Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种电子束束闸装置
    一种电子束束闸装置_合肥利托光电科技有限公司_202511039306.2
    本发明涉及扫描电子显微镜技术领域， 尤其涉及一种电子束束闸装置， 包括基座与接地盖板， 基座底部周向均匀布设有四组定位块与四组偏转电极板， 偏转电极板与定位块位置相对应， 且其通过螺栓A与定位块连接， 偏转电极板底部设置有接地盖板， 接地盖...
    2026-03-22
  • 电子源模组和电子束直写机
    电子源模组和电子束直写机_上海集成电路材料研究院有限公司_202410360932.0
    本申请提供一种电子源模组和电子束直写机， 所述电子源模组包括：阵列式电子源基板(1)， 在所述阵列式电子源基板的第一个主面(1‑1)上形成有复数个电子发射单元(1‑3)；电子源控制电路基板(2)， 在所述电子源控制电路基板上形成有复数个控制...
    2026-03-22
  • 一种用于实现四维扫描透射电子计算成像的装置和设备
    一种用于实现四维扫描透射电子计算成像的装置和设备_华为技术有限公司_202410366508.7
    本申请涉及计算电子成像技术领域， 公开了一种在扫描电镜上实现四维扫描透射电子计算成像的装置和设备。该装置包括样品舱舱门、样品承载组件和探测器， 其中， 样品舱内不设置样品位移台， 并且探测器和样品台之间的距离可以根据实际4D‑STEM的需求...
    2026-03-22
  • 使用非均匀剂量的样品制备
    使用非均匀剂量的样品制备_FEI公司_202510290874.3
    公开了用于样品制备的可变剂量离子束铣削技术。带电粒子显微镜系统可被配置为：通过至少将离子束朝向样品的第一部分引导来从该样品移除第一材料层以减小该样品的第一部分的厚度。在移除第一层之后， 可通过至少将该离子束朝向该样品的第二部分引导来从该样品...
    2026-03-22
  • 调节源发生器和偏置发生器之间相位延迟的设备和方法
    调节源发生器和偏置发生器之间相位延迟的设备和方法_英特尔NDTM美国有限公司_202410381071.4
    本发明涉及一种调节腔体装置中源发生器和偏置发生器之间相位延迟的设备和方法， 腔体装置包括：用于容纳待加工晶片的反应腔室、与反应腔室上部连接的源发生器以及与反应腔室下部连接的偏置发生器， 其中， 所述源发生器和偏置发生器为向所述反应腔室加载射...
    2026-03-22
  • 晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备
    晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410381983.1
    本申请的实施例提供了一种晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备， 晶圆处理腔包括腔体、托盘和喷淋头， 腔体开设有连通抽气装置的排出口， 托盘用于承载晶圆， 喷淋头用于喷出处理流体， 托盘与腔体之间设有隔离板， 隔离板环绕托盘设置， 隔离板和...
    2026-03-22
  • 用于半片电池切片截面钝化修复的导电装置以及工作方法
    用于半片电池切片截面钝化修复的导电装置以及工作方法_无锡松煜科技有限公司_202510700300.9
    本申请涉及一种用于半片电池切片截面钝化修复的导电装置以及工作方法， 属于光伏电池的技术领域。它包括腔室上壳和腔室下壳闭合形成的真空腔室、进气组件、长板型电极、射频电源及载板；电极之间形成横向电场， 驱动等离子体定向沉积于半片电池切片的截面上...
    2026-03-22
  • 数据校正方法、装置、设备及存储介质
    数据校正方法、装置、设备及存储介质_联影越质科学仪器(武汉)有限公司_202510855929.0
    本申请提供的一种数据校正方法、装置、设备及存储介质， 通过将光纤贴合在所述飞行时间质谱仪中飞行管的预设位置来获取光纤的物理状态变化信息；至少基于所述物理状态变化信息确定飞行时间质谱仪中检测器检测的离子的质荷比值的校正因子；基于所述校正因子对...
    2026-03-22
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口
    一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口_四川长青松科技有限公司_202510818577.1
    本申请涉及质谱仪技术领域， 尤其是涉及一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口， 其包括基座， 所述基座的顶部固定安装有电感耦合等离子体质谱仪本体。本申请应用期间通过三通管与双电磁阀构建双通路抽真空系统， 将设备本体与真空连接中转箱独立控制，...
    2026-03-22
  • 光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法
    光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法_生命安全销售股份有限公司_202410364333.6
    本发明涉及光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法。公开了一种光电离检测器(PID)灯组件。该PID灯组件包括在其内限定灯室的帽， 并且该帽具有阶梯状孔口。此外， 水晶窗密封在帽上， 并且被配置成允许紫外(UV)光通过。此外， ...
    2026-03-22
  • 叠合标记的制造方法
    叠合标记的制造方法_华邦电子股份有限公司_202410552381.8
    本发明提供一种叠合标记的制造方法。于目标层上形成第一掩模环。于第一掩模环上形成第一介电层。于第一介电层上形成第二掩模环。在第一方向上， 第一掩模环的长度大于第二掩模环的长度。在第二方向上， 第一掩模环的长度小于第二掩模环的长度。对第二掩模环...
    2026-03-22
  • 用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法
    用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510627483.6
    本公开提供了用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法；所述边缘刻蚀装置包括上承载台和下承载台， 所述处理方法包括：通过控制所述上承载台的第一抵接部和所述下承载台的第二抵接部的抵接面发生形变， 来修整所述抵接面的缺陷。
    2026-03-22
  • 一种实现SiC减薄后超低翘曲的激光应力释放的工艺方法
    一种实现SiC减薄后超低翘曲的激光应力释放的工艺方法_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202510833438.6
    本发明涉及SiC材料加工领域， 尤其是涉及一种实现SiC减薄后超低翘曲的激光应力释放的工艺方法。其包括在减薄前对SiC晶片C/Si面进行阵列式激光打孔预处理， 通过紫外激光精确打孔形成应力缓冲带， 并结合超声清洗去除熔渣， 优化砂轮磨削参数...
    2026-03-22
  • 一种激光剥离4H-SiC晶圆的高效低损磨削方法
    一种激光剥离4H-SiC晶圆的高效低损磨削方法_山东大学_202510834749.4
    本发明公开了一种激光剥离4H‑SiC晶圆的高效低损磨削方法， 包括如下步骤：采用激光对4H‑SiC晶体内部进行定向改质处理， 形成剥离层， 将晶圆与晶体分离；将激光剥离后的晶圆进行显微观察， 识别其激光改质层、结构过渡层和本征SiC层；根据...
    2026-03-22
  • 基于复合清洗工艺的多膜层晶圆表面污染物去除方法
    基于复合清洗工艺的多膜层晶圆表面污染物去除方法_中国科学院光电技术研究所_202510894355.8
    本发明涉及SP光刻技术领域， 具体涉及一种基于复合清洗工艺的多膜层晶圆表面污染物去除方法， 所述多膜层晶圆为经过表面等离子体光刻后的晶圆， 表面至少包括底层反射金属膜层和曝光显影后的光刻胶层， 所述方法包括以下步骤：S1、将待清洗的所述多膜...
    2026-03-22
  • 一种利用红外激光剥离衬底制备半导体器件的方法及器件
    一种利用红外激光剥离衬底制备半导体器件的方法及器件_苏州纳维科技有限公司_202510898557.X
    本发明公开了一种利用红外激光对衬底剥离制备半导体器件的方法及器件， 该方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底上形成高掺杂牺牲层；其中， 通过调节高掺杂牺牲层的掺杂浓度调整高掺杂牺牲层的能带结构， 进而调整高掺杂牺牲层对红外激光的吸收率；在高掺杂...
    2026-03-22
  • 可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品
    可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品_达波科技(上海)有限公司_202511180090.1
    本申请涉及可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品， 属于含锑化铟异质晶圆制造技术领域。该方法包括：提供供体锑化铟衬底， 离子注入形成离子注入层、弱化层和供体衬底余质层；提供载体锑化铟衬底；在载体锑化铟衬底和供体锑化铟衬底表面沉积A...
    2026-03-22
  • 一种半导体复合衬底的制备方法
    一种半导体复合衬底的制备方法_深圳平湖实验室_202511188592.9
    本公开实施例提供了一种半导体复合衬底的制备方法， 通过对将氢离子注入后的薄膜转移衬底的Si面进行面型处理， 在Si面的表面形成的损伤层可以抵消氢离子注入后产生的应力形变， 从而得到低翘曲度的薄膜转移衬底， 提升后续键合质量， 最终可以得到高...
    2026-03-22
  • 硬掩模叠层及其制作方法
    硬掩模叠层及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202510650703.7
    本发明提供了一种硬掩模叠层及其制作方法， 属于半导体领域。硬掩模叠层包括基底层。中间层， 所述中间层至少包括第一薄膜层和第二薄膜层， 所述第一薄膜层设置于所述基底层表面， 以及覆盖层， 设置于所述第二薄膜层的表面。其中， 所述中间层的材料包...
    2026-03-22
  • 一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片
    一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片_达波科技(上海)有限公司_202511141949.8
    本发明提供了一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片， 涉及晶圆键合技术领域。在高真空环境下， 分别将待键合的第一晶片和第二晶片的键合面采用第一原子束进行第一次辐照处理， 得到第一活化层；将步骤S1第一次辐照处理后的键合面采用第二原子束进行...
    2026-03-22
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证