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最新专利技术
  • 一种含多氟取代基的液晶化合物、组合物及其应用
    一种含多氟取代基的液晶化合物、组合物及其应用_安徽宇贝新材料科技有限公司_202610138286.2
    本发明提供一种含多氟取代基的液晶化合物、组合物及其应用。本发明所述液晶化合物具有如式I所示的结构，具有较高的负介电各向异性、良好的液晶互溶性、较低的旋转粘度。式I
    2026-04-08
  • 聚合性液晶混合物、聚合性组合物以及相位差膜
    聚合性液晶混合物、聚合性组合物以及相位差膜_成都瑞波科材料科技有限公司_202610035164.0
    本发明提供了一种不易析出的聚合性液晶混合物、含有该聚合性液晶混合物的聚合性组合物以及由该聚合性组合物制得的相位差膜，涉及光学材料制备技术领域。该聚合性液晶混合物包含式(1)表示的聚合性液晶化合物A和式(2)表示的聚合性液晶化合物B。通过使用...
    2026-04-08
  • 一种复合活化凹凸棒土土壤改良剂及其制备方法
    一种复合活化凹凸棒土土壤改良剂及其制备方法_内蒙古赛德科技有限公司_202610040889.9
    本发明公开了一种复合活化凹凸棒土土壤改良剂及其制备方法，属于土壤改良剂技术领域，该改良剂包括以下重量份组分：尿素50‑60份、磷酸一铵20‑40份、磷酸二氢钾10‑20份、硅酸钾3‑8份、稻壳炭3‑8份、硼酸0.05‑0.2份、无水硫酸镁0...
    2026-04-08
  • 一种巯基改性硅酸镁钝化剂的制备方法及应用
    一种巯基改性硅酸镁钝化剂的制备方法及应用_渤海大学_202512010231.1
    本发明公开了一种巯基改性硅酸镁钝化剂的制备方法及应用，包括以下步骤：将六水合氯化镁溶液加入到五水硅酸钠溶液中，经搅拌、陈化、洗涤及干燥，得到硅酸镁基体；称取一定量所述硅酸镁基体分散于装有适量有机溶剂的容器中；在惰性气氛下，向所述容器中加入巯...
    2026-04-08
  • 一种超弹性吡咯掺杂石墨烯海绵的制备方法及其在高效阻控土壤中阿特拉津并实现回收的应用
    一种超弹性吡咯掺杂石墨烯海绵的制备方法及其在高效阻控土壤中阿特拉津并实现回收的应用_中国科学院东北地理与农业生态研究所_202511995349.8
    一种超弹性吡咯掺杂石墨烯海绵的制备方法及其在高效阻控土壤中阿特拉津并实现回收的应用，涉及土壤污染修复技术领域。方法：将吡咯滴加到氧化石墨烯水溶液中，混合均匀后超声；超声结束后放入反应釜中，加热至100~220℃，水热反应2~24 h；反应结...
    2026-04-08
  • 一种基于秸秆生物炭的土壤改良剂及其制备工艺
    一种基于秸秆生物炭的土壤改良剂及其制备工艺_沈阳农业大学_202511991026.1
    本发明公开了一种基于秸秆生物炭的土壤改良剂及其制备工艺，其原料按重量份包括：玉米秸秆10‑20份、氨化秸秆35‑45份、碱性硅肥6‑12份、改性焦炭48‑52份、发酵菌种0.02‑0.04份、腐殖酸3‑5份、复合有机废渣10‑20份、尿素0...
    2026-04-08
  • 一种基于透明质酸废渣的土壤修复菌剂及其制备方法和应用
    一种基于透明质酸废渣的土壤修复菌剂及其制备方法和应用_北京泰克美高新技术有限公司_202511924298.X
    本发明适用于环境工程与土壤修复技术领域，提供了一种基于透明质酸废渣的土壤修复菌剂及其制备方法和应用，该菌剂为三层核壳结构：内核由特定方法制备的纳米水滑石负载氧化透明质酸废渣杂化材料与等离子体接枝改性生物炭微球复配而成；中层为负载于内核上的耐...
    2026-04-08
  • 一种氯化钙-全氟硅烷双改性材料及其用途与减少沙漠水分散失的方法
    一种氯化钙-全氟硅烷双改性材料及其用途与减少沙漠水分散失的方法_重庆大学_202511787273.X
    本申请属于沙漠生态治理与水资源保护技术领域，具体涉及一种氯化钙‑全氟硅烷双改性材料及其用途与减少沙漠水分散失的方法。所述氯化钙‑全氟硅烷双改性材料包括：氯化钙改性硅藻土颗粒和全氟硅烷改性沙子颗粒；所述氯化钙改性硅藻土颗粒和全氟硅烷改性沙子颗...
    2026-04-08
  • 一种流态固化土用缓释型固化剂及其制备方法
    一种流态固化土用缓释型固化剂及其制备方法_贵州中建建筑科研设计院有限公司_202511777735.X
    本发明涉及土木工程材料技术领域，具体涉及一种流态固化土用缓释型固化剂及其制备方法，所述用于流态固化土的缓释型固化剂是由缓释型包衣与固化剂内核组成；所述缓释型包衣由乙基纤维素、絮凝剂、无水乙醇和二甲苯组成；所述固化剂内核由骨架胶凝材料、固化胶...
    2026-04-08
  • 修复锑污染土壤并提高水稻产量的复合材料及其制备方法与应用
    修复锑污染土壤并提高水稻产量的复合材料及其制备方法与应用_湖南人文科技学院_202511873956.7
    本发明公开修复锑污染土壤并提高水稻产量的复合材料及其制备方法与应用，属于污染土壤修复技术领域，复合材料包括生物炭和氧化锌纳米颗粒；本发明通过将生物炭施用于锑污染土壤并与水稻叶面喷施氧化锌纳米颗粒，能多途径缓解锑毒性，显著降低土壤中锑的有效性...
    2026-04-08
  • 一种锗硅刻蚀液
    一种锗硅刻蚀液_上海新阳半导体材料股份有限公司_202512015631.1
    本发明公开了一种锗硅刻蚀液。本发明具体公开了一种锗硅刻蚀液，其由以下质量分数的组分组成：0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%的润湿剂、0.1%‑2%的络合剂和溶剂；各组分的质量分数之和为100%，所述的质量分数为各组...
    2026-04-08
  • 一种高选择比锗硅刻蚀液的制备
    一种高选择比锗硅刻蚀液的制备_上海新阳半导体材料股份有限公司_202512015624.1
    本发明公开了一种高选择比锗硅刻蚀液的制备。具体地，所述的制备方法包括以下步骤：将氟化物、氧化剂、抑制剂、缓冲组分和溶剂混合，得到所述的锗硅刻蚀液，其中，所述氟化物的质量百分比为0.1%‑5%；所述氧化剂的质量百分比为5%‑70%；所述抑制剂...
    2026-04-08
  • 一种高选择比锗硅刻蚀液
    一种高选择比锗硅刻蚀液_上海新阳半导体材料股份有限公司_202512015622.2
    本发明公开了一种高选择比锗硅刻蚀液。具体地，本发明提供的锗硅刻蚀液由以下质量百分比的组分组成：0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%抑制剂、1%‑5%缓冲组分和溶剂；各组分质量百分比之和为100%，所述的质量百分比为各...
    2026-04-08
  • 一种近红外发光AgAuSe量子点及其室温宏量制备方法
    一种近红外发光AgAuSe量子点及其室温宏量制备方法_吉林大学_202610038408.0
    本发明公开了一种近红外发光AgAuSe量子点及其室温宏量制备方法，属于无机半导体材料制备技术领域。该方法包括：将银源溶于脂肪族胺与有机溶剂的混合液得到银前驱体；将硒源溶于脂肪族胺与烷基硫醇的混合液得到硒前驱体；将金源分散于有机溶剂得到金前驱...
    2026-04-08
  • 一种荧光锇纳米团簇材料的制备方法
    一种荧光锇纳米团簇材料的制备方法_盐城工学院_202610186541.0
    本发明涉及材料制备领域，具体涉及一种荧光锇纳米团簇材料的制备方法。主要包括混合液1的获得，荧光锇纳米团簇材料的生成。该荧光锇纳米团簇材料具有较强的荧光性能和很好的光学稳定性。
    2026-04-08
  • 一种荧光复合材料及其制备方法和在检测甲醛中应用
    一种荧光复合材料及其制备方法和在检测甲醛中应用_德州学院_202610249816.0
    本发明公开了一种荧光复合材料及其制备方法和在检测甲醛中应用，属于甲醛检测技术领域。荧光复合材料为NaYF4@CDs@SiO2@MIP结构，整体呈多层核壳构型，其组成从内到外依次为：上转换能量核层：NaYF4 : Yb3+/Er3+纳米颗粒；...
    2026-04-08
  • 一种铬掺杂的石榴石宽带近红外应力发光材料及其制备方法与应用
    一种铬掺杂的石榴石宽带近红外应力发光材料及其制备方法与应用_华南理工大学_202511780644.1
    本发明公开了一种铬掺杂的石榴石宽带近红外应力发光材料及其制备方法与应用。按照通式Lu3Ga5(1x)O12 : 5xCr3+分别称取含镥化合物原料、含镓化合物原料和含铬化合物原料，将原料研磨均匀后，预烧，冷却至室温后，研磨混匀，然后高温煅烧...
    2026-04-08
  • 一种可用于笔迹防伪的多色应力发光材料及其制备方法
    一种可用于笔迹防伪的多色应力发光材料及其制备方法_华南理工大学_202511780236.6
    本发明公开了一种可用于笔迹防伪的多色应力发光材料及其制备方法，化学通式为Lu3‑xAl2Ga3O12 : xTb3+，0.25%≤x≤3.0%；具有晶体结构为Ia‑3d立方晶系，激活离子为Tb3+。制备方法包括：称取含镥化合物原料、含铝化合...
    2026-04-08
  • 一种镁基长余辉发光材料及其制备方法
    一种镁基长余辉发光材料及其制备方法_青海师范大学_202511966279.3
    本发明属于发光材料领域，本发明公开了一种镁基长余辉发光材料及其制备方法，该材料的化学表达式为Mg8‑x‑yLiScGe5O20 : xBi, yDy，Bi和Dy取代晶体中的Mg格位，x和y为取代率，其中0.005≤x≤0.125, 0.00...
    2026-04-08
  • 一种双钙钛矿基发光材料及其制备方法与其在发光成像或防伪中的应用
    一种双钙钛矿基发光材料及其制备方法与其在发光成像或防伪中的应用_德州学院_202610251435.6
    本发明属于检测材料技术领域，涉及一种双钙钛矿基发光材料及其制备方法与其在发光成像或防伪中的应用。双钙钛矿基发光材料的分子式为Cs2NaCrCl6 : Tm3+/Yb3+，其中，Tm3+的摩尔掺杂浓度为0.5~5%，Yb3+的摩尔掺杂浓度为2...
    2026-04-08
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