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最新专利技术
  • 一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法
    一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法_包头钢铁(集团)有限责任公司_202511527337.2
    本发明公开了一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法，其特征在于：涂覆时30次往复动摩擦系数均值＜0.10，同时膜厚控制在1.0～1.3μm。本发明的目的是提供一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法，确保耐指纹钝化涂层在冲压变形过程中不发生脆裂脱落现...
    2026-04-14
  • 一种镁合金表面兼具腐蚀防护和油水分离功能的水热膜层制备方法
    一种镁合金表面兼具腐蚀防护和油水分离功能的水热膜层制备方法_河海大学_202511730407.4
    本发明公开了一种镁合金表面兼具腐蚀防护和油水分离功能的水热膜层制备方法，属于镁合金表面处理技术领域，本发明将镁合金基体置于磷酸钠水热液中进行水热处理，得到水热镀膜样品；再将覆有水热膜层的样品(即水热镀膜样品)置于全氟癸基三乙氧基硅烷‑乙醇溶...
    2026-04-14
  • 一种镁合金表面碳酸钙膜层的水热钝化方法
    一种镁合金表面碳酸钙膜层的水热钝化方法_河海大学_202511707887.2
    本发明公开了一种镁合金表面碳酸钙膜层的水热钝化方法，属于镁合金表面处理技术领域，本发明采用水热的方法对水浴镀膜镁合金进行钝化处理，在原有存在缺陷的碳酸钙沉积膜下形成一层新的致密层，实现镀膜镁合金的“内钝化”，显著增强了镀膜镁合金的耐蚀性。
    2026-04-14
  • 一种超声辅助CO2增压法制备AZ31B镁合金原位LDHs转化膜提高腐蚀性能的方法
    一种超声辅助CO2增压法制备AZ31B镁合金原位LDHs转化膜提高腐蚀性能的方法_新疆大学_202511523758.8
    本发明提供了一种超声辅助CO₂增压法制备AZ31B镁合金原位LDHs(层状双氢氧化物，LayeredDoubleHydroxides)转化膜提高耐腐蚀性能的方法，涉及镁合金表面处理技术领域。本发明提供的表面耐腐蚀处理方法包括以下步骤：首先进...
    2026-04-14
  • 一种激光还原沉积金属与透明基底的界面调控方法
    一种激光还原沉积金属与透明基底的界面调控方法_北京工业大学_202511562102.7
    本发明属于激光制造技术领域，涉及一种激光还原沉积金属与透明基底的界面调控方法，将前驱体材料涂覆在透明基底表面，采用超短脉冲激光透过透明基底辐照在前驱体材料与透明基底界面，所述超短脉冲激光按照预设路径在前驱体材料与透明基底界面多次扫描进行激光...
    2026-04-14
  • 石墨粉的表面镀铜方法
    石墨粉的表面镀铜方法_宁波广新纳米材料有限公司_202511537037.2
    本发明公开了一种石墨粉的表面镀铜方法，包括：称取五水硫酸铜、氯化铜和硝酸铜中的一种，加去离子水溶解配制成浓度为30‑50g/L的溶液；在溶液中加入主络合剂柠檬酸铵、乙二胺四乙酸钠、酒石酸钾钠中的一种，浓度为30‑50g/L；醇胺类辅助络合剂...
    2026-04-14
  • 一种在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法
    一种在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511397178.9
    本发明公开了一种在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法，涉及半导体制造技术领域，该在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法，包括以下步骤：晶圆选择、碱性除油、酸洗活化、微蚀粗化、活化处理、化学镀镍、清洗干燥以及退火...
    2026-04-14
  • 钯胶体活化液的制备方法以及化学镀铜的方法
    钯胶体活化液的制备方法以及化学镀铜的方法_上海恩捷新材料科技有限公司_202511570382.6
    本发明公开一种钯胶体活化液的制备方法以及化学镀铜的方法，涉及化学镀技术领域。钯胶体活化液的制备方法包括以下步骤：将A液与部分B液混合，经第一搅拌反应后，得到中间液；将中间液与剩余B液混合，经第二搅拌反应后，得到D液；将C液与D液混合，得到E...
    2026-04-14
  • 挡片组件和化学气相沉积系统
    挡片组件和化学气相沉积系统_西安卫光科技有限公司_202512038812.6
    本申请提供了一种挡片组件和化学气相沉积系统。该挡片组件包括：至少两个挡片组，分别对应设置于立式炉的至少两个温度不同的装填区内；每一挡片组均包括至少一个挡片；不同挡片组内的挡片的厚度不同；挡片组所在的装填区的温度越高，挡片组内的挡片的厚度越小...
    2026-04-14
  • 一种基于气相沉积法的硅碳负极材料撬装生产系统及其生产方法
    一种基于气相沉积法的硅碳负极材料撬装生产系统及其生产方法_江苏东方瑞吉能源装备有限公司_202511570886.8
    本发明公开了一种基于气相沉积法的硅碳负极材料撬装生产系统及其生产方法，包括撬块及集成于所述撬块上的预热器、进料罐、反应器、储料罐、进料罐用反吹气A储罐、进料罐用反吹气B储罐、缓冲罐、气化器、管道阀门仪表和电控系统，本发明中撬块化集成将分散单...
    2026-04-14
  • 一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备
    一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备_福建省金石能源股份有限公司_202511759016.5
    本发明公开了一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备，通过整合远程等离子体源与本位等离子体源构成双源协同系统，搭配真空反应单元、独立气体供给单元、高精度加热控温单元及真空抽排单元，解决传统PECVD设备等离子体分布不均、高能离子轰...
    2026-04-14
  • 制造半导体装置的系统及其相关方法
    制造半导体装置的系统及其相关方法_南亚科技股份有限公司_202510183736.5
    提供一种制造半导体装置的系统及其相关方法，系统包含处理器，制程反应腔体，载台和加热器。制程反应腔体是用以维持低压环境，系统是用以在设置于低压环境的晶圆上沉积膜层。载台是用以在沉积膜层的期间支撑晶圆。加热器电性耦接至处理器，且加热器是借由载台...
    2026-04-14
  • 一种液体原子级镀膜方法
    一种液体原子级镀膜方法_季华实验室_202512039408.0
    本申请提供了一种液体原子级镀膜方法，涉及镀膜技术领域。通过对衬底的表面处理确保了前驱体分子的均匀吸附和反应活性。随后，将稀释后的液体前驱体通过涂覆等工艺形成均匀的单分子层，并通过172nm准分子紫外光源在室温下裂解前驱体分子，产生第一活性物...
    2026-04-14
  • 一种气流分布装置
    一种气流分布装置_江苏先导微电子科技有限公司_202511977899.7
    本申请涉及沉积镀膜设备技术领域，具体公开了一种气流分布装置，包括：主盖板、多孔布气板与盖板；主盖板的顶面设置有上安装槽，底面设置有下安装槽；盖板覆盖于上安装槽；多孔布气板设置于下安装槽；多孔布气板上设置有多个第一流道和多个第二流道；第一流道...
    2026-04-14
  • 半导体工艺设备及其进气组件、分气件
    半导体工艺设备及其进气组件、分气件_北京北方华创微电子装备有限公司_202511812125.9
    本申请公开一种半导体工艺设备及其进气组件、分气件，属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括腔室本体、基座以及支撑轴，基座设置于腔室本体内，支撑轴贯穿腔室本体并与基座相连，用于半导体工艺设备的分气件为环状结构，分气件用于套设于支撑轴的外部，且分...
    2026-04-14
  • 一种喷淋板对中装置、方法及存储介质
    一种喷淋板对中装置、方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511727543.8
    本发明提供了一种喷淋板对中装置、方法及存储介质。所述喷淋板的对中装置包括：吹气环，其上侧同轴地固定连接所述喷淋板，而下侧可拆卸地连接上盖板；所述上盖板，其下侧固定连接工艺腔室；测距组件，设于所述上盖板的中心，用于测量所述上盖板的轴心与所述吹...
    2026-04-14
  • 一种MOCVD设备的气体输送系统
    一种MOCVD设备的气体输送系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511673847.0
    本发明公开了一种MOCVD设备的气体输送系统，包括设置在反应腔室内的多层喷淋组件，连接至机台管路上的源气瓶、载气瓶、吹扫气瓶、MO源瓶，以及并联设置在机台管路上的排放管路和工艺管路，排放管路连接至尾气处理装置，工艺管路的末端分为多路并联支路...
    2026-04-14
  • 一种喷淋头、半导体器件的加工方法及设备
    一种喷淋头、半导体器件的加工方法及设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511599211.6
    本发明提供了一种喷淋头、一种半导体器件的加工方法及加工设备。该喷淋头包括顶盖、喷淋板和接地罩。该喷淋板安装于反应腔室之上，并位于顶盖之下。该接地罩设于喷淋板与顶盖之间，并与顶盖保持一间距，其中，接地罩包括固定部和移动部，固定部固定连接喷淋板...
    2026-04-14
  • 一种加热均匀的介质薄膜沉积设备
    一种加热均匀的介质薄膜沉积设备_苏州零度感知科技有限公司_202511594294.X
    本发明涉及薄膜沉积技术领域，公开了一种加热均匀的介质薄膜沉积设备，包括主体箱，所述主体箱内部安装有的转动组件，所述主体箱内部还安装有封闭加工组件。本发明通过加工管道与密封座的直接配合，可快速隔绝主体箱内部加工区域与外界环境，有效避免外界空气...
    2026-04-14
  • 一种半导体工艺设备
    一种半导体工艺设备_拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司_202511561736.0
    本发明公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域。该半导体工艺设备包括反应腔体和分流组件，反应腔体具有进气腔和反应腔，反应腔体的第一端设有与反应气体源连接的进气管，进气管与进气腔连通；沿竖直方向，反应腔分为上子腔室和下子腔室，反应腔被...
    2026-04-14
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