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最新专利技术
  • 一种无痕抗静电面料及其制备方法
    一种无痕抗静电面料及其制备方法_吴江市玉立纺织布业有限公司_202511871965.2
    本发明公开了一种无痕抗静电面料及其制备方法，所述的无痕抗静电面料是由抗静电纱线与复合功能纱线采用双面提花工艺编织成双面提花组织结构；而且借助所述提花组织结构形成了依次设置的亲肤层、提花空气层、抗静电层；再利用超声波焊接技术在接缝处进行拼接固...
    2026-05-06
  • 一种氟化钙晶体生长除杂的方法
    一种氟化钙晶体生长除杂的方法_河南微米光学科技有限公司_202511980799.X
    本发明涉及一种氟化钙晶体生长除杂的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用HF对原料CaF2进行脱水脱氢，采用BN多孔陶瓷滤板过滤，在表面处理的石墨坩埚中制备得到了一种高纯度氟化钙晶体。利用HF的高反应活性，与原料中的水分生成易挥发的HF·H...
    2026-05-06
  • 一种氟化硼酸缩二脲非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种氟化硼酸缩二脲非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511938837.5
    本发明涉及一种氟化硼酸缩二脲非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为[C2N3O2BF2H5][BF4]，分子量为238.71，采用水热法或室温溶液法制备；属单斜晶系，空间群P21，晶胞参数为a=6.0521(11)Å，b=9.465...
    2026-05-06
  • 一种三聚氰胺盐双折射光学晶体及制备方法和用途
    一种三聚氰胺盐双折射光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511938132.3
    本发明涉及一种三聚氰胺盐双折射光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为(C3H7N6)2(C3H6N6)2OZn2Cl4·2H2O，分子量为830，单斜晶系，空间群C2/c，晶胞参数为a=12.230(2)Å，b=13.866(3)Å，c...
    2026-05-06
  • 一种氨基甲磺酸二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一种氨基甲磺酸二阶非线性光学晶体及其制备与应用_同济大学_202511831941.4
    本发明涉及一种二阶非线性光学材料晶体氨基甲磺酸及其制备与应用。该晶体的化学式为O3SCH2NH3，分子量111.12，属于单斜晶系，其空间群为Cm，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝129.7～131.7°，Z＝2，晶胞体积为其结构特征在于该晶...
    2026-05-06
  • 一种N型SnSe的大尺寸晶体及其制备方法
    一种N型SnSe的大尺寸晶体及其制备方法_北京航空航天大学_202511964981.6
    本发明公开了一种N型SnSe的大尺寸晶体及其制备方法，属于SnSe晶体制备技术领域，其为Br掺杂和Mo固溶的N型SnSe晶体，Sn、Se、Br、Mo的摩尔比为1‑x : 0.97 : 0.03 : x(0.01 ≤ x≤ 0.03)。其制备...
    2026-05-06
  • 一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片
    一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片_广东先导微电子科技有限公司_202511991340.X
    本申请属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片；本申请提供的一种磷化铟衬底的化蜡方法中使用的化蜡试剂，通过化蜡试剂中的氟碳非离子表面活性剂促进化蜡试剂迅速铺展并渗入有机蜡层与磷化铟界面，并通过环己酮促...
    2026-05-06
  • 一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用
    一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用_深圳技术大学_202511991806.6
    本发明公开了一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用，属于光电功能与激光技术领域，所述晶体的分子式为Pr4xBi4(1‑x)Ge3O12；其中，x的取值范围为0.005~0.02，x代表Pr离子的掺杂浓度，Pr离子取代Bi离子格位；所...
    2026-05-06
  • 一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法
    一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610202458.8
    本发明公开了一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明通过将模具表面狭缝的长度设计为不超过模具长度的三分之一，在引晶阶段将熔体供应严格限制在狭缝局部区域，实现单晶精确起始；随后在晶体侧向扩展阶段，主动调控模具上表面...
    2026-05-06
  • 一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途
    一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202610077343.0
    本发明公开了一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途，碱金属氟铍化物晶体的化学通式为LiABeF4，A=Na或K或NH4或Rb或它们的复合，其制备方法为：以BeF2和LiF为主原料，通过添加NaF、KF、NH4F、RbF中的任一种或至少两种...
    2026-05-06
  • 一种氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202512054146.5
    本发明涉及化合物氯代亚磷酸氢锑和氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体分子式为SbHPO3Cl，分子量为237.18，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=5.1890(11)Å，b=6.5843(14)Å，c=6....
    2026-05-06
  • 单晶硅生长的模拟方法及装置
    单晶硅生长的模拟方法及装置_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512048277.2
    本发明涉及一种单晶硅生长的模拟方法及装置，方法包括：S100：构建模拟空间，其内预设有多个离散的原子占位位点；S200：从各原子占位位点中选取一个作为初始位点，对其执行原子生长操作，并将其作为边缘位点记录至边缘列表；S300：对边缘位点的每...
    2026-05-06
  • 一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉
    一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉_新疆晶品新能源有限公司_202511674815.2
    本申请公开了一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉，包括炉体、炉盖、与炉盖连接的连接室、副室、用于移动炉盖的炉盖移动机构、用于移动副室的副室移动机构、籽晶夹头、用于驱动籽晶夹头升降和旋转的籽晶夹头驱动机构、坩埚、用于驱动坩埚升降和旋转的坩埚驱动机构...
    2026-05-06
  • 一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法
    一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法_山东大学_202511938142.7
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法。将乙酰丙酮镓水溶液、乙酰丙酮锌水溶液和四价锡盐水溶液混合形成前驱体溶液；将蓝宝石衬底进行清洗和氮气吹扫后固定于雾化学气相沉积设备反应器中，将前...
    2026-05-06
  • 外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备
    外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备_中芯南方集成电路制造有限公司_202411321120.1
    本申请公开了外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备，该方法包括：获取基座的升降运动参数，升降运动参数包括当前升降速度和当前升降位置，在根据当前升降速度确定基座处于动作状态时，根据基座对应的多个预设升降位置确定当前升降位置所属的目标升降...
    2026-05-06
  • 一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用
    一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用_西安电子科技大学_202511929740.8
    本发明公开了一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用，属于电子材料技术领域。本发明通过MOCVD生长卡槽来对应力的引入和分布进行控制，通过选择具有不同热膨胀系数的材料作为卡槽底座的组成材料，利用材料的热膨胀差异产生不同程...
    2026-05-06
  • 基座及SiC外延生长装置
    基座及SiC外延生长装置_株式会社东芝_202510132224.6
    提供能够抑制妨碍晶片的搬出的基座及SiC外延生长装置。实施方式的基座具有支承台和圆环状的晶片引导件。支承台具有支承晶片的支承面。晶片引导件以沿支承面的法线方向延伸的中心轴线为中心包围被支承于支承面的晶片的周围。在从中心轴线的轴向观察时，在晶...
    2026-05-06
  • 一种半绝缘化合物单晶及其制备方法
    一种半绝缘化合物单晶及其制备方法_大庆溢泰半导体材料有限公司_202610000190.X
    本发明涉及单晶生长技术领域，且公开了一种半绝缘化合物单晶及其制备方法，包括以下步骤：将碳化硅粉和碳化钒粉混合，得到碳化硅混合粉料；将碳化硅混合粉料置于石墨坩埚底部，将预处理籽晶置于石墨坩埚盖上后，置于石墨坩埚上部，装配好后，置于单晶生长炉中...
    2026-05-06
  • 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法
    一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法_江苏芯恒惟业电子科技有限公司_202511942493.5
    本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，具体涉及一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法。所述生长方法具体包括下述步骤：S1：种晶预处理与位错显形筛选；S2：低过饱和度愈合缓冲层生长；S3：轴向和径向梯度热场诱导位错弯折；S4：主生长期中的周期性气氛...
    2026-05-06
  • 一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法
    一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法_山东力冠微电子装备有限公司_202511933324.5
    本申请提供了一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，属于半导体加工技术领域，技术方案为，一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，包括如下步骤，分别对石墨盘和SiC籽晶的粘接面进行预处理；将涂胶后的SiC籽晶与石墨盘对位，置于...
    2026-05-06
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