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  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置,其包括:箱体;夹持组件,设置于箱体中,其能够竖直夹持并带动晶圆旋转;防护组件,设置于所述夹持组件的外周侧,其包括旋转罩和固定罩,所述旋转罩连接于夹持组件并位于待处理晶圆的外周侧,所述固定罩同心设置于旋转罩的外...
  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置,其包括:箱体;夹持组件,设置于箱体中,其能够竖直夹持并带动晶圆旋转;防护组件,设置于所述夹持组件的外周侧,其包括旋转罩和固定罩,所述旋转罩连接于夹持组件并位于待处理晶圆的外周侧,所述固定罩同心设置于旋转罩的外...
  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置,其包括:箱体;夹持组件,设置于箱体中,其能够竖直夹持并带动晶圆旋转;防护组件,设置于所述夹持组件的外周侧,其包括旋转罩和固定罩,所述旋转罩连接于夹持组件并位于待处理晶圆的外周侧,所述固定罩同心设置于旋转罩的外...
  • 本发明公开了一种晶圆装载装置,其包括:底座;托架,其位于底座上方;所述托架上方配置有检测组件,所述检测组件包括杆件,所述杆件能够绕定点上下摆动,其端部设置有配重块;所述托架上方配置有压力检测口,所述配重块的设置位置与压力检测口相对应;所述杆...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明的衬底处理装置具备:处理腔室,具有能够收容衬底的内部空间;供给部,对处理腔室供给处理流体;排出部,将处理流体从处理腔室排出;控制部,控制供给部及排出部,使内部空间的压力按照规定的处理配方而变化...
  • 本发明的衬底处理装置具备:处理腔室,具有能够收容衬底的内部空间;供给部,能够将处理流体作为液体供给;加热部,将从供给部供给的液体的处理流体加热到处理流体的临界温度以上,使之转移到超临界状态;流路形成部,形成从流体供给部经过加热部到达处理腔室...
  • 本公开涉及接合设备、接合方法和制品制造方法。一种接合设备实施将接合对象接合到接合目标对象的接合操作,包括:驱动单元,所述驱动单元配置成实施驱动,使得接合对象接合到接合目标对象;以及控制单元,所述控制单元配置成控制接合操作,使得在将接合对象接...
  • 本发明的衬底处理装置具备:第1供给部,对处理腔室供给处理流体,作为加压到比临界压力低压的第1压力的气体;第2供给部,供给比临界压力高压的第2压力的处理流体;导入流路,向处理腔室的内部空间导入处理流体;第1配管,经由第1阀将第1供给部与导入流...
  • 提供能够抑制安装精度的降低的部件压接装置以及部件压接方法。部件压接装置(100)具备:载置部(12a),载置经由各向异性导电膜(4)配置有部件(3)的基板(2),使得主表面(3a)与基板对置;压接部(21),具备具有按压面(33a)的压接工...
  • 本公开提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,能够减少用于清洗排液用配管内的溶剂的使用量。本公开的一个方面所涉及的基板处理装置对基板实施规定的处理。该基板处理装置具备:保持部,其用于在使用处理液对基板实施液处理时保持基板;杯部,其以...
  • 本发明是一种衬底处理方法,所述衬底处理方法在处理腔室内由超临界状态的处理流体处理衬底,具备下述第1及第2工序。第1工序中,对收容着衬底的处理腔室的内部空间导入处理流体,作为加压到比临界压力低压的第1压力的气体,使内部空间升压到第1压力。第2...
  • 一种衬底加工装置可以包括:干燥壳体,具有用于执行干燥工艺的内部空间;工艺流体供应部,被配置为接收在干燥工艺中使用的工艺流体;供应流体管线,连接到干燥壳体和工艺流体供应部;减压流体管线,连接到供应流体管线;以及控制器,被配置为控制衬底加工装置...
  • 本发明公开一种原子层刻蚀方法及设备,所述原子层刻蚀方法包括:依序进行的多个循环;每一循环包括:向反应腔内通入沉积气体和刻蚀气体;施加激发功率,以将沉积气体电离为第一等离子体以及将刻蚀气体电离为第二等离子体;且第一等离子体对反应腔内衬底表面的...
  • 本发明提供一种保温装置以及半导体热处理设备。保温装置设置在半导体热处理设备的工艺门上,用于对反应腔内的热量进行保温;保温装置包括保温组件和加热组件,其中,保温组件具有容纳空间;加热组件设置于容纳空间中,加热组件用于向保温组件辐射热量,从而能...
  • 本发明揭示了一种种子层处理装置及方法、基板处理设备,该种子层处理装置包括:处理腔,包括腔门、进气口和排气口,其中,腔门用于供基板进出处理腔,基板的表面具有种子层,进气口用于向处理腔导入还原性气体,排气口用于排出处理腔中的气体;等离子体发生装...
  • 本发明提供了一种自由基浓度的在线检测方法及检测系统,检测方法包括:控制模块执行第一检测模式,以获得本底基线信号;控制模块执行第二检测模式,以获得包括所述本底基线信号和自由基浓度信号的总信号;其中,第二检测模式为:开启等离子体源的电源和所述电...
  • 本披露公开了一种半导体芯片金属通孔断路风险评估方法及检测方法。该半导体芯片金属通孔断路风险评估方法包括:对半导体芯片进行量测,以得到各待测金属通孔的量测数据;根据各待测金属通孔的量测数据形成各待测金属通孔的孤立因子和内在因子;根据优先级规则...
  • 本发明公开了一种基于智能算力算法的电路封装测试系统及方法,涉及电路封装测试技术领域,该方法通过调取历史测试数据,筛选出含有异常数据的第一目标测试节点,并构建目标参数数据组;计算第一测试节点的平均异常频次和信号偏向比,并计算故障影响因子来确定...
  • 本申请公开了一种颗粒检测装置及颗粒检测方法,属于半导体技术领域。本申请通过光束扩束装置对光源产生的激光光束进行放大;并在光束扩束装置的出光侧设置开关阵列,通过每个开关对激光光束中入射至每个开关的部分进行独立控制,实现对激光光束的编辑;随后通...
  • 本发明公开了探针排布机,该设备旨在解决现有的探针卡的工序大都是人工操作,很容易有掉落针,损坏,同时针的尺寸很小,人员要在显微镜下操作非常不方便的问题;包括工作台,所述工作台上表面的右侧分别设置有上料盒、盖板回收机构、上卸料机构和卸料盒,所述...
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