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最新专利技术
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_汉磊科技股份有限公司_202411321989.6
    本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法。其中，半导体装置包括：碳化硅磊晶层，其包括：p型阱区；重掺杂n型区，其在该p型阱区的表面上；以及重掺杂p型区，其在该重掺杂n型区之下且在该p型阱区内。该半导体装置还包括第一栅极沟槽，其穿过该p...
    2026-04-18
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411946340.3
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一硅基板、一氮化物缓冲复合层、一主动层及一硅阻挡复合层。氮化物缓冲复合层设置于硅基板上方，主动层设置于氮化物缓冲复合层上方，硅阻挡复合层夹置于氮化物缓冲复合层中，实质阻挡来自硅基板的一...
    2026-04-18
  • 一种基于GaN材料的HEMT器件外延结构及其应用
    一种基于GaN材料的HEMT器件外延结构及其应用_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411359580.3
    本发明公开了一种基于GaN材料的HEMT器件外延结构及其应用，该外延结构包括：衬底；形成在衬底上的第一缓冲层；形成在第一缓冲层上的叠层；形成在叠层上的沟道层；形成在沟道层上的势垒层；其中，叠层包括若干沿背离衬底方向依次层叠设置的叠层单元，每...
    2026-04-18
  • 一种GaN HEMT制备方法及GaN HEMT
    一种GaN HEMT制备方法及GaN HEMT_烟台睿创微纳技术股份有限公司_202512022778.3
    本申请公开了一种GaN HEMT制备方法及GaN HEMT，属于半导体技术领域，该方法包括：在衬底表面形成外延结构，并在外延结构中形成隔离区、源极和漏极；在外延结构背离衬底的表面形成第一钝化保护层，并在源极和漏极之间的第一钝化保护层中形成栅...
    2026-04-18
  • 功率半导体器件的制备方法及功率半导体器件
    功率半导体器件的制备方法及功率半导体器件_北京燕东微电子科技有限公司_202512022437.6
    本申请涉及功率半导体技术领域，具体提供一种功率半导体器件的制备方法及功率半导体器件，旨在解决如何有效调节电极接触孔到沟槽侧壁的距离，提升器件设计的灵活性的问题。为此目的，本申请提供的方法包括：在半导体基板上形成掩膜结构，对掩膜结构中的第一掩...
    2026-04-18
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511922363.5
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件的制备方法包括：提供外延片，外延片包括衬底和位于衬底之上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；在外延层内形成多个间隔设置的基区，基区具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一...
    2026-04-18
  • 一种LDMOS器件及其制造方法
    一种LDMOS器件及其制造方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511792087.5
    一种LDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有源区、漏区、体区和漂移区，半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖栅极结构和半导体衬底的多层场板介质层；在多层场板介质层上形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包...
    2026-04-18
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511753400.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有至少两个栅极；在栅极和衬底上形成图案化的第一掩膜层，图案化的第一掩膜层定义出第一注入窗口，第一注入窗口露出两个栅极之间的衬底表面、两个栅极彼此相对的侧壁以及部分顶面；对衬底...
    2026-04-18
  • 一种高电学性能场效应晶体管的构筑方法
    一种高电学性能场效应晶体管的构筑方法_东南大学_202511651127.4
    本发明公开了一种高电学性能场效应晶体管的构筑方法，包括如下步骤：(1)利用机械剥离法和干法转移装置在衬底上形成硒化物沟道层；(2)将预制的金属电极层压在硒化物沟道层上，得到初始器件；(3)在初始器件上旋涂高分子保护层后进行纳米压印处理，压印...
    2026-04-18
  • 一种高线性度增强型GaN基HEMT器件及其制备方法
    一种高线性度增强型GaN基HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511628108.X
    本发明公开了一种高线性度增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括：对栅极区域以外的P‑GaN帽层进行刻蚀，得到P‑GaN栅极；在势垒层上制备源极和漏极；在源极、漏极、势垒层及P‑GaN栅极上制备SiNx硬掩模层；选择性分区刻蚀掉...
    2026-04-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202511326807.9
    提供半导体装置及其制造方法。具备超结构造的半导体装置(1)的制造方法具备：在第二导电型半导体层(14A、14B上)对离子注入掩模进行图案化的工序；以及在对离子注入掩模进行图案化的工序之后，通过离子注入掩模的开口(54、154)向第二导电型半...
    2026-04-18
  • 在全环栅场效应晶体管(GAA FET)中制造高质量、高应力沟道区域
    在全环栅场效应晶体管(GAA FET)中制造高质量、高应力沟道区域_英特尔公司_202511205060.1
    在本公开的实施例中，在形成源极/漏极区域之前，使用高温扩散工艺形成GAA FET的增强纳米带。扩散工艺包括在晶体纳米带(例如，包括纯硅或主要包括硅)周围形成添加剂材料层(例如，包括锗)，在添加剂材料层周围形成覆盖层，将添加剂材料扩散到晶体纳...
    2026-04-18
  • 用于宽的带到带间隔的晶体管的选择性纳米带去除和减薄
    用于宽的带到带间隔的晶体管的选择性纳米带去除和减薄_英特尔公司_202511205059.9
    本文描述了涉及具有被选择性去除的纳米带以实现更厚的栅极电介质材料的全环栅场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术。在形成半导体层和牺牲层的交替堆叠体时，将包覆层施加到那些半导体层以在纳米带释放期间去除。在纳米带释放之前，包覆层的原子仅扩散...
    2026-04-18
  • 功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法
    功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511319556.1
    一种具有竖向IGBT配置或竖向RC IGBT配置的功率半导体器件，其在有源区中包括被横向分割成至少第一发射极区和第二发射极区的背侧发射极区，其中：第一发射极区具有第一横向总区域，并且关于第一横向总区域和第二导电类型展现中等掺杂剂量；第二发射...
    2026-04-18
  • IGBT器件及其制备方法
    IGBT器件及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510182066.5
    本申请提供一种IGBT器件及其制备方法，I GBT器件包括：第一栅极结构和多个间隔的第二栅极结构，所述第一栅极结构位于相邻第二栅极结构之间，在平行于集电掺杂区至漂移层的排布方向上，第一栅极结构的尺寸小于第二栅极结构的尺寸；第一阱区，位于第一...
    2026-04-18
  • 绝缘栅双极晶体管IGBT
    绝缘栅双极晶体管IGBT_株式会社东芝_202510025423.7
    实施方式涉及IGBT。IGBT具备：集电极电极；半导体部分，配置于所述集电极电极上；多个发射极电极，配置于所述半导体部分上的一部分且在第1方向上相互分离；栅极布线，配置于所述第1方向上的所述发射极电极之间；栅极电极，具有在与所述第1方向交叉...
    2026-04-18
  • 一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法
    一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202610226962.1
    本发明涉及二极管技术领域，具体公开了一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法，所述二极管包括正面金属电极层；肖特基接触层；重掺杂势垒削弱层；势垒调制过渡层；N型外延层；N⁺型硅衬底层；背面欧姆接触层；背面金属电极层；其中，所述重掺杂势垒削弱层...
    2026-04-18
  • 一种具有势垒调制的复合肖特基二极管装置
    一种具有势垒调制的复合肖特基二极管装置_广微集成技术(深圳)有限公司_202512031671.5
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有势垒调制的复合肖特基二极管装置，包括：N+衬底；形成于N+衬底上的N‑漂移外延层；至少两个形成于N‑漂移外延层中的沟槽结构，沟槽结构内具有栅介质层和场板；形成于N‑漂移外延层表面的肖特基金属...
    2026-04-18
  • 沟槽式肖特基势垒二极管及其制作方法
    沟槽式肖特基势垒二极管及其制作方法_福建龙夏电子科技有限公司_202511915348.8
    本发明提供一种沟槽式肖特基势垒二极管及其制备方法。所述二极管包括：衬底，所述衬底表面包括器件层，所述器件层具有第一导电类型，所述器件层表面进一步包括：沟槽，所述沟槽设置在器件层表面，所述沟槽内填充绝缘介质；场板，设置在所述绝缘介质内；底部反...
    2026-04-18
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京京东方技术开发有限公司_202411320238.2
    本公开提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备。本公开的半导体器件包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的半导体层。所述半导体层包括沿第一方向并排设置的多个第一半导体结构，以及沿第二方向并排设置的多个第二半导体结构；所述第一半导体结构包括...
    2026-04-18
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