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最新专利技术
  • 一种光伏场智能除湿降温高压开关柜
    一种光伏场智能除湿降温高压开关柜_寿光鸿海电力有限公司_202511146825.9
    本发明公开了一种光伏场智能除湿降温高压开关柜，包括柜体、智能环境感知装置和复合式除湿降温装置。智能环境感知装置通过温度、湿度、光照强度和气压传感器实时采集柜内环境数据，经控制器处理后控制复合式除湿降温装置运行。复合式除湿降温装置包含多种组件...
    2026-02-05
  • 一种配电工程的室外电力高低压配电柜
    一种配电工程的室外电力高低压配电柜_国网江苏省电力有限公司宿迁供电分公司_202511130862.0
    本发明公开了一种配电工程的室外电力高低压配电柜，包括配电柜，配电柜的侧面开设有通风孔，通风孔配置有封盖，封盖有一部分转动安装于通风孔内，通风孔所在的配电柜侧面外壁安装有可升降的浮子，浮子通过力传递机构与封盖连接，由浮子承受浮力作用上升时通过...
    2026-02-05
  • 一种除湿防潮的综合配电箱
    一种除湿防潮的综合配电箱_江西浩拓电气科技有限公司_202510926616.X
    本发明公开一种除湿防潮的综合配电箱，涉及配电箱领域。该除湿防潮的综合配电箱，包括箱体单元、进气单元和排气单元，箱体单元包括外箱壳和安装于外箱壳内部的设备箱，所述设备箱的顶部和底部均开设有透气孔，所述进气单元和排气单元分别设置在设备箱的底部和...
    2026-02-05
  • 一种智能安全防护性高低压配电柜
    一种智能安全防护性高低压配电柜_江苏海通电器有限公司_202510383037.5
    本发明属于电网配电柜技术领域，尤其是涉及一种智能安全防护性高低压配电柜，包括高低压配电柜主体，高低压配电柜主体的门框处表面固定连接有挡框，挡框靠近高低压配电柜主体门板的一侧活动连接有密封条，高低压配电柜主体的底端内壁固定连接有底板，底板的上...
    2026-02-05
  • 一种室外水泵配电室
    一种室外水泵配电室_扬州市博超机电设备有限公司_202510378847.1
    本发明公开了一种室外水泵配电室，属于电力设备技术领域，包括配电室本体，所述配电室本体上设有散热组件，所述配电室本体上开设有与散热组件配合的进气口与排气口。本方案通过设置封堵板，在配电室本体内电子器械停止工作无需散热时，弹性气囊收缩并带动连接...
    2026-02-05
  • 轻量模块化、一体化母线式电能计量装置
    轻量模块化、一体化母线式电能计量装置_浙江康格电气有限公司_202511165154.0
    本发明公开了轻量模块化、一体化母线式电能计量装置，涉及到电能计量技术领域，包括固定模块和内置于固定模块内的一体化母线铜排模块，还包括与一体化母线铜排模块连接的安装模块和与安装模块插接的计量模块；本发明通过一体化母线铜排模块、安装模块和多个辅...
    2026-02-05
  • 一种变电站保护屏标尺化接线单元
    一种变电站保护屏标尺化接线单元_国网浙江省电力有限公司开化县供电公司_202410660562.2
    本发明公开了一种变电站保护屏标尺化接线单元，旨在解决现有技术中变电站保护屏上接线数量多，在接线的时候，需要反复的通过螺丝刀拧进、拧出，操作非常的麻烦；另外，由于接线数量多，也会造成接线容易出错的问题。本发明通过以下技术方案解决上述技术问题：...
    2026-02-05
  • 一种轻量化高压配电箱框架
    一种轻量化高压配电箱框架_广汽领程新能源商用车有限公司_202511482748.4
    本发明提供了一种轻量化高压配电箱框架，包括：主体框架、电池框和底部框，电池框拆卸安装于主体框架上表面，主体框架两侧分别连接有U型吊臂，两个U型吊臂表面分别设有第一连接孔和第二连接孔，第二连接孔贴合有连接板，连接板内螺纹连接有连接螺栓。通过蒙...
    2026-02-05
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510673111.7
    提供一种火花塞，能够减少端头的龟裂的产生。火花塞具备：绝缘体，设置有沿着轴线延伸的轴孔；中心电极，配置于轴孔；主体配件，配置于绝缘体的外周；以及接地电极，与主体配件连接，中心电极及接地电极中的至少一方包括以Ru为主成分的端头，端头的气孔率为...
    2026-02-05
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510409955.0
    本发明提供一种火花塞，能够减少端头的龟裂的产生。火花塞具备设有沿着轴线延伸的轴孔的绝缘体、配置于轴孔的中心电极、配置于绝缘体的外周的主体配件、与主体配件连接的接地电极，中心电极以及接地电极中的至少一方包括母材和与母材接合的端头。端头以Ru为...
    2026-02-05
  • 火花塞
    火花塞_日本特殊陶业株式会社_202510370752.5
    本发明提供一种火花塞，能够减少端头的消耗。火花塞具备设有沿着轴线延伸的轴孔的绝缘体、配置于轴孔的中心电极、配置于绝缘体的外周的主体配件、与主体配件连接的接地电极，中心电极以及接地电极中的至少一方包括以Ru为主成分的端头，端头包括在轴线方向上...
    2026-02-05
  • 气体放电管电极用电子粉及电极
    气体放电管电极用电子粉及电极_湖北汉光科技股份有限公司_202511182888.X
    本发明公开一种气体放电管电极用电子粉及电极，所述电子粉的原料按重量份计包括：20‑50份的碳酸盐、3‑10份的钛粉和1‑5份的稀土氧化物，以及SiO2粉，SiO2粉的重量占碳酸盐、钛粉和稀土氧化物总重量的5‑8%。本发明的电子粉中掺入了稀土...
    2026-02-05
  • 高功率窄线宽混合集成激光器
    高功率窄线宽混合集成激光器_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511558067.1
    本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种高功率窄线宽混合集成激光器，包括宽波导激光增益芯片和硅基外腔光子芯片，硅基外腔光子芯片包括尖端多段式边缘耦合器、总线波导、至少三个级联的微环谐振器和反馈组件；尖端多段式边缘耦合器包括尖端波导阵列和锥形...
    2026-02-05
  • 一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器
    一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器_安徽格恩半导体有限公司_202511575034.8
    本发明提出了一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和接触层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层，所述衬底与第...
    2026-02-05
  • 半导体激光器及其制备方法
    半导体激光器及其制备方法_苏州镓锐芯光科技有限公司_202511011062.7
    本申请提出一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：沿第一方向依次层叠设置的下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层；其中，自上波导层朝向有源层的一侧至背离有源层一侧的方向上，上波导层的带隙递增；自上限制层朝向电子阻...
    2026-02-05
  • 一种衍射型面发射半导体激光器
    一种衍射型面发射半导体激光器_苏州实验室_202511546437.X
    本发明涉及一种衍射型面发射半导体激光器，包括从上到下依次设置的上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，有源层发射光，有源层的至少一侧设置有光学调制结构，光学调制结构包括强面内反馈区域和弱面内反馈区域，强面内反馈...
    2026-02-05
  • 一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器
    一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器_苏州实验室_202511546436.5
    本发明涉及一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器，包括上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，有源层发射光，有源层的至少一侧设置有光学调制结构，光学调制结构位于上包层和/或下包层中；其中，光学调制结构为环形结构；...
    2026-02-05
  • 一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法
    一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法_南昌大学_202511554533.9
    本申请涉及一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法，结构包括异质结有源区、第一导电层、第二导电层、第一反射镜、第二反射镜、第一电极以及第二电极，其中第一导电层包括凸起的光波导限制结构，光波导限制结构向背离异质结有源区的一侧凸起，用于光场能量...
    2026-02-05
  • 一种面发射激光器及面发射激光器制备方法
    一种面发射激光器及面发射激光器制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511288276.9
    本发明公开了一种面发射激光器及面发射激光器制备方法，应用于激光器领域，该面发射激光器包括：信号区、放大区和面发射区；信号区、放大区和面发射区，均包括衬底，在衬底的表面生长制备的外延层，在外延层的表面和衬底的表面制备形成的后工艺层；面发射区内...
    2026-02-05
  • 垂直腔面发射激光器及其制备方法
    垂直腔面发射激光器及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511173682.0
    本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中垂直腔面发射激光器的制备方法包括以下步骤：提供衬底，且在衬底上依次形成外延层以及第一介质层；形成贯穿第一介质层并与外延层接触的P极金属层；形成第二介质层于第一介质层上并延伸覆盖P极金属层；...
    2026-02-05
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