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最新专利技术
  • 一种钙钛矿及晶硅电池叠层组合的柔性组件及其制备方法
    一种钙钛矿及晶硅电池叠层组合的柔性组件及其制备方法_金阳(泉州)新能源科技有限公司_202511476505.X
    本发明属于叠层电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿及晶硅电池叠层组合的柔性组件及其制备方法，包括依次设置的玻璃基板、具有若干钙钛矿电池单元的钙钛矿电池组合、具有若干晶硅电池单元的晶硅背接触电池组合、设置有焊点及导电线路的柔性电路板，钙钛矿电池组...
    2025-11-23
  • 钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
    钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统_深圳黑晶光电技术有限公司_202511472985.2
    本申请涉及电池技术领域，公开了一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。钙钛矿晶硅叠层电池的制作方法包括：提供硅基板，硅基板包括相对设置的第一面和第二面；在硅基板的第一面制作依次层叠设置的P型掺杂层、第一电极层；在硅基板的第二...
    2025-11-23
  • 一种磺酰胺-氟协同钝化的钙钛矿器件及制备方法
    一种磺酰胺-氟协同钝化的钙钛矿器件及制备方法_榆林学院_202511155157.6
    本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，具体涉及一种磺酰胺‑氟协同钝化的钙钛矿器件及制备方法。所述钙钛矿器件沿厚度方向从下往上依次包括导电玻璃层、NiOx层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、空穴阻挡层和金属背电极，其中，钙钛矿吸光层为Cs...
    2025-11-23
  • 钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置及发电装置
    钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置及发电装置_宁德时代未来能源(上海)研究院有限公司_202410630674.3
    本申请涉及一种钙钛矿电池、光伏组件、光伏系统、用电装置及发电装置，该钙钛矿电池包括层叠设置的空穴传输层、钝化层和钙钛矿材料层；所述钝化层含有铵盐化合物；在所述铵盐化合物中，阴离子基团包括式(1)化合物中的至少一个含氧酸基团中的至少一个羟基失...
    2025-11-23
  • 叠层混合太阳能电池
    叠层混合太阳能电池_环球展览公司_202510233606.8
    本申请案涉及叠层混合太阳能电池。一种叠层光伏PV装置包括：衬底；位于所述衬底的一侧上的反射器层；与所述反射器层光学连通、经配置以吸收可见光的第一PV子电池；以及位于所述第一PV子电池上、经配置以吸收NIR光的第二PV子电池。
    2025-11-23
  • 基于偏压调控的光伏-倍增双模光电探测器及其制备方法
    基于偏压调控的光伏-倍增双模光电探测器及其制备方法_南京理工大学_202511034427.8
    本发明提供了一种基于偏压极性可调的光伏‑倍增双模光电探测器及其制备方法，采用多层结构设计，具体地由下至上依次为透明基底、第一导电电极层、电子传输层、感光活性层、空穴传输层和第二导电电极层；感光活性层为有机聚合物给体和富勒烯受体构成的异质结。...
    2025-11-23
  • 一种一维异质结构负响应光电子器件
    一种一维异质结构负响应光电子器件_苏州工学院_202511161579.4
    本公开提供一种一维异质结构负响应光电子器件，所述光电子器件包括半导体型单壁碳纳米管内填充无机钙钛矿形成的一维异质结构CPB@s‑SWCNTs，其中，所述光电子器件具有优异的负的光响应。本公开基于单壁碳纳米管与无机钙钛矿形成的异质结构构筑形成...
    2025-11-23
  • 显示面板、半导体纳米颗粒复合物、电子装置和滤色器
    显示面板、半导体纳米颗粒复合物、电子装置和滤色器_三星电子株式会社_202510619514.3
    提供了显示面板、半导体纳米颗粒复合物、电子装置和滤色器。所述显示面板包括：发光面板；以及颜色转换面板，面对发光面板，其中，发光面板包括被构造为发射包括第一光和第二光的入射光的发光器件，其中，第一光的最大峰值发射波长存在于大于或等于约440n...
    2025-11-23
  • 发光二极管、包括发光二极管的显示装置和包括显示装置的电子装置
    发光二极管、包括发光二极管的显示装置和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510543222.6
    本申请涉及包括半导体层的发光二极管、包括发光二极管的显示装置、以及包括显示装置的电子装置。发光二极管包括：第一电极层，包括反射材料；半导体层，设置在第一电极层上，并且包括彼此间隔开的多个发光构件；第二电极层，包括分别设置在多个发光构件上的多...
    2025-11-23
  • 一种新型Micro LED产品封装及光学结构
    一种新型Micro LED产品封装及光学结构_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511454402.3
    本申请公开了一种新型Micro LED产品封装及光学结构，包括相互配合的封装模组与光学透镜；封装模组由FPCB基板、芯片组件及MOC塑封层构成，且所述CMOS芯片的焊盘通过导线与所述FPCB基板的金手指导通形成电回路；所述MOC塑封层或封装...
    2025-11-23
  • 基于电荷补偿法的Micro-LED器件及其制备方法
    基于电荷补偿法的Micro-LED器件及其制备方法_电子科技大学_202511153575.1
    本发明公开了基于电荷补偿法的Micro‑LED器件及其制备方法，涉及纳米发光材料与显示技术领域，通过Mg2+电荷补偿，解决Mn4+掺杂氟化物纳米晶时因晶体尺寸减小导致的Micro‑LED器件发光效率降低、驱动电压升高、器件寿命降低等问题。M...
    2025-11-23
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202511081649.5
    公开了显示装置，该显示装置包括：基板，包括显示区域和非显示区域；以及像素，设置在显示区域中，像素各自包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，第一电极在一些区段中包括闭合环。
    2025-11-23
  • 显示装置和制造显示装置的方法
    显示装置和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202510601693.8
    本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括显示区域和形成在显示区域周围的非显示区域，显示装置包括：衬底；像素电路层，设置在衬底上，并且包括设置在显示区域中的多个子像素电路；多个第一导电连接器，设置在像素电路层上；以及显示元件层，设...
    2025-11-23
  • 发光二极管阵列基板及修复方式
    发光二极管阵列基板及修复方式_友达光电股份有限公司_202511097516.7
    本发明提供一种发光二极管阵列基板及修复方式，此发光二极管阵列基板包含基板以及至少两个发光二极管元件。基板包含P极区域、间隔设置于P极区域的N极区域以及间隔设置于P极区域以及N极区域的至少一间接电极区域。其中一个发光二极管元件的P极以及N极分...
    2025-11-23
  • 一种阵列LED芯片及其制备方法
    一种阵列LED芯片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511125838.8
    本发明公开了一种阵列LED芯片及其制备方法，涉及LED制造技术领域，阵列LED芯片包括堆叠的N型硅衬底、绝缘层、键合金属层、发光结构层和保护层，N型硅衬底中设置有多个P型掺杂区，P型掺杂区与四周的N型硅衬底区域构成齐纳二级管结构；键合金属层...
    2025-11-23
  • 一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法
    一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511454468.2
    本申请公开了一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法，包括S1，蓝光Micro LED芯片预处理；S2，光刻工艺处理；S3，涂覆硅胶荧光粉混合物；S4，真空静置与高温固化；S5，高精度研磨减薄；S6，光刻胶去除；可选S7，增设挡光结...
    2025-11-23
  • 一种基于晶圆键合的全彩micro-LED显示器件制备方法
    一种基于晶圆键合的全彩micro-LED显示器件制备方法_闽都创新实验室_202511085925.5
    本公开属于显示器件技术领域，涉及一种基于晶圆键合的全彩micro‑LED显示器件制备方法，包括：制备至少一个micro‑LED晶圆，其包含与驱动基板部分或全部像素排布位置相对应的micro‑LED；同一所述micro‑LED晶圆上的micr...
    2025-11-23
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202510926504.4
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，本申请的发光二极管的电流扩展层形成有凹陷区以及位于凹陷区周围的平台区，透明绝缘层覆盖电流扩展层并且不完全覆盖其中的平台区。透明导电层覆盖透明绝缘层以及未被透明绝缘层覆盖的平台区，并且透明导电层远离电流扩展...
    2025-11-23
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511065970.4
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括基板、半导体叠层、第一金属保护层和第二金属保护层；半导体叠层设置于基板的第一表面上方；第一金属保护层设置于基板与半导体叠层之间，与第二半导体层电连接；第二金属保护层围绕第一金属保护层的周向...
    2025-11-23
  • 多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片
    多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511476365.6
    本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片，多量子阱层包括周期性层叠设置的第一发光多量子阱层、插入层以及第二发光多量子阱层；其中，第一发光多量子阱层当中的阱层的In组分含量不同于第二发光多量子阱层当中的阱层的In组分含...
    2025-11-23
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