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  • 本发明涉及纺织机械自动化技术领域,且公开了一种纺织机械纺丝过程中断丝自动抓取装置,包括有检测单元、控制单元、抓取执行单元以及回收单元,所述检测单元包括用于非接触式检测纺丝连续性的红外光电传感器组和用于接触式检测纺丝张力的张力传感器;所述控制...
  • 本发明属于离子检测领域,公开了一种具有同轴三层结构的ANF纤维状离子检测器及其制备方法,包括:将羟基磷灰石/ANF混合液作为外层注射液,预配制的混合液A作为内层注射液,在甲酸溶液中通过同轴湿法纺丝挤出工艺,获得同轴的双层ANF基水凝胶纤维;...
  • 本发明提供了一种基于多层中空纺丝结构的复合相变储能材料及其制备方法,属于相变纤维技术领域。本发明提供了一种基于多层中空纺丝结构的复合相变储能材料,所述基于多层中空纺丝结构的复合相变储能材料为多层管状纤维结构,从内到外依次包括:芯层相变材料,...
  • 本发明涉及纺织领域,尤其涉及一种仿真生物基天然弹性纤维及其生产方法。由生物基锦纶和氨纶原料经双组分熔融纺丝,然后和加弹后的生物基锦纶纤维混织而成。本发明要解决的技术问题,在于提供一种仿真生物基天然弹性纤维及其生产方法,改善现有仿毛丝弹性回复...
  • 本发明属于纤维生产纺丝设备技术领域,尤其是一种用于纺制异形中空纤维的喷丝板及纺丝组件,针对传统喷丝板生产的异形中空纤维稳定性差的问题,现提出以下方案,包括喷丝板体,所述喷丝板体的顶端呈阵列分布有V型喷丝孔,且相邻的三个V型喷丝孔组成一个等边...
  • 本发明涉及一般清洁与污垢防除技术领域,尤其涉及一种干喷湿纺凝固浴中丝状杂质的隔离清理装置及方法。该装置包括凝固浴槽体、喷丝组件、凝固浴导丝辊以及可竖直抽插的隔板,所述隔板将凝固浴槽体内部空间分隔为中部的凝固浴喷丝导丝区域和位于其两侧的手套放...
  • 本发明公开了一种毛籽喂料开松装置和喂料系统,其中毛籽喂料开松装置,包括:机架;格条排,所包含格条间形成格条间隙;送料辊,叶轮顶圆半径大于格条排上表面到第一轴轴线的第一距离;开松辊,包括第二轴和在第二轴轴向分布的开松钉组;开松钉组顶圆半径大于...
  • 本发明涉及智能制造技术领域,公开了一种用于量子单晶材料烧结过程的AGV辅助转运与取样控制方法、系统、终端及存储介质。所述方法包括:获取目标炉位的炉温信息、气氛信息和炉口视觉信息;根据所述炉温信息、所述气氛信息和所述炉口视觉信息,确定所述目标...
  • 本发明涉及晶体材料设计与改性技术领域,具体涉及一种硅酸镓镧族非线性光学晶体的设计及性能优化方法。本发明是在硅酸镓镧族晶体中通过引入Ti离子取代硅酸镓镧族La3M0.5Ga5.5O14晶体中的M5+和Ga3+离子,得到钛酸镓镧La3TiGa5...
  • 本发明属于无机非金属材料技术领域,具体涉及一种高一致性铈掺杂硅酸镥晶体的制备方法。所述高一致性铈掺杂硅酸镥晶体的制备方法,包括以下步骤:(1)对铈掺杂硅酸镥单晶体进行加工,使其至少在一个维度上的尺寸不大于20 mm;(2)将加工后的铈掺杂硅...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供了一种超晶格结构,包括GaAs结构层,还包括于所述GaAs结构层上依次生长的过渡层以及GaSb缓冲层,所述过渡层至少包括用于打断所述GaAs衬底的穿透位错的第一过渡结构以及可与所述GaSb缓冲层零失配的第二过渡...
  • 本发明属于半导体材料领域,具体公开了一种提高Zn组分均匀性的碲锌镉晶体的制备方法及其产品。所述制备方法包括:将籽晶、低锌多晶锭、中锌多晶锭和高锌多晶锭由下至上依次装入单晶管中,密封单晶管并且使单晶管内维持真空状态;然后从单晶管等径段的底部由...
  • 本申请提供一种碳化硅外延炉及预处理方法、半导体器件,碳化硅外延炉包括气浮托盘和覆盖件,气浮托盘用于放置待处理器件,覆盖件设置在气浮托盘的一侧,并围绕至少部分气浮托盘设置;该碳化硅外延炉的预处理方法应用在处理待处理器件之前,且预处理方法包括:...
  • 本发明公开了一种具备中心测温及称重功能的籽晶驱动机构,包括腔体、与腔体固定连接的第一波纹管、籽晶驱动轴、红外测温仪和称重传感器;籽晶驱动轴固定在称重传感器下方,籽晶驱动轴包括内轴和位于所述内轴外侧的外轴,电机通过齿轮副驱动内轴旋转,红外测温...
  • 本发明公开了一种碳化硅外延片及生长方法,在碳化硅衬底上,采用化学气相沉积法,周期性地交替生长具有第一碳硅比(C/Si=0.4~0.8)和第二碳硅比(C/Si=0.8~1.0)的低速生长的碳化硅层,以构成复合缓冲层,通过不同碳硅比的交替循环,...
  • 本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域,尤其涉及一种多工位碳化硅籽晶同步粘接装置及方法,该装置包括主体支架,多个籽晶粘接工位单元,沿所述主体支架的轴向叠设于容置腔体中;双层锁紧盖,设置于所述主体支架上,用于向多个籽晶粘接工位单元施加轴向压紧力;所...
  • 本发明涉及碳化硅晶体坩埚技术领域,具体为一种碳化硅晶体生长坩埚取放机构及坩埚,包括碳化硅晶体生长坩埚取放机构和坩埚,所述碳化硅晶体生长坩埚取放机构包括放置板、升降机构、两个传动机构、两个夹持机构和移动机构;本发明通过升降机构带动锅体进行升降...
  • 本发明涉及一种基于离子辐照诱导正/负光电导优化载流子分离的方法,该方法包括在室温下,使用能量为500‑520MeV的Xe35+离子束对单晶样品进行均匀辐照,离子束的剂量范围为4.0×1011 cm‑2~3.0× 1012 cm‑2,本发明通...
  • 本发明属于材料科学与光电子技术领域,提供了一种手性钙钛矿超晶格及其制备方法和应用,所述手性钙钛矿超晶格包括具有交叉网络状量子阱超晶格结构的手性钙钛矿。本发明的手性钙钛矿超晶格在室温下表现出长自旋寿命和接近完美的自旋选择性输运特性,为解决室温...
  • 本发明公开了一种半极性面氮化镓外延层及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:提供半极性面氮化镓衬底;在所述半极性面氮化镓衬底上同质外延生长半极性面氮化镓外延层;其中,所述半极性面为()面。本发明以半极性面氮化镓衬底作为衬底进行半极性面氮化镓...
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