Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法
    具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法_西安电子科技大学_202510893654.X
    本发明公开了一种具有复合界面钝化层的P‑GaN栅极HEMT器件及制备方法， 涉及半导体技术领域， 包括：依次层叠设置的衬底和缓冲层；势垒层， 位于缓冲层上， 且位于缓冲层上的中间区域；源极和漏极， 位于缓冲层上；P型氮化镓层， 位于势垒层上...
    2025-11-20
  • 基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510901819.3
    本公开实施例提供了一种基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；N型金刚石层， 设置于金刚石衬底上， 用于形成二维电子气通道；势垒层， 设置于N型金刚石层上， 势垒层的材料包...
    2025-11-20
  • 基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510901824.4
    本公开实施例提供了一种基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；第一类型金刚石层；第二类型金刚石层， 第二区域为第二类型金刚石层所在的区域， 第一类型金刚石层为N型金刚石...
    2025-11-20
  • 高电子迁移率晶体管装置
    高电子迁移率晶体管装置_英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司_202510941792.0
    一种高电子迁移率晶体管装置包括主动区、两栅极总线、源极总线、第一源极场板、多个源极接触部、第二源极场板、顶面金属层、及第二源极场板接触部。两栅极总线位于主动区并沿第一方向延伸。源极总线位于主动区且设于两栅极总线之间。第一源极场板位于主动区且...
    2025-11-20
  • 抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法
    抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202510953603.1
    本申请公开了一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法， 抗单粒子型高电子迁移率晶体管， 其中， 包括层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和栅极结构层， 沟道层的远离缓冲层的表面还设有源极结构和漏极结构， 源极结构和漏极结构分别连接于势...
    2025-11-20
  • 一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
    一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511157188.5
    本发明公开了一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法， 涉及半导体器件制造技术领域， 其包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、第一势垒层、刻蚀阻挡层、第二势垒层、离子注入区、源漏极、栅介质层、栅极、钝化层及金属互连层。通过引入...
    2025-11-20
  • 一种沟槽MOS器件及其制造方法
    一种沟槽MOS器件及其制造方法_万芯半导体(宁波)有限公司_202510929984.X
    本申请涉及一种沟槽MOS器件， 包括衬底和外延层， 外延层上设置有多个多晶硅栅极且多个多晶硅栅极嵌入外延层设置， 多晶硅栅极的底部和侧面设置有栅氧化层， 外延层上垂直注入P型轻掺杂离子形成有P型体区， 外延层上垂直注入N型重掺杂离子形成有高...
    2025-11-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511258186.5
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法， 器件包括基底， 具有第一表面， 基底具有第一掺杂类型；多个源区结构， 间隔的位于基底中， 源区结构的第二表面位于第一表面中；栅极结构， 位于第一表面上并覆盖多个源区结构的部分表面；抗静电结构， 位于...
    2025-11-20
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410358779.8
    本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备， 芯片、制备方法及电子设备， 芯片包括衬底、第一电极层、多个垂直沟道、第一绝缘介质层、栅极结构、第二电极层、第二绝缘介质层， 可以在芯片中形成多个VTFET， 提升堆叠密度。并且， 通过设置第一气体...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410365777.1
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：衬底， 衬底包括中心区和边缘区， 边缘区围绕中心区；沟道层， 位于中心区的衬底中， 且沟道层顶部与衬底顶部相齐平；填充层， 位于边缘区的衬底中。由于填充层位于边缘区的衬底中， 且边缘区围绕中心区...
    2025-11-20
  • 半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备
    半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备_华为技术有限公司_202410391211.6
    本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备， 涉及半导体技术领域， 用于抑制半导体器件的短沟道效应的同时， 提高半导体器件的可靠性。该半导体器件包括：设置于衬底的顶部的第一电极和第二电极， 以及设置于第一电极和第二电极之间...
    2025-11-20
  • 一种低损耗垂直积累层沟道导电型沟槽MOSFET功率器件及制备方法
    一种低损耗垂直积累层沟道导电型沟槽MOSFET功率器件及制备方法_东南大学_202510657596.0
    本发明公开了一种低损耗垂直积累层沟道导电型沟槽MOSFET功率器件及制备方法， 器件构成部件包括底部金属层、各个元胞， 以及顶部金属层、第一导电类型衬底层、第一导电类型外延层、顶部JFET区第二导电类型深阱区、第一导电类型源区、层间介质等，...
    2025-11-20
  • 横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202511030386.5
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法， 其中该制作横向扩散金属氧化物半导体元件的方法为， 首先形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基底上， 然后形成一浅沟隔离于第一鳍状结构与第二鳍状结构之间， 形成第一栅极结构于该第一鳍状结构...
    2025-11-20
  • 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
    金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法_株洲中车时代半导体有限公司_202410319696.8
    本发明提出了一种MOSFET及其制作方法。MOSFET包括衬底；外延层设置在衬底上；沟槽栅组包括第一沟槽栅和多个第二沟槽栅， 第一沟槽栅从外延层远离衬底一侧的表面延伸至外延层中， 第一沟槽栅在外延层所在平面沿第一方向延伸， 多个第二沟槽栅沿...
    2025-11-20
  • 功率半导体装置及其制造方法
    功率半导体装置及其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410340804.X
    功率半导体装置包含漏极金属、位在漏极金属上的基底层、位在基底层上的磊晶层、栅极结构、源极/漏极掺杂区、遮蔽区、栅极氧化层以及位在磊晶层上的源极金属。磊晶层具有第一导电类型。栅极结构位在磊晶层中。栅极结构在横向上为非对称的。栅极结构包含第一栅...
    2025-11-20
  • 功率半导体装置及其制造方法
    功率半导体装置及其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410357219.0
    功率半导体装置包含功率半导体装置包含漏极金属、位在漏极金属上的基底层、位在基底层上并具有第一导电类型的磊晶层、位在磊晶层中的分裂栅极、电场遮蔽区、栅极氧化层以及源极金属。分裂栅极包含第一栅极与第二栅极， 且第二栅极位在第一栅极上方。电场遮蔽...
    2025-11-20
  • 一种功率开关器件结构及其制备方法
    一种功率开关器件结构及其制备方法_上海溪赛德微电子有限公司_202410382973.X
    本发明提供了一种功率开关器件结构及其制备方法， 通过在第一导电类型漂移区中设置器件电极结构和环绕器件电极结构的边缘终端结构， 将器件电极结构中的第一多晶硅层和边缘终端结构中的电势固定层相对应设置， 并将第一多晶硅层与相对应的电势固定层电连接...
    2025-11-20
  • 芯片结构及其制作方法、车辆
    芯片结构及其制作方法、车辆_中国第一汽车股份有限公司_202510747813.5
    本发明提供了一种芯片结构及其制作方法、车辆。具体地， 芯片结构包括：衬底层和N型漂移层， N型漂移层设置于衬底层的上表面， 在N型漂移层上表面至少层叠设置有场氧层、栅氧化层、多晶硅栅极和绝缘介质层， 在栅氧化层与N型漂移层的N型漂移区之间形...
    2025-11-20
  • 一种基于MoS2的薄膜晶体管MOSFET结构及其制备方法
    一种基于MoS2的薄膜晶体管MOSFET结构及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511233896.2
    本发明公开了一种基于MoS2的薄膜晶体管MOSFET结构及其制备方法， 属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成， 单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层， 并配合两侧弧形侧...
    2025-11-20
  • 垂直超结结构氮化镓功率晶体管器件及其制备方法
    垂直超结结构氮化镓功率晶体管器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202410356530.3
    本发明涉及一种垂直超结结构氮化镓功率晶体管器件及其制备方法， 属于微电子技术领域， 解决了目前超结器件对导通电流密度的升高以及导通电阻的降低有限， 制约了超结器件在更高功率密度下使用的问题。所述晶体管器件的漂移区包括处于中间位置的一个AlG...
    2025-11-20
首页 上一页 14 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证