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最新专利技术
  • 网络参数配置方法、装置、计算机设备及存储介质
    网络参数配置方法、装置、计算机设备及存储介质_平安付电子支付有限公司_202510662728.9
    本发明涉及云传输领域，公开了一种网络参数配置方法、装置、计算机设备及存储介质，其方法包括：当客户端的第一网络连接数据满足预设评估要求时，通过预设网络评估模型处理第一网络连接数据，获得客户端的网络态势；从预设网络参数配置数据中获取与网络态势匹...
    2025-12-20
  • 业务请求执行方法、装置、电子设备及存储介质
    业务请求执行方法、装置、电子设备及存储介质_平安健康保险股份有限公司_202510663809.0
    本申请实施例提供了一种业务请求执行方法、装置、电子设备及存储介质，属于计算机技术领域。该方法包括：获取业务请求，业务请求用于请求执行目标业务，业务请求包括目标业务的目标业务参数，根据目标业务获取应用程序的程序结构元数据，编译程序结构元数据，...
    2025-12-20
  • 基于网关的数据访问方法、装置、电子设备及存储介质
    基于网关的数据访问方法、装置、电子设备及存储介质_中国平安人寿保险股份有限公司_202510661844.9
    本申请实施例提供了一种基于网关的数据访问方法、装置、电子设备及存储介质，涉及数据处理技术领域，适用于金融科技领域。该方法包括：对至少两个服务节点进行区域划分，得到至少两个节点分区；在每一网关节点中部署定时任务同步插件，定时任务同步插件用于定...
    2025-12-20
  • 富文本数据传输方法、电子设备及程序产品
    富文本数据传输方法、电子设备及程序产品_贝壳找房(北京)科技有限公司_202510661315.9
    本公开提供了一种富文本数据传输方法、电子设备及程序产品。本公开的富文本数据传输方法，包括：获取待传输富文本数据包括的纯文本和纯文本的渲染信息；基于纯文本获取渲染信息的渲染描述数据；基于渲染描述数据生成结构化渲染信息；向接收端传输纯文本和结构...
    2025-12-20
  • 一种手机屏折叠测试设备
    一种手机屏折叠测试设备_辰瓴半导体(嘉兴)有限公司_202510656256.6
    本申请公开了一种手机屏折叠测试设备，涉及手机屏折叠测试的技术领域。一种手机屏折叠测试设备，包括底座，所述底座转动连接有第一承载件和第二承载件，所述第一承载件和第二承载件上形成有用于放置折叠屏手机的容纳空间；所述第一承载件和/或所述第二承载件...
    2025-12-20
  • 图像压缩方法、图像压缩模型的训练方法、装置和设备
    图像压缩方法、图像压缩模型的训练方法、装置和设备_深圳地平线机器人科技有限公司_202510661434.4
    本公开实施例公开了一种图像压缩方法、图像压缩模型的训练方法、装置和设备，获取待压缩图像的图像信息，所述图像信息包括至少一个像素的第一像素值；利用图像压缩模型学习到的像素值变换关系，对所述至少一个像素的第一像素值进行压缩，得到所述至少一个像素...
    2025-12-20
  • 视频制作方法和装置、电子设备及存储介质
    视频制作方法和装置、电子设备及存储介质_中国平安财产保险股份有限公司_202510665126.9
    本申请实施例提供了一种视频制作方法和装置、电子设备及存储介质，属于数据处理技术领域，适用于金融科技领域。该方法包括：根据模版选取请求中的参考视频模版确定视频录制页面；其中，参考视频模版至少包括：录制截止时间和文案显示区域，文案显示区域显示预...
    2025-12-20
  • 声学传感器及电子设备
    声学传感器及电子设备_歌尔微电子股份有限公司_202510660249.3
    本公开实施例公开了一种声学传感器及电子设备，所述声学传感器包括基底、麦克风芯片、第一ASIC芯片、壳体和防水件，所述基底开设有开口；所述麦克风芯片设于所述基底上，所述麦克风芯片具有背腔，所述背腔与所述开口相对，且所述第一ASIC芯片与所述麦...
    2025-12-20
  • 一种改善音质的助听专用骨传导振子组件
    一种改善音质的助听专用骨传导振子组件_慧声通医疗科技(上海)有限公司_202510658523.3
    本发明涉及骨传导振子技术领域，具体为一种改善音质的助听专用骨传导振子组件，包括振动组件，包括振动片，所述振动片呈同心环状结构，由内向外依次包括内圈环、中圈环和外圈环。本发明通过梯度环状振动片拓宽频响范围并优化语音清晰度，结合弹性臂模态分离设...
    2025-12-20
  • 基于隧道内分布式基站的北斗定位信息传输系统及方法
    基于隧道内分布式基站的北斗定位信息传输系统及方法_河北博图通信科技有限公司_202510659101.8
    本发明涉及数据通信技术领域，尤其涉及基于隧道内分布式基站的北斗定位信息传输系统及方法，该方法在隧道内设置若干北斗定位基站，使用智能组网算法对北斗定位基站进行连接以形成网络拓扑结构；对来自若干北斗定位基站的定位数据依次进行清洗、滤波以输出优化...
    2025-12-20
  • 一种集成电路板生产用蚀刻设备
    一种集成电路板生产用蚀刻设备_晶通(高邮)集成电路有限公司_202510654081.5
    本发明涉及蚀刻装置技术领域，公开了一种集成电路板生产用蚀刻设备，包括支撑架、振动机构、蚀刻机构及固定机构，所述振动机构包括倾斜板、一组振动弹簧、顶杆及驱动组件，所述支撑架上设置有转动盘，所述转动盘上均匀设置圆形槽，所述顶杆通过驱动组件安装在...
    2025-12-20
  • 一种适用于Msap工艺的线路板制作方法及线路板
    一种适用于Msap工艺的线路板制作方法及线路板_厦门四合微电子有限公司_202510656472.0
    本发明涉及电路板制造技术领域，公开了一种适用于Msap工艺的线路板制作方法及线路板，包括：步骤S100：在层压板一面或两面的蚀刻线路处对应位置处贴合干膜；步骤S200：对所述层压板进行图形电镀，直至所述层压板高度与所述干膜高度差值位于预设值...
    2025-12-20
  • 一种冷却循环系统及设备冷却方法
    一种冷却循环系统及设备冷却方法_东方电气自动控制工程有限公司_202510656057.5
    本发明属于储能冷却技术领域，尤其涉及一种冷却循环系统及设备冷却方法，其冷却循环系统包括进液系统、换热系统和出液系统。换热系统包括若干并行连接的换热单元；进液系统与换热系统输入端连接，进液系统中接入有压力检测装置、液温测量装置Ⅰ、排污脱气罐和...
    2025-12-20
  • 具有定向散热功能的仿生学液冷板
    具有定向散热功能的仿生学液冷板_江苏文轩热管理系统有限公司_202510656551.1
    本发明涉及液冷板技术领域，尤其涉及具有定向散热功能的仿生学液冷板，包括设置在发热源底部的热源安装面和冷却板，冷却板密封安装在热源安装面的底部，冷却板上设置有用于带走传导至热源安装面上的热量的仿生学流道，仿生学流道包括分别开设有热源安装面一端...
    2025-12-20
  • 一种基于HTCC的嵌入电路型射流冲击冷却结构
    一种基于HTCC的嵌入电路型射流冲击冷却结构_电子科技大学_202510656734.3
    本发明公开了一种基于HTCC的嵌入电路型射流冲击冷却结构，包括从上到下依次进行压合烧结而成的进出口层、进水腔层、射流喷头层、出水腔层、射流出口层和射流冲击层，进出口层中设有垂直进水口，进水腔层中设有进水射流腔，射流喷头层中设有射流喷头，出水...
    2025-12-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510662337.7
    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底以及位于基底上的堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向排布的晶体管；晶体管包括：沟道部，沟道部沿第二方向延伸；沿第二方向间隔排布的底电极以及顶电极，底电极与顶电极位于...
    2025-12-20
  • 存内计算芯片
    存内计算芯片_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202510656041.4
    本发明公开了存内计算芯片。该存内计算芯片包括：至少一层第一芯粒和至少一层第二芯粒。第一芯粒包括至少一个第一单元，所述第一单元包括多个存储节点。至少一层第二芯粒与至少一层第一芯粒堆叠，第二芯粒包括至少一个第二单元，第二单元包括计算控制单元；其...
    2025-12-20
  • 基于AlN插入层的双沟道p型GaN器件及其制备方法
    基于AlN插入层的双沟道p型GaN器件及其制备方法_香港科技大学深圳研究院_202510656852.4
    本发明涉及基于AlN插入层的双沟道p型GaN器件及其制备方法。所述器件包括：双沟道结构：在p‑GaN层中插入第一AlN层和第二AlN层，其中第一AlN层位于p‑GaN层中间，第二AlN层位于p‑GaN/AlGaN界面；通过极化效应在所述第一...
    2025-12-20
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510662706.2
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于增大栅极侧墙沿半导体基底厚度方向上至少部分区域的厚度，使得栅极侧墙中具有较大厚度的区域具有较强的保护作用，扩大工艺窗口，降低半导体器件中产生缺陷的风险，提高半导体器件的良率。所...
    2025-12-20
  • 全耗尽绝缘体上硅FDSOI晶圆及其制造方法
    全耗尽绝缘体上硅FDSOI晶圆及其制造方法_广州诺尔光电科技有限公司_202510664196.2
    本申请提供全耗尽绝缘体上硅晶圆及其制造方法，方法包括：提供第一衬底，第一衬底上依次层叠设置第一硅锗层、第二硅锗层和第一埋氧层，第二硅锗层的锗含量大于50％且为压应变硅锗层；提供第二衬底，第二衬底上设置有第二埋氧层；键合第一衬底和第二衬底，去...
    2025-12-20
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