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最新专利技术
  • 半导体存储器器件和存储器补救方法
    半导体存储器器件和存储器补救方法_瑞萨电子株式会社_202511104652.4
    本公开的各实施例涉及半导体存储器器件和存储器补救方法。提供了一种存储器补救电路，该存储器补救电路包括存储器内置自测试(MBIST)电路，该MBIST电路在市场中的测试结果的基础上生成补救代码；寄存器，该寄存器保持所生成的补救代码；以及路径，...
    2026-03-15
  • 具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件
    具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件_长江存储科技有限责任公司_202511826581.9
    本公开涉及具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件。在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列、输入/输出(I/O)电路以及耦合到I/O电路的控制逻辑。存储器单元阵列包括N个主库和M个冗余库，其中，N和M中的每一个为正整数，并且N大于M...
    2026-03-15
  • 用于存储器电荷泵的补偿电路、电荷泵、电子设备
    用于存储器电荷泵的补偿电路、电荷泵、电子设备_北京中电华大电子设计有限责任公司_202511557199.2
    本申请公开了一种用于存储器电荷泵的补偿电路、电荷泵、电子设备，补偿电路包括补偿电容，第一端与所述电荷泵电路的输出端连接；控制单元，接收第一触发信号并产生第二触发信号和第三触发信号；第一上拉单元，与所述控制单元和所述补偿电容的第二端连接，根据...
    2026-03-15
  • 存储装置、存储系统及其操作方法
    存储装置、存储系统及其操作方法_长江存储科技有限责任公司_202411190071.2
    在某些方面中，存储装置包括存储单元阵列和外围电路。存储单元阵列包括存储单元。外围电路被配置为通过将第一编程电压施加于耦合到存储单元的子集的字线来至少对存储单元的子集进行编程，以及验证对存储单元的子集的编程以生成验证结果。存储单元的子集包括基...
    2026-03-15
  • 在存储器装置中使用分段源极板进行子块擦除
    在存储器装置中使用分段源极板进行子块擦除_美光科技公司_202511197148.3
    本公开涉及在存储器装置中使用分段源极板进行子块擦除。示例存储器装置包含存储器阵列和处理装置，所述处理装置以操作方式耦合到所述存储器阵列。所述处理装置被配置成：接收识别所述存储器阵列的块的子块的擦除命令；致使第一电压电平施加到与所述子块相关联...
    2026-03-15
  • 一种MCAM存储单元及多比特内容寻址存储器
    一种MCAM存储单元及多比特内容寻址存储器_上海科技大学_202511748418.5
    本发明的技术方案的第一个方面是公开了一种MCAM存储单元，其特征在于，由五个晶体管和一个多级单元阻变存储器组成。本发明的技术方案的第二个方面是公开了一种多比特内容寻址存储器，其特征在于，包括由上述的MCAM存储单元组成的MCAM存储阵列。本...
    2026-03-15
  • 一种阻变存储器写入电路及其操作方法
    一种阻变存储器写入电路及其操作方法_北京新忆科技有限公司_202511656742.4
    本公开是关于一种阻变存储器写入电路及其操作方法。其中，阻变存储器写入电路包括：上拉晶体管M1、检测晶体管M2、下拉晶体管M3、偏置电流源I1、逻辑电路、阵列选通管和阻变存储器阵列，上拉晶体管M1的一端与写操作电压源连接，另一端通过阵列选通管...
    2026-03-15
  • 基于反相编码的数据写入方法及装置
    基于反相编码的数据写入方法及装置_北京新忆科技有限公司_202511655194.3
    本公开提出了一种基于反相编码的数据写入方法及装置，涉及存储器技术领域，该方法包括：获取待写入数据并预处理，得到待写入原码及对应的待写入反码；获取阻变存储器中待写入位置当前存储的原始数据，原始数据、待写入原码和待写入反码的结构和长度一致，且均...
    2026-03-15
  • 半导体结构
    半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511637974.5
    本公开提供了一种半导体结构，其包括具有前侧和背侧的衬底；SRAM电路，其具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器、耦合到两个反相器的两个写入传输门、耦合到两个反相器的读取下拉器件和耦合到读...
    2026-03-15
  • 一种基于非易失存储单元的自加载存储单元和存储阵列
    一种基于非易失存储单元的自加载存储单元和存储阵列_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511930078.8
    本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种基于非易失存储单元的自加载存储单元和存储阵列。所述自加载存储单元包括SRAM单元结构和非易失存储结构；所述自加载存储阵列包括：N行N列的自加载存储单元和N个外围电路；同一行的自加载存储单元共享同一条字...
    2026-03-15
  • 存储阵列驱动电路及其操作方法
    存储阵列驱动电路及其操作方法_北京新忆科技有限公司_202511656707.2
    本申请提出一种存储阵列驱动电路及其操作方法，其中，存储阵列驱动电路包括第一N型晶体管和第二N型晶体管，第一N型晶体管的栅极连接选中开启电压，漏极连接写入操作电压或读出操作电压，源极连接存储器的控制线和/或地址线；第二N型晶体管的栅极连接非选...
    2026-03-15
  • 用于存储器装置中的感测操作的尾电流偏置
    用于存储器装置中的感测操作的尾电流偏置_美光科技公司_202511197476.3
    本申请案涉及用于存储器装置中的感测操作的尾电流偏置。一种存储器装置包含存储器阵列，其具有形成于多条字线与多条位线的相应相交点处的多个存储器单元。所述存储器装置进一步包含耦合到所述存储器阵列的页缓冲电路，所述页缓冲电路包括用于测量从所述多条位...
    2026-03-15
  • 用于多芯片存储器装置的时钟传输电路系统
    用于多芯片存储器装置的时钟传输电路系统_美光科技公司_202510945249.8
    本公开涉及用于多芯片存储器装置的时钟传输电路系统。一种存储器装置包含第一存储器芯片，所述第一存储器芯片具有经配置以使用时钟来执行存储器操作的第一电路及经配置以传输所述时钟的第一传输器。所述存储器装置还包含：第一本地互连件，所述第一本地互连件...
    2026-03-15
  • 一种基于DDR5的动态随机存取存储器的刷新方法、装置、电子设备及存储介质
    一种基于DDR5的动态随机存取存储器的刷新方法、装置、电子设备及存储介质_合肥大唐存储科技有限公司_202511732756.X
    本发明公开了一种基于DDR5的动态随机存取存储器的刷新方法、装置、电子设备及存储介质，刷新方法包括：预先设置传输地址映射逻辑电路，将不同的bank group的相同bank相同page的传输需求集中整合到一次连续的传输任务中；DRAM刷新模...
    2026-03-15
  • 动态可控频率刷新方法、装置、介质存储器及存储介质
    动态可控频率刷新方法、装置、介质存储器及存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511594133.0
    本申请涉及存储技术领域，尤其涉及一种动态可控频率刷新方法、装置、介质存储器及存储介质，通过获取当前存储器工作频率、介质刷新时间范围和地址空间范围，据此计算初始命令分发频率，依该频率周期性检查是否达命令发送时间点，到达时，判断刷新命令与读写命...
    2026-03-15
  • 执行目标刷新操作的存储器和存储器的操作方法
    执行目标刷新操作的存储器和存储器的操作方法_爱思开海力士有限公司_202411748186.9
    一种存储器可以包括：单元阵列，该单元阵列包括被布置成多个行和多个列的存储单元；以及刷新目标选择电路，该刷新目标选择电路被配置为基于单元阵列中的每一行的激活操作的数量和每一行的错误历史来选择用于目标刷新操作的目标行。
    2026-03-15
  • 存储器及其操作方法、集成电路和电子设备
    存储器及其操作方法、集成电路和电子设备_华为技术有限公司_202411183113.X
    本申请实施例提供一种存储器及其操作方法、集成电路和电子设备，涉及存储器技术领域，减少了半选中的电容受到的干扰。具体方案为：存储器包括存储单元阵列、多条位线、多条字线和多条板线。存储单元阵列包括多个存储单元，每个存储单元包括晶体管、多个选择管...
    2026-03-15
  • 存储器内计算电路
    存储器内计算电路_旺宏电子股份有限公司_202411283020.4
    本发明提供一种存储器内计算用电路。存储器内计算用电路包括多个闩锁器及多个NOR门。各闩锁器具有字线、位线、互补位线、第一输出端与第二输出端。位线耦接至存储器阵列中的多个存储器串的其中一个的本地位线。互补位线耦接至存储器阵列中的存储器串的本地...
    2026-03-15
  • 半导体系统
    半导体系统_爱思开海力士有限公司_202510015638.0
    本公开涉及一种半导体系统。半导体系统包括：系统芯片，其包括多个系统接口，被配置成通过多个系统接口输出多个请求作为多个传输请求，并且被配置成通过绕过多个系统接口中的发生故障的系统接口而输出多个请求作为多个传输请求；中介层，其被配置成通过多个导...
    2026-03-15
  • 集成电路装置、只读记忆体电路及其制造方法
    集成电路装置、只读记忆体电路及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511091403.6
    一种集成电路装置、只读记忆体电路及其制造方法。集成电路(IC)装置包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包括耦接至第一字元线且包括第一功函数组态的第一栅极、与第一栅极相邻并耦接至位元线或参考线中的一者的第一类金属界定(MD)区段、与第一栅极...
    2026-03-15
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