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一种提高灰铸铁制动鼓硬度的配方选择方法
一种提高灰铸铁制动鼓硬度的配方选择方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、选取灰铸铁制动鼓产品尺寸范围;S2、选取适合添加或调整的元素及含量范围;S3、根据成本因素从S2的元素中优选出具体3~5种元素;S4、按照S3中优选后要添加的元素含量,...
一种分布式医疗监护方法、系统和监护工作站
本发明提供的分布式医疗监护方法、系统和监护工作站,监护工作站在与服务器正常通信连接时,工作在第一工作模式:从服务器中实时获取预先关联的监护病人的目标数据,并按病人分类呈现监护病人的目标数据;监护工作站在与服务器之间的通信连接异常时,工作在第...
智能医疗交互方法、存储介质、系统及电子装置
本发明公开了一种智能医疗交互方法、存储介质、系统及电子装置。其中,该方法包括:接收来自于客户端的待回复医疗对话文本;利用目标交互模型对待回复医疗对话文本进行处理,得到目标回复信息;基于流式传输方式将目标回复信息反馈至客户端,其中,流式传输方...
一种杠杆式电位器
本发明公开了一种杠杆式电位器,包括壳体,壳体内设有PCB板,PCB板上设有电阻值传感元件,所述壳体内设有一竖向摇摆或水平摇摆的杠杆,杠杆一端延伸至壳体外,形成一摆动式驱动端。本发明与现有技术相比的优点是:本发明既能够适用普通按键,也能够适用...
电感器及包含此电感器的有线电视的讯号传输装置
一种电感器,包含线圈以及磁芯。线圈具有轴向延伸的空腔,且磁芯穿过空腔。磁芯包含第一磁性部以及第二磁性部。第一磁性部与第二磁性部沿线圈的轴向排列,且第一磁性部与第二磁性部具有不同的径向尺寸。本发明还提供一种包含此电感器的有线电视的讯号传输装置...
一种点火线圈的线圈绕制和绝缘胶带包裹一体机
本发明涉及一种点火线圈的线圈绕制和绝缘胶带包裹一体机,其特征在于,包括机架、绕线装置和胶带包裹装置,绕线装置包括设置在机架上的移动架、丝杆和电机,胶带包裹装置包括设置在机架上的胶带卷、挡板、压胶断胶装置和送胶装置,挡板固定安装在胶带卷的下方...
操作机构及开关电器
本发明涉及低压电器领域,具体涉及一种操作机构及开关电器,其操作机构包括分闸助力结构,分闸助力结构可以在操作机构的主弹簧开始释能之前或之时或之后向操作机构的转轴施加使其向分闸位置转动的分闸辅助力,从而保证操作机构和开关电器能够成功的进行分闸操...
按键开关及其按键模块
本发明提出一种按键开关及其按键模块。按键开关包括一壳体及一按键模块。壳体形成一容置孔。按键模块包括一键帽、一固定件及一对弹臂。键帽包括一按压部,按压部位于容置孔内。固定件设置于按压部的下方,并且固定于壳体的底面。所述一对弹臂连接于键帽的两侧...
一种双投高压隔离开关的位置检测防护装置
本发明涉及电气设备技术领域,尤其为一种双投高压隔离开关的位置检测防护装置,包括开关底座、第一端部、第二端部和刀闸本体,还包括:栓接在刀闸本体一侧的接触板;设置在开关底座下方的绝缘箱体;本发明通过刀闸在合闸的过程中下压活动绝缘杆,使活动绝缘杆...
毫米波通信行波管多级降压收集极及工作电压设计方法
本发明公开一种毫米波通信行波管多级降压收集极的工作电压设计方法,所述收集极包括N个内收集极,N≥3,所述方法包括导入并分析收集极的饱和入口文件及线性入口文件;根据饱和电子剩余能量曲线拐点电压值确定第1内收集极的工作电压,根据阴极电压的绝对值...
一种离子源结构及加工设备
本发明提供了一种离子源结构及加工设备,该离子源结构包括:离子源腔体,离子源腔体包括第一侧壁,以及在第一方向上相对设置的第一底部区域和第一开口区域;N套栅网组件,栅网组件位于第一开口区域远离第一底部区域的一侧,N套所述栅网组件在所述第一方向上...
一种多焦点聚焦离子源系统、加工设备及其加工方法
本发明提供了一种多焦点聚焦离子源系统、加工设备及其加工方法,该多焦点聚焦离子源系统包括离子源组件,离子源组件包括放电腔室,放电腔室包括侧壁以及在第一方向上相对设置的底部区域和开口区域,放电腔室内部用于产生等离子体;固定在开口区域一侧的栅网组...
硅空腔结构的制备方法
本发明提供了一种硅空腔结构的制备方法,所述方法应用于半导体技术领域。具体的,其可先在第一硅衬底上形成空腔结构模板层,之后再利用灰化工艺或湿法刻蚀工艺、外延工艺、填充工艺等在所述空腔结构模板层内形成顶部通过所述第二凹槽与外界相通且底部和侧壁由...
一种碳化硅衬底晶圆的清洗方法
本发明提供了一种碳化硅衬底晶圆的清洗方法,属于碳化硅衬底清洗技术/工艺领域,本发明中的清洗方法可以更有效地解决CMP后碳化硅衬底晶圆表面抛光液、液态蜡、氧化层、金属离子等脏污残留的问题,提供了一整套更有效的体系清洗方法,可以有效提高产品的表...
制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法
本公开涉及制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法,该方法包括以下步骤:S1、将第一半导体元件放置于第一反应腔内,开始形成所述超低介电常数薄膜;将第二半导体元件放置于第二反应腔内,间隔10~50s后,开始形成所述超低介电常数薄膜;将第三半...
制备具有氮化硅钝化介质薄膜的半导体元件的方法和得到的半导体元件
本公开涉及制备具有氮化硅钝化介质薄膜的半导体元件的方法和得到的半导体元件,该方法包括:在所述半导体元件的表面,采用等离子增强化学气相沉积的方式形成氮化硅钝化介质薄膜;所述等离子增强化学气相沉积的条件包括:压力为2.0Torr以上,射频功率为...
半导体结构的料盒
本申请提供一种半导体结构的料盒。所述半导体结构的料盒包括料盒本体和第一限位装置。料盒本体具有用于放置半导体结构的容纳腔,料盒本体的一侧设有与容纳腔连通的第一开口。第一限位装置包括第一限位杆、与第一限位杆驱动连接的第一驱动件及用于对第一驱动件...
一种半导体结构的制备方法
本发明提供了一种半导体结构的制备方法,所述方法应用于半导体技术领域。具体的,其可先在金属互连层上形成至少包含第一绝缘介质层、牺牲介质层和第二绝缘介质层的待图形化膜层结构,然后在利用光刻、刻蚀、沉积等多步半导体制程工艺,在所述待图形化膜层结构...
测试结构及测试方法
一种测试结构及测试方法,结构包括:基底,所述基底包括切割道区;测试信号加载单元,位于所述切割道区的基底顶部,所述测试信号加载单元包括多个测试信号加载端,多个所述测试信号加载端沿第一方向和第二方向呈矩阵间隔排布,所述第一方向和第二方向相垂直;...
芯片封装结构及其封装方法、电路板组件、终端
本申请实施例提供一种芯片封装结构及其封装方法、电路板组件、终端,涉及半导体技术领域,用于减小芯片封装结构的尺寸。芯片封装结构包括衬底、第一重布线层、第一器件、第二重布线层、至少一个深槽电容。衬底的第一侧开设有多个容纳腔,深槽电容设置在衬底的...
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