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最新专利技术
  • 补串排版机及其补串排版方法
    补串排版机及其补串排版方法_苏州德睿联智能装备科技有限公司_202510970900.7
    本申请公开了一种补串排版机及其补串排版方法，补串排版机包括：机体；排版输送线；料盒装置，料盒装置上设有多个电池串放置位，电池串放置于电池串放置位上；机器人，机器人包括机器人主体及吸附机械手，吸附机械手与机器人主体相连，机器人通过吸附机械手吸...
    2025-11-23
  • 硅片的清洗方法、太阳电池和光伏组件
    硅片的清洗方法、太阳电池和光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202410583152.2
    本申请提供了一种硅片的清洗方法、太阳电池和光伏组件，其中，硅片的清洗方法包括：对碱抛后的硅片进行第一清洗处理，以去除硅片表面的添加剂；对第一清洗处理后的硅片进行第二清洗处理，以去除在第一清洗处理过程中形成于硅片的第一氧化层；对进行第二清洗处...
    2025-11-23
  • 一种IBC电池及其制备方法
    一种IBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410569664.3
    本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例中，在形成n型掺杂区域之前，先通过印刷阻挡浆料对p型掺杂区域形成刻蚀阻挡作用，使得能够通过碱刻蚀形成n型掺杂区域；而在形成n型掺杂区域后，通过印刷阻挡浆料对n型掺杂区域形成刻蚀...
    2025-11-23
  • 太阳电池对位点的制备方法、太阳电池及其制备方法
    太阳电池对位点的制备方法、太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410547959.0
    本申请涉及一种太阳电池对位点的制备方法、太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池对位点的制备方法包括如下步骤：提供一硅衬底，第一表面上依次层叠设置有隧穿氧化层、掺杂硅材料层和氧化层；在氧化层上通过第一激光刻蚀于预设区域形成凹槽，凹槽沿氧化层的...
    2025-11-23
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_惠科股份有限公司_202511072333.X
    本申请属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器，阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第一钝化层和第二金属层，第一金属层形成在衬底基板一侧，栅极绝缘层和有源层依次形成在第一金属层远离衬底基板一侧，第一钝化层...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202411867475.0
    提供了一种图像传感器。图像传感器包括第一衬底、设置在第一衬底中的第一浮置扩散区域、设置在第一衬底上的源极跟随器栅电极、以及在第一衬底中设置在源极跟随器栅电极的一侧且与第一浮置扩散区域间隔开的第一源极区域，其中，在俯视图中，第一源极区域包括邻...
    2025-11-23
  • 金属硅化物的制备方法
    金属硅化物的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511064332.0
    本发明提供一种金属硅化物的制备方法，在已形成源极/漏极区的衬底上，依次沉积第一介质层和第二介质层；形成光刻胶图案，光刻胶图案覆盖衬底的预定非硅化物形成区域，并暴露出预定硅化物形成区域；蚀刻去除预定硅化物形成区域的第二介质层；对预定硅化物形成...
    2025-11-23
  • 修复图像传感器芯片因光谱改性而导致漏电流的方法
    修复图像传感器芯片因光谱改性而导致漏电流的方法_上海叠铖光电科技有限公司_202410552679.9
    本发明公开了修复图像传感器芯片因光谱改性而导致漏电流的方法；图像传感器芯片包括P型半导体和N型半导体形成的PN结，在光谱改性过程中所述PN结的外露表面出现损伤，出现游离的电子和空穴，形成漏电流，修复步骤如下：步骤1、在外露表面出现损伤的部位...
    2025-11-23
  • 改善CIS的像素区外围脱胶的方法及光刻胶图形结构
    改善CIS的像素区外围脱胶的方法及光刻胶图形结构_华虹半导体(无锡)有限公司_202510970578.8
    本申请提供一种改善CIS的像素区外围脱胶的方法及光刻胶图形结构，通过以图案化的光刻胶层为掩膜，对像素区进行离子注入工艺，以在像素区中形成隔离区，其中，图案化的光刻胶层的图形包括：网格型开口图形、多个I型开口图形以及四个V型开口图形，网格型开...
    2025-11-23
  • 基于铁电与二维材料的紫外光电探测器、阵列及制备方法
    基于铁电与二维材料的紫外光电探测器、阵列及制备方法_西安电子科技大学_202511070157.6
    本发明公开了一种基于铁电与二维材料的紫外光电探测器、阵列及制备方法。该紫外光电探测器包括依次层叠设置的硅衬底、铁电层、二氧化硅缓冲层、金电极层和二维材料层；二氧化硅缓冲层具有连接孔，连接孔暴露铁电层；金电极层包括位于连接孔两侧且互不连接的第...
    2025-11-23
  • 光伏组件
    光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511254783.0
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：多个电池串，多个电池串沿第一方向和第二方向间隔排布，沿第一方向排布的电池串相互串联，沿第二方向间隔排布的电池串相互并联，每个电池串包括串联的多个太阳能电池片；汇流装置，汇流装置用于串联或者并...
    2025-11-23
  • 太阳电池及光伏组件
    太阳电池及光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510283550.7
    本申请公开了一种太阳电池及光伏组件，太阳电池应用于光伏组件，光伏组件包括多个太阳电池，太阳电池包括太阳电池半成品和电极结构，电极结构包括多条副栅、焊盘组以及鱼叉，多条副栅沿第一方向间隔设置，每一条副栅沿第二方向延伸设置。焊盘组包括沿第一方向...
    2025-11-23
  • 一种光伏组件及光伏组件的制备方法
    一种光伏组件及光伏组件的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511475669.0
    本申请涉及光伏组件技术领域，特别是涉及一种光伏组件及光伏组件的制备方法。该光伏组件包括层压部件，层压部件从上至下依次包括正面玻璃、正面封装胶膜、电池组、背面封装胶膜和背面玻璃，电池组由多个电池片串联而成，并通过汇流条进行汇流；在汇流条于层压...
    2025-11-23
  • 一种可变色光伏器件及其制备方法
    一种可变色光伏器件及其制备方法_河南城建学院_202511085042.4
    本发明属于薄膜光电器件技术领域，具体公开一种可变色光伏器件及其制备方法，光伏器件包括位于玻璃基底上下表面的光伏电池部分和电致变色部分；光伏电池部分包括在玻璃基底上自下而上依次沉积的金属背电极层、光吸收层、前电极缓冲层、透明导电前电极层、透光...
    2025-11-23
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410569776.9
    本发明提供了一种光伏组件及其制备方法，涉及光伏组件领域，光伏组件的制备方法包括：获取电池片，并将电池片按预设间隔排列于工作台上后，将锡焊膏印刷至电池片上，以在电池片上形成多个焊接位，获取表面设置有绝缘层的铜带，并将铜带排列于电池片上，以使绝...
    2025-11-23
  • 一种具有光生载流子收集功能的复合汇流条结构及其制备方法和应用
    一种具有光生载流子收集功能的复合汇流条结构及其制备方法和应用_中能创光电科技(常州)有限公司_202511433795.X
    本发明公开了一种具有光生载流子收集功能的复合汇流条结构及其制备方法和应用，属于光伏组件技术领域，本发明通过在镀锡铜带表面沉积p型半导体和横截面形状呈现L形n型半导体，形成p‑n结，光照下内建电场分离光生载流子，并通过设置激光划线与掩膜分层实...
    2025-11-23
  • 一种透光的薄膜光伏组件及制造方法
    一种透光的薄膜光伏组件及制造方法_广东明阳薄膜科技有限公司_202511191241.3
    本发明公开了一种透光的薄膜光伏组件及制造方法，一种透光的薄膜光伏组件包括玻璃基板，玻璃基板的表面设置有多个间隔布置的薄膜电池膜层区，相邻的两个薄膜电池膜层区之间设置有透光区；每个薄膜电池膜层区设置有薄膜光伏电池组件，薄膜光伏电池组件具有多个...
    2025-11-23
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511445450.6
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，该光伏组件包括：间隔排布的多个电池片、覆盖电池片的封装层、光导向层和盖板，光导向层位于电池片的入光侧的封装层和盖板之间；光导向层至少包括：第一导光结构，对应于电池片的间隔设置，包括至少一个第一棱镜...
    2025-11-23
  • 一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法
    一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511132691.5
    本发明提供一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法，电池背面依次包括基板、复合背钝化层、交错排列于电池背面的P型电极和N型电极；所述复合背钝化层为SiO2/Al2O3双层钝化层；所述复合背钝化层上刻蚀形成接触窗口，并在接触窗口区域形成P型掺杂...
    2025-11-23
  • 第三类半导体封装结构
    第三类半导体封装结构_义隆电子股份有限公司_202510915821.6
    本发明公开一种第三类半导体封装结构，包括一第一导电界面、一第二导电界面、一第三类半导体功率元件以及一静电放电保护元件。该第三类半导体功率元件具有一闸极端及一源极端，其中该闸极端电性连接该第一导电界面，该源极端电性连接该第二导电界面。该静电放...
    2025-11-23
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