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最新专利技术
  • 用于农业应用的天然脂质颗粒配制品
    用于农业应用的天然脂质颗粒配制品_英薇艾欧科学股份有限公司_202480024558.5
    本文披露了用于在多种农业方法中使用的组合物，所述组合物包含多个天然来源的脂质颗粒，所述天然来源的脂质颗粒包含磷脂、非极性脂质和表面改性剂，并且进一步包含生物活性物质。
    2025-11-24
  • 含有噻酮磺隆的乳油(EC)制剂
    含有噻酮磺隆的乳油(EC)制剂_拜耳公司_202480023527.8
    本发明涉及乳油制剂，其包含噻酮磺隆或其农业化学上可接受的盐、一种或多种有机水不混溶性溶剂、一种或多种选自直链和环状碳酸酯的有机水混溶性溶剂、一种或多种乳化剂和一种或多种有机碱，其中所述制剂的pH在pH 5.5和pH 9之间。
    2025-11-24
  • 除草混合物
    除草混合物_拜耳公司_202480022603.3
    本发明涉及作为除草活性化合物的至少两种除草剂的组合，其中组合物包括除草活性化合物(A)和(B)，其中(A)为一种或多种通式(I)的化合物或其农用化学上可接受的盐，(B)为结构上与组分(A)不同的一种或多种其他的除草活性化合物。
    2025-11-24
  • 组合物、蚂蚁控制剂和蚂蚁控制方法
    组合物、蚂蚁控制剂和蚂蚁控制方法_信越化学工业株式会社_202480026978.7
    提供一种对属于蚁科的蚂蚁具有生理活性的组合物、一种有效用于蚂蚁控制的蚂蚁控制剂、和一种蚂蚁控制方法。更具体地说，提供：一种组合物，其包含至少一种具有19至50个碳原子并且对属于蚁科的蚂蚁具有生理活性的烃化合物、糖和表面活性剂；一种用于控制属...
    2025-11-24
  • 用于细胞冷冻保存的制剂
    用于细胞冷冻保存的制剂_恩塞尔有限公司_202480025065.3
    本发明涉及一种用于细胞冷冻保存的制剂，其能够显著改善冷冻保存细胞优选干细胞的细胞存活率。根据本发明，在冷冻后的解冻过程中可提高细胞存活率，从而防止细胞治疗产品在储存和运输过程中可能出现的治疗功效降低。
    2025-11-24
  • 光源装置、光反射构件和透光性构件
    光源装置、光反射构件和透光性构件_FKK株式会社_202480024098.6
    一种光源装置，其发射如下的光，该光为与构成昆虫的眼睛的一部分的多种视细胞中的包含具有吸收峰分离的两个吸收波段的视色素的视细胞的兴奋度相比，包含具有在两个吸收波段各自的吸收峰之间具有吸收峰的吸收波段的视色素的至少一个视细胞的兴奋度低的光，所述...
    2025-11-24
  • 早生温州蜜柑变种权制早生及其育种方法
    早生温州蜜柑变种权制早生及其育种方法_济州大学校产学协力团_202480026030.1
    本发明涉及一种突变温州蜜柑新品种“权制早生”，具体而言，涉及一种柑橘新品种，其通过对早生温州宫川早生的枝芽照射伽马射线后嫁接并进行无性繁殖而获得。权制早生在果实外形变异、果皮厚度、果实硬度等果实性状上，与宫川早生存在差异，并且由于其果实贮藏...
    2025-11-24
  • 在非平坦表面上移动的轮式机械的三维转向
    在非平坦表面上移动的轮式机械的三维转向_拓普康定位系统公司_202380096565.1
    精准农业利用高准确度导航、姿态确定和障碍物检测方法来节省资源并取得更好的结果。所收集的机械位置和姿态以及障碍物位置数据可以有效地被采用来合成自主农业机械的控制算法。这些算法用于覆盖路径规划、路线规划、沿指定路径的运动稳定、障碍物避免和确保保...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制备方法、射频芯片及电子设备
    半导体器件及其制备方法、射频芯片及电子设备_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511081720.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、射频芯片及电子设备，半导体器件包括：衬底；第一介质层，位于衬底上；图案化的第一膜层，位于第一介质层上，第一膜层包括多个加热电极和多个叉指电容；第二介质层，位于第一膜层上和第一介质层上；图案化的第二膜层...
    2025-11-24
  • 一种氧化碲忆阻器及其制备和应用
    一种氧化碲忆阻器及其制备和应用_西安电子科技大学_202511077727.4
    本发明提供了一种氧化碲忆阻器及其制备和应用，属于半导体器件应用技术领域，本发明利用热蒸发法制备TeOx薄膜，和磁控溅射法沉积电极的方法构建了A/TeOx/A结构的忆阻器；本发明忆阻器在光和电刺激下实现突触可塑性和或、与逻辑门；在不同波长光脉...
    2025-11-24
  • 一种阳离子盖板退火调控二维/三维钙钛矿薄膜的忆阻突触器件及制备方法
    一种阳离子盖板退火调控二维/三维钙钛矿薄膜的忆阻突触器件及制备方法_杭州电子科技大学_202511065243.8
    本发明属于忆阻突触器件技术领域，具体涉及一种阳离子盖板干燥退火调控二维/三维钙钛矿薄膜的忆阻突触器件及其制备方法。通过将氟化功能化二维钙钛矿(4, 4‑DFHHA)2PbI4与三维钙钛矿结合作为阻变层，采用一步旋涂与阳离子盖板干燥结合制备I...
    2025-11-24
  • 多通道纳米流体忆阻器及实现方法
    多通道纳米流体忆阻器及实现方法_中山大学·深圳_202511035261.1
    本发明公开了一种多通道纳米流体忆阻器及实现方法。该忆阻器包括：电解池、电极、垫片、中间层基质和生成层基质；所述中间层基质设置有一个微米孔道，所述生成层基质设置有若干纳米孔道；所述微米孔道用于调节所述纳米孔道导通的数量；所述垫片、所述中间层基...
    2025-11-24
  • 基于异质结的跳变自整流忆阻器及其制备方法
    基于异质结的跳变自整流忆阻器及其制备方法_湘潭大学_202510991475.X
    本发明公开了一种基于异质结的跳变自整流忆阻器，包括上电极、绝缘层和下电极，所述绝缘层采用异质结结构，自上而下依次为整流层和阻变层，上电极、整流层、阻变层、下电极垂直堆叠集成在硅片衬底上；所述整流层采用高氧分压条件下沉积的氧化铪薄膜，具有电荷...
    2025-11-24
  • 可见光敏忆阻器及其制备方法
    可见光敏忆阻器及其制备方法_苏州实验室_202510881839.9
    本申请提供了一种可见光敏忆阻器及其制备方法，通过将钙钛矿光敏材料应用到AlScN基忆阻器当中，相较于传统的AlScN基光敏忆阻器，由于钙钛矿的光敏结构制备工艺简单、成本低廉，且对可见光响应较强，相较于III族氮化物(如GaN)光敏结构，不仅...
    2025-11-24
  • 一种AsSeTe选通管材料及选通管单元
    一种AsSeTe选通管材料及选通管单元_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202510900380.2
    本发明涉及一种AsSeTe选通管材料及选通管单元，所述AsSeTe选通管材料的化学通式为AsxSeyTez，式中0.1≤x≤0.5，0.2≤y≤0.6，z＝1‑x‑y。本发明中AsSeTe选通管材料可通过调控As、Se、Te的原子配比或引入...
    2025-11-24
  • 约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法
    约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202410617963.X
    本发明提供一种约瑟夫森结并联电阻结构及其制备方法，该约瑟夫森结并联电阻结构的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上表面形成包括第一超导层、绝缘材料层及第二超导层的叠层结构；基于叠层结构依次定义底电极及包括绝缘层及顶电极的结区结构；形成覆...
    2025-11-24
  • 一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导
    一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导_电子科技大学_202511494554.6
    本发明提供了一种基于交替磁体磁畴壁的纳米自旋波波导，属于磁性器件技术领域。该器件包括由下到上依次设置的衬底层、交替磁体薄膜以及微波激励源；微波激励源激发具有单一频率的交变磁场，交变磁场和交替磁体薄膜的磁矩发生相互作用，使得磁矩发生进动，并将...
    2025-11-24
  • 一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法
    一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法_华中科技大学_202510995325.6
    本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种高厚度铪基压电薄膜器件的优化方法，高厚度铪基压电薄膜器的铪基压电功能层的厚度不低于20nm，是由氧化铪与氧化锆交替叠层形成的超晶格结构；通过在铪基压电功能层内部每隔预设厚度在两相邻超晶格单元的界面处沉...
    2025-11-24
  • 一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法
    一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法_北京林业大学_202511501664.0
    本发明公开了一种防水防腐蚀的含氟铁电驻极体及其制备方法，属于功能高分子材料与柔性电子技术交叉技术领域。该含氟铁电驻极体通过将上下两层致密聚合物薄膜与中间层进行边缘熔融封装，再经电晕极化处理制得，所述中间层为多孔聚合物膜单层结构或多孔聚合物膜...
    2025-11-24
  • 压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法
    压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410604092.8
    本发明属于压电陶瓷材料的技术处理领域，具体涉及压电陶瓷材料加压极化装置及压电陶瓷材料加压极化方法。为解决现有压电陶瓷材料极化技术存在的极化场强高、易击穿的难题，本发明提供了一种压电陶瓷材料加压极化装置，包括：用于承载压电陶瓷的底座；用于压电...
    2025-11-24
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