 MHz，颗粒尺寸1‑5 μm)、低功率等离子体模块(10‑50 W，400‑600°C)、微流控喷嘴(10‑50 μm)和多路前...
    2026-01-23
  • CVD碳化硅加热器加工系统及其工艺
    CVD碳化硅加热器加工系统及其工艺_江苏环能硅碳陶瓷有限公司_202511093951.2
    本发明涉及碳化硅加热器加工领域，具体涉及CVD碳化硅加热器加工系统及其工艺，其技术方案是：包括喷雾造粒模组和进出料换热模组；所述喷雾造粒模组包括干燥塔，所述干燥塔上端连接有浆料雾化装置，所述干燥塔底部安装有颗粒排出装置；所述进出料换热模组包...
    2026-01-23
  • 石墨舟干法清洗方法
    石墨舟干法清洗方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410581156.7
    本发明公开了一种石墨舟干法清洗方法，所述石墨舟表面的镀膜包括硅基薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜中的至少一种，该方法包括：将清洗气体通入清洗腔体对所述清洗气体进行射频解离，以便对石墨舟表面的镀膜进行刻蚀清洗，所述清洗气体包括CO2...
    2026-01-23
  • 一种用于真空氧化铝薄膜镀膜的进气装置
    一种用于真空氧化铝薄膜镀膜的进气装置_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202511240619.4
    本发明是一种用于真空氧化铝薄膜镀膜的进气装置，其结构包括进气装置本体，进气装置本体连接TMA供给端和水蒸气供给端，进气装置本体连接超过一个反应腔。本发明的优点：结构设计合理，可实现一套特气控制系统均匀供气给多个工艺腔体，可有效提高设备产能和...
    2026-01-23
  • 原子层沉积设备及方法
    原子层沉积设备及方法_青岛思锐智能科技股份有限公司_202511181674.0
    本发明公开一种原子层沉积设备及方法，设备包括预装载腔室、晶圆传输腔室、工艺腔室、晶圆支架、传输机构、检测机构和控制器，预装载腔室、晶圆传输腔室和工艺腔室依次密封连通，晶圆支架设有晶圆放置区，传输机构用于将承载有晶圆的晶圆支架在预装载腔室、晶...
    2026-01-23
  • 一种兼容顶进气与侧进气的气相沉积反应腔结构与方法
    一种兼容顶进气与侧进气的气相沉积反应腔结构与方法_西安近代化学研究所_202511003964.6
    本发明公开了一种兼容顶进气与侧进气的气相沉积反应腔结构与方法，包括反应腔主体、样品架、舱盖、舱盖提升装置、纵向前驱体注入组件、纵向气体引流导向器、纵向抽气阀门组、横向前驱体注入组件、横向气体引流导向器、横向抽气阀门组；横向前驱体注入、横向气...
    2026-01-23
  • 一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜
    一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510888079.4
    本发明公开一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜，涉及原子层沉积技术领域，以解决在电池正极包覆单一金属氧化物的情况下存在的导电性能和界面稳定性无法兼顾的问题。方法包括：提供一基底；在基底表面形成第一金属氧化层；在第一金属氧化层上依次...
    2026-01-23
  • 原子层沉积方法
    原子层沉积方法_深圳市大族半导体装备科技有限公司_202510884644.X
    本申请属于激光加工技术领域，更具体地说，是涉及一种原子层沉积方法，本申请实施例提供的原子层沉积方法，包括以下步骤：将衬底设置于反应腔的预设位置；向所述反应腔内通入前驱气体，以在所述衬底上方形成第一原子沉积层；向所述反应腔内通入第一反应气体，...
    2026-01-23
  • 抗烧蚀渗铜相变发汗陶瓷固溶体改性C/C材料的制备方法
    抗烧蚀渗铜相变发汗陶瓷固溶体改性C/C材料的制备方法_湖北三江航天江北机械工程有限公司_202510931105.7
    本发明涉及C/C复合陶瓷材料成型技术领域，公开了一种抗烧蚀渗铜相变发汗陶瓷固溶体改性C/C材料的制备方法，包括如下步骤：通过等温化学气相沉积制备低密度C/C复合材料预制体；采用料浆浸渍结合前驱体浸渍‑裂解工艺在低密度C/C复合材料预制体中构...
    2026-01-23
  • 用于沉积复合膜的方法、系统和装置
    用于沉积复合膜的方法、系统和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510579161.9
    用于沉积复合膜的方法、系统和装置，包括支撑衬底，经由第一非原子层沉积(非ALD)过程沉积第一金属电极，经由第一循环ALD过程沉积第一金属衬里，经由第二循环ALD过程沉积包括第一晶体结构的介电层，其中介电层与第一金属衬里层物理接触并且至少与第...
    2026-01-23
  • 金刚石压阻效应压力敏感结构设计方法
    金刚石压阻效应压力敏感结构设计方法_哈尔滨工业大学_202511129760.7
    本发明公开了金刚石压阻效应压力敏感结构设计方法，包括：以单晶金刚石为基底，通过离子注入形成掩埋氧化层，并利用氧等离子体各向异性刻蚀技术，在金刚石基底上加工出三维梯度悬臂梁阵列与双曲面膜片初始轮廓。随后，采用Ar/Cl2混合气体进行晶向选择性...
    2026-01-23
  • 一种基于ZIF-8和碳多孔过滤层修饰的二氧化锡螺旋管可控制备方法
    一种基于ZIF-8和碳多孔过滤层修饰的二氧化锡螺旋管可控制备方法_上海大学_202511071475.4
    本发明公开了一种基于ZIF‑8和C多孔过滤层修饰的SnO2螺旋管可控制备方法，分别采用ZIF‑8和C修饰在SnO2螺旋管内部，使气体到达敏感层进行反应之前，预先被过滤层对进入的气体进行过滤和筛分的气体传感器，通过原子层沉积技术制备了SnO2...
    2026-01-23
  • 包含金的薄膜的气相沉积
    包含金的薄膜的气相沉积_ASMIP控股有限公司_202510887989.0
    提供了用于在反应空间中在基底上形成包含金的薄膜的气相沉积法。所述方法可为循环气相沉积法，如原子层沉积(ALD)法。所述方法可包括使基底与包含至少一个硫供体配体和至少一个烷基配体的金前体接触和使基底与包含臭氧的第二反应物接触。沉积的包含金的薄...
    2026-01-23
  • 用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层硬化的方法及包括硬化的抗反射处理层的透明基底
    用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层硬化的方法及包括硬化的抗反射处理层的透明基底_柯马杜股份有限公司_202511082301.8
    本发明涉及一种用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层(20)硬化的方法，该透明基底包括顶面(22a)和远离该顶面(22a)延伸的底面(22b)，抗反射处理(20)包括将由至少一种材料构成的至少一个抗反射层沉积在该透明基底的该顶面(22a)和该...
    2026-01-23
  • 镀膜监控系统、真空镀膜设备及镀膜监控方法
    镀膜监控系统、真空镀膜设备及镀膜监控方法_光驰科技(上海)有限公司_202410575473.8
    本发明属于真空镀膜技术领域，公开了镀膜监控系统、真空镀膜设备及镀膜监控方法。该镀膜监控系统的监控片包括多个沿径向和周向分布的监控点位，在薄膜沉积源的作用下监控点位处能被沉积薄膜；监控点位选择单元包括第一通孔，第一通孔用于选择性地使至少一个监...
    2026-01-23
  • 一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统
    一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统_江苏盛益光电有限责任公司_202511356894.2
    本发明公开了一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统，涉及真空镀膜系统技术领域，包括镀膜柜及设置于其内的放置组件，所述放置组件包括轴向转动设置的安装架，还包括若干端部摆动设置于安装架上且呈圆周阵列布置的摆动杆，任意两个相邻摆动杆之间活动设置有上装...
    2026-01-23
  • 行星式旋转机构
    行星式旋转机构_光驰科技(上海)有限公司_202511152003.1
    本发明属于真空处理技术领域，公开了一种行星式旋转机构。该行星式旋转机构包括固定齿轮、公转齿轮、公转架和驱动组件，在真空处理腔室的壳体上固定有固定齿轮，并设置可转动的公转齿轮，在公转齿轮上固定公转架并在公转架上设置行星调速齿轮和行星齿轮，工件...
    2026-01-23
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