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最新专利技术
  • 一种伊曲莫德及其中间体的合成方法
    一种伊曲莫德及其中间体的合成方法_杭州科巢生物科技有限公司_202510465833.3
    本发明提供了一种伊曲莫德的合成方法，通过新化合物7，在碱作用下与化合物8缩合反应得到中间体化合物9；最后成盐得到伊曲莫德最终成品化合物10，该成路线简短、操作简单、收率高，产品纯度高，适合工业化生产的伊曲莫德合成方法，反应路线：
    2025-12-24
  • 兴安杜鹃杂萜素Rhododaurines A-C的全合成方法
    兴安杜鹃杂萜素Rhododaurines A-C的全合成方法_华中科技大学_202510462230.8
    本发明属于有机合成与药物化学技术领域，公开了一种兴安杜鹃杂萜素Rhododaurines A‑C的全合成方法，包括以下步骤：化合物3与化合物5在甲苯溶剂中，于正丁基锂催化及‑78℃低温条件下进行烯丙基立体选择性加成，构建手性中心得到化合物6...
    2025-12-24
  • 一种CXCR4-整合素双特异性靶向分子探针及其制备方法和应用
    一种CXCR4-整合素双特异性靶向分子探针及其制备方法和应用_哈尔滨医科大学_202510463658.4
    本发明提出了一种CXCR4‑整合素双特异性靶向分子探针及其制备方法和应用，属于分子探针技术领域。所述CXCR4‑整合素双特异性靶向分子探针具有下式所示结构；本发明CXCR4‑RGD及其衍生物在肿瘤的诊断和治疗领域具有重要的研究和应用前景。通...
    2025-12-24
  • 一种用于回收贵金属的大孔树脂的制备方法
    一种用于回收贵金属的大孔树脂的制备方法_核工业北京化工冶金研究院_202510462866.2
    本发明提供了一种用于回收贵金属的大孔树脂的制备方法，属于树脂合成技术领域，其步骤包括：吡啶催化加氢制备六氢吡啶；六氢吡啶精馏得高纯六氢吡啶；以苯乙烯、二乙烯苯、致孔剂、引发剂及分散剂为原料制备大孔白球；对大孔白球洗提致孔；洗提致孔的大孔白球...
    2025-12-24
  • 一种机械变色的纯聚合物水凝胶和应用
    一种机械变色的纯聚合物水凝胶和应用_南京林业大学_202510459349.X
    本发明公开了一种机械变色的纯聚合物水凝胶和应用，该制备方法包括：将聚合物凝胶单体、水、引发剂、交联剂和促进剂按比例混合后，经聚合反应得到具有拉伸和压缩双向机械变色的纯聚合物水凝胶。本发明提供的具有拉伸和压缩双向机械变色的纯聚合物水凝胶，不含...
    2025-12-24
  • 一种高分子材料涂装金属高压密封件及其生产工艺
    一种高分子材料涂装金属高压密封件及其生产工艺_苏州宝骅密封科技股份有限公司_202510463504.5
    本申请涉及密封件技术领域，具体公开了一种高分子材料涂装金属高压密封件及其生产工艺。一种高分子材料涂装金属高压密封件，包括金属密封件本体和阻隔涂层，所述阻隔涂层是将阻隔涂料喷涂至金属密封件本体表面，固化后得到，所述阻隔涂料的原料包括氟塑料、复...
    2025-12-24
  • 一种超滑自清洁型持久散热辐射制冷涂层及其制备方法与应用
    一种超滑自清洁型持久散热辐射制冷涂层及其制备方法与应用_陕西科技大学_202510457597.0
    本发明公开了一种超滑自清洁型持久散热辐射制冷涂层及其制备方法与应用，基于简单喷涂工艺，通过球磨法优化TiO2与钛酸钾复合粒子并结合h‑BN的物理特性与PDMS分子刷接枝策略，构建了兼具高导热性与超滑表面的复合体系，获得...
    2025-12-24
  • 一种具有液态金属动态键的热界面材料、制备方法及测试方法
    一种具有液态金属动态键的热界面材料、制备方法及测试方法_锐腾新材料制造(苏州)有限公司_202510459247.8
    本发明涉及一种具有液态金属动态键的热界面材料、制备方法及测试方法。主要包括以下重量份数的组份：液态金属：50‑90份，导热填料：10‑30份，金属填料：5‑20份，偶联剂：0.1‑0.3份，金属填料以降低界面热阻，采用偶联剂修饰金属填料的表...
    2025-12-24
  • 一种除油除垢剂及其生产工艺
    一种除油除垢剂及其生产工艺_四川奥瑞特化学试剂有限公司_202510461747.5
    本发明公开了一种除油除垢剂及其生产工艺，属于除垢剂技术领域；所述除油除垢剂由硝酸、柠檬酸、氢氟酸、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、螯合剂EDTA‑2Na、OP乳化剂及水按特定比例复配而成。本产品通过多种酸的协同作用实现快速溶解无机垢和油脂，...
    2025-12-24
  • 一种微生物构建土壤Cd消除的方法
    一种微生物构建土壤Cd消除的方法_贵州大学_202510464036.3
    本发明公开了一种微生物构建土壤Cd消除的方法，属于微生物领域。本发明筛选出一种用于消除Cd污染的微生物，为节杆菌(Arthrobacter sp.)SC2‑19，其可耐受的CdCl2浓度高达2800mg/L，对重金属镉...
    2025-12-24
  • 一种红色荧光青枯菌及其制备方法和应用
    一种红色荧光青枯菌及其制备方法和应用_华南农业大学_202510460653.6
    本发明公开一种红色荧光青枯菌及其制备方法和应用，涉及分子生物学及植物病理中的致病菌检测技术领域。本发明将红色荧光青枯菌侵染桉树后在不同组织中能直接清晰的观察到红色荧光标记菌株，可用于探索青枯菌侵染桉树进程，实现青枯菌侵染桉树进程在不同组织中...
    2025-12-24
  • 一种基因改造的T细胞及其构建方法和应用
    一种基因改造的T细胞及其构建方法和应用_四川大学_202510464317.9
    本发明涉及生物工程技术领域，特别是一种基因改造的T细胞及其构建方法和应用，该T细胞是通过基因工程将MMP基因导入T细胞中，且MMP基因能够在T细胞中进行过表达，提高T细胞杀伤实体肿瘤的效果。基因改造的T细胞的构建方法，包括以下步骤：计MMP...
    2025-12-24
  • 一种具备cGAS-STING激动功能的线型核酸结构及其应用
    一种具备cGAS-STING激动功能的线型核酸结构及其应用_江南大学_202510464031.0
    本发明涉及医药技术领域，尤其是涉及一种具备cGAS‑STING激动功能的线型核酸结构及其应用。本发明通过设计合成稳定的DNA纳米结构，采用适配体修饰，提高了核酸的靶向性与稳定性，并满足了激活cGAS‑STING通路的要求。其具有良好的生物相...
    2025-12-24
  • 一种水产用消毒剂安全使用的评定方法
    一种水产用消毒剂安全使用的评定方法_华南农业大学_202510463158.0
    本发明属于消毒剂使用评估的技术领域，具体涉及一种水产用消毒剂安全使用的评定方法。通过对有害菌(嗜水气单胞菌、哈维氏弧菌、维氏气单胞菌、诺卡氏菌)及有益菌进行实验，有害菌用于消毒剂浓度探究，有益菌辅助验证消毒剂浓度的合理性，旨在得到适宜的消毒...
    2025-12-24
  • 玉米苗期耐渍主效QTL qWT1.1的获得、及其分子标记引物的开发及应用
    玉米苗期耐渍主效QTL qWT1.1的获得、及其分子标记引物的开发及应用_湖北省农业科学院粮食作物研究所_202510461826.6
    本发明属于分子生物学领域，公开了玉米苗期耐渍主效QTL qWT1.1的获得及其分子标记引物的开发及应用。本发明提供了控制玉米苗期渍水存活率的主效QTL qWT1.1位于玉米第一染色，参考基因组第5版本物理位置为C...
    2025-12-24
  • 一种钢渣的立式静态螺旋逆流换热系统及多重冷却系统
    一种钢渣的立式静态螺旋逆流换热系统及多重冷却系统_张英辰_202510459758.X
    本发明公开了钢渣余热回收技术领域的一种钢渣的立式静态螺旋逆流换热系统及多重冷却系统，包括：螺旋导流塔，钢渣于所述螺旋导流塔内螺旋向下移动，冷却工质于所述塔体内由下至上流动，已进行逆流换热；钢渣输送机，所述导流输送机固定安装于所述螺旋导流塔下...
    2025-12-24
  • 一种提高铝合金与PVD涂层间膜基结合力的方法
    一种提高铝合金与PVD涂层间膜基结合力的方法_立铠精密科技(盐城)有限公司_202510462710.4
    本发明提供了一种提高铝合金与PVD涂层间膜基结合力的方法。所述方法包括如下步骤：(1)对铝合金基体依次进行喷砂处理、电解抛光处理、清洁处理以及真空烘干，得到预处理基体；(2)将步骤(1)所得预处理基体放入PVD炉内，而后依次进行辉光清洗和P...
    2025-12-24
  • 一种单壁碳纳米管薄膜、制备方法、系统及应用
    一种单壁碳纳米管薄膜、制备方法、系统及应用_深圳职业技术大学_202510459916.1
    本发明涉及单壁碳纳米管薄膜技术领域，提供了一种单壁碳纳米管薄膜、制备方法、系统及应用，该制备方法用于制备单壁碳纳米管薄膜，其包括：获得单壁碳纳米管层；获取多个镀膜室的基础参数，获取每一个功能材料层的预设材料层厚度；构建约束函数以及针对每一个...
    2025-12-24
  • 一种半导体用重结晶碳化硅烧结体的化学气相渗透表面封孔方法
    一种半导体用重结晶碳化硅烧结体的化学气相渗透表面封孔方法_中国科学院金属研究所_202510458224.5
    本发明属于半导体高温防护涂层制备技术领域，具体涉及一种半导体用重结晶碳化硅烧结体的化学气相渗透表面封孔方法。针对多孔的重结晶碳化硅烧结体基体在1250℃高温环境中易引发杂质挥发污染与涂层粗糙度超标的技术瓶颈，本发明创新性地采用分阶段CVI工...
    2025-12-24
  • 一种制备低残余应力SiC耐高温防护涂层的化学气相渗透方法
    一种制备低残余应力SiC耐高温防护涂层的化学气相渗透方法_中国科学院金属研究所_202510458240.4
    本发明属于半导体高温防护涂层制备技术领域，具体涉及一种制备低残余应力SiC耐高温防护涂层的化学气相渗透方法。采用正压化学气相渗透技术，选择MTS‑H2体系作为前驱体并控制其摩尔比例(MTS:H2＝...
    2025-12-24
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