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  • 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种BC太阳能电池及其钝化工艺,该太阳能电池,包括硅基(7),该硅基(7)的表面依次形成有SiO2钝化层(2)、Al2O3钝化层(1)及SiNx : H钝化层(3),且所述SiO2钝化层(2)、Al2O3钝化...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。太阳电池包括衬底、空穴传输层、电子传输层以及种子层。种子层包括第一种子层和/或第二种子层。在太阳电池中引入第一种子层和第二种子层,第一种子层的功函数介于衬底的功函数和空穴传输层的功函数之间,第二种子层的功...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。太阳电池包括衬底、P型掺杂层、N型掺杂层、第一电极以及第二电极;所述P型掺杂层和所述N型掺杂层分别位于所述衬底的正面和背面,所述第一电极与所述P型掺杂层连接,所述第二电极与所述N型掺杂层连接;所述P型掺杂...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅片、背离硅片依次设置在受光面上的N型掺杂非晶硅层、第一TCO层以及第二TCO层、以及背离硅片依次设置在背光面上的P型掺杂非晶硅层、第三TCO层、第四TC...
  • 本发明公开了一种光伏电池片及光伏组件,光伏电池片包括电池片本体,电池片本体还包括多个独立的栅线区,多个栅线区分别设在第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层上,多个栅线区沿第三方向排布,相邻两个栅线区之间具有隔离区,隔离区在第一方向上对应的电...
  • 本申请涉及光伏领域,提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件,该背接触电池包括本体,本体的背光面设置有主栅和细栅,主栅包括第一主栅和第二主栅,细栅包括沿第二方向交替分布的第一细栅和第二细栅,第一细栅与第二主栅间隔设置,第二细栅与第一主...
  • 本公开实施例提供一种背接触电池片、叠层电池及光伏组件,其中,背接触电池片包括:基底包括:相对的正面及背面,背面包括中心区以及分别位于中心区相对两侧的第一边缘区和第二边缘区;第一掺杂导电层包括在第一方向上相对设置的第一掺杂导电部和第二掺杂导电...
  • 本发明提供了一种太阳电池及激光切片方法,属于光伏技术领域。它包括电池本体,所述的电池本体前表面至少设有一条无发射极区域,具体方法是用激光在电池本体具有p‑n结一面,在后续的激光切片位置将有p‑n上面的磷硅玻璃或硼硅玻璃划开,接着用湿法腐蚀、...
  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种电池片、电池组件及光伏系统,包括基底,所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面;设置于所述第一表面上的第一细栅和第二细栅,所述第一细栅和所述第二细栅的极性相反,所述第一细栅和所述第二细栅沿第一方向延伸且沿...
  • 本申请适用于光伏技术领域,提供了一种电池片、电池组件及光伏系统,包括基底,所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面;设置于所述第一表面上的第一细栅和第二细栅,所述第一细栅和所述第二细栅的极性相反,所述第一细栅和所述第二细栅沿第一方向延伸且沿...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、电池串、电池组件和光伏系统,在第一表面上设有第一细栅,第一焊盘设置与第一边缘具有一定距离的位置处,第一焊盘用于与第一焊带进行焊接,第一连接栅线连接第一焊盘以及第一焊盘和第一边缘之间的第一...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种电极结构、太阳电池串及其制备方法、光伏组件,电极结构包括:主栅;焊盘,焊盘沿第一方向连接在主栅上,焊盘包括第一开口框、第二开口框,以及连接第一开口框和第二开口框的焊盘本体,第一开口框、第二开口框与主栅的连接区...
  • 本发明涉及一种光伏组件及其生产方法。上述光伏组件包括多个电池片以及连接多个电池片的焊带;电池片包括电池主体、栅线、焊接点、绝缘层以及导电胶,栅线分布在电池主体的表面,焊接点和导电胶分别分布在栅线上并与栅线导电连接,绝缘层沿栅线覆盖在栅线上,...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是涉及一种金属栅线结构及太阳电池的制备方法。该金属栅线结构可设置在异质结太阳电池上。该金属栅线结构包括层叠设置的接触层和置换层,接触层用于设置在金属种子层上,置换层用于至少部分形成金属保护层,沿金属栅线结构的厚度...
  • 本发明涉及一种TOPCon太阳能电池、电池组件,所述TOPCon太阳能电池硅基底的背面间隔设置有若干去除部和非去除部,非去除部设置有背面金属电极;背面金属电极包括于背面钝化层上沿第一方向延伸并沿第二方向排列设置的若干细栅;两个相邻所述细栅之...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法、叠层电池和光伏组件,太阳能电池包括:基底,具有相背设置的第一表面和第二表面;第一隧穿层,位于第二表面的一侧;第一掺杂半导体层,位于第一隧穿层远离基底的一侧;其中,第一掺杂半导体层中掺杂有硼元素和镓元素,...
  • 本发明公开了一种PECVD工艺渐变叠层减反膜及其制备方法,涉及太阳能电池领域:所述渐变叠层减反膜的膜层交界处的PECVD沉积成分含量为渐变。制备方法为通过PECVD方法依次沉积膜层一、膜层二和膜层三,包括:开启辅热对炉管进行预热并开始抽真空...
  • 本申请公开了一种碲化镉发电玻璃及其制备方法,该方法包括:在玻璃衬底上由下至上依次制备多膜层结构;对多膜层结构进行划刻,以形成第一划刻区;填充绝缘材料于第一划刻区,形成绝缘区;以绝缘区和多膜层结构为基础,进行第二次划刻,以形成第二划刻区;其中...
  • 本发明提供了一种TBC电池及其制备方法,通过调整印刷和激光图形,缩小P区或/和N区面积,增大gap区域面积,减少金属遮挡面积,提高光子利用率,显著提升电流密度;减少金属区复合,提高电池片的Voc及钝化性能。通过将具有金字塔绒面的gap区域进...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开了一种提高太阳电池激光辅助烧结可靠性的方法和太阳电池。该方法包括:对金属化工艺处理后的太阳电池先进行正向偏压工艺处理,迫使如Ag+的金属正电极周围的其他阳离子(如H+等)远离金属正电极及电池表面,以免如H+的...
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