Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明提供了一种TBC电池及其制备方法, 涉及太阳能电池技术领域。所述TBC电池包括:硅基底, 所述硅基底的背面包括至少一个N区、至少一个P区;所述N区上设置有N型掺杂多晶硅层, 所述P区上设置有P型掺杂多晶硅层;所述N区和P区之间设置有隔...
  • 本发明公开了一种Ⅲ族氯化物非原位掺杂的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法, 所述碲化镉薄膜太阳能电池包括自下而上依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、电池窗口层、电池层、背接触层与背电极层, 电池层包括吸收层以及涂覆在电池窗口层上...
  • 本发明公开了一种基于金属网格铜电极的HJT太阳能电池, 包括N型单晶硅衬底, 且正面和背面分别制绒处理, N型单晶硅衬底的正面依次层叠设置有I型非晶硅层、P型非晶硅层, N型单晶硅衬底的背面依次层叠设置有I型非晶硅层、N型非晶硅层;P型非晶...
  • 本发明公开了一种太阳能光伏板, 包括第一柔性层、底板层、透明的第二柔性层;底板层包括多块排列设置的子板, 所有的子板设置于第一柔性层, 且相邻两块子板能够在相互共面的状态与呈夹角的状态之间切换, 每块子板背离第一柔性层的一侧均设置有太阳能晶...
  • 本发明提供一种太阳能电池模块以及中继馈线。太阳能电池模块具有中继馈线。中继馈线具有:第一中继馈线, 其包括与第一太阳能单电池的第一汇流条电极相连接的第一电极、与第二太阳能单电池的第四汇流条电极相连接的第二电极、以及对第一电极与第二电极进行连...
  • 本申请提供一种光伏组件及其制造方法, 该光伏组件包括多片电池片和多条用于连接相邻两片电池片的焊带, 其中, 相邻两片电池片中一者的正面与另一者的背面部分重叠;每条焊带包括沿第一方向依次连接的第一焊带分段、第二焊带分段和第三焊带分段, 第一焊...
  • 本发明公开了一种基于Ⅱ型能带的p+‑NiO/p‑‑NiO/GaN垂直结构光伏探测器。其结构包括:n‑GaN衬底、位于衬底上方的i‑GaN吸收层、位于吸收层上方的p‑‑NiO层和p+‑NiO欧姆接触层、以及i‑GaN上设有的AlN窗口层、阳极...
  • 提供了照度传感器和包括照度传感器的显示设备。照度传感器包括:读出线, 设置在衬底上, 并且在第一方向上延伸;光接收元件, 设置在读出线上;第一传感器晶体管, 配置成基于作为光接收元件的第一电极的传感器节点的电压来控制感测电流;第二传感器晶体...
  • 一种半导体封装件可包括:半导体芯片, 包括基底的第一表面上的电极, 第一表面是光入射表面;贯穿孔, 从基底的第二表面延伸到电极, 基底的第二表面与基底的第一表面相对;布线层, 在第二表面上, 并且通过贯穿孔电连接到电极;柱电极, 电连接到布...
  • 提供半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括:半导体芯片, 在半导体芯片中电极形成在芯片基底的第一表面上;透明基底, 包括布线层;柱电极, 通过布线层电连接到电极;以及包封树脂层, 覆盖布线层, 其中, 柱电极通过第一导...
  • 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法, 该晶片封装体包括透光片、半导体基板、绝缘层、重布线层、保护层、导电结构及模压材。半导体基板位于透光片上。绝缘层位于半导体基板背对透光片的表面上。重布线层位于绝缘层上。重布线层位于保护层中。导电结构位于...
  • 本公开涉及堆叠硅光电倍增器。一种半导体器件可以包括多个单光子雪崩二极管(SPAD)像素。该半导体器件可以是包括与集成被动部件(IPC)晶圆堆叠的传感器晶圆的背侧器件。该传感器晶圆可包括在该传感器晶圆上的阵列中的SPAD像素。该IPC晶圆可包...
  • 本申请案涉及一种图像传感器及一种图像传感器制造方法。将多层布线层层压在晶片上方。形成在所述多层布线层中的布线包含电容控制布线及FD‑SF布线。所述电容控制布线与浮动扩散部进行电容性耦合, 且在所述电容控制布线上传输增加所述浮动扩散部的电位的...
  • 一种图像传感器可以包括:第一像素, 其被构造为检测第一颜色;第二像素, 其被构造为检测不同于第一颜色的第二颜色;第一有源区域, 其位于第一像素中;以及第二有源区域, 其位于第二像素中, 其中, 第一有源区域和第二有源区域彼此直接连接。
  • 一种太阳能电池的制备方法, 包括:对硅基底制绒, 硅基底包括第一表面和第二表面;硅基底进行硼扩散和高温氧化;去除硅基底的侧边和第二表面的硼扩散层和BSG;在硅基底的第二表面沉积隧穿氧化层及掺杂多晶硅层;去除硅基底的第一表面和侧面的PSG等;...
  • 本申请公开了半透明Sb2S3薄膜太阳能电池及其制备方法和Sb2S3‑Sb2Se3四端叠层太阳能电池, 该制备方法包括:通过真空热蒸发法在第一透明电极的一侧制备CdS电子传输层;在所述CdS电子传输层远离所述第一透明电极的一侧制备Sb2S3吸...
  • 本发明涉及半导体技术领域, 公开了一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法, 制备方法包括:在玻璃基板上依次沉积透明导电层、高阻层、刻蚀层;形成贯穿刻蚀层的P1激光槽, P1激光槽的填充材料为第一填充材料;形成覆盖P1激光槽的第二吸收层;形成...
  • 本发明公开了一种低成本太阳能电池金属化工艺, 涉及太阳能电池金属化技术领域, 包括步骤一:将镀膜后硅片进行半片切割;步骤二:对正面电极和背面电极进行制作;将镀膜后的硅片通过丝网印刷正面银种子层;所述的金属种子层设置于电池片的表面, 用于收集...
  • 本发明公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法, 属于太阳能电池领域, 通过在硅片第二表面放置一层环状石墨舟掩盖硅片, 形成掩盖的接触区和未掩盖的非接触区, 非接触区上沉积一层正面掩膜层, 配合清洗工艺, 使硅片的第二表面与透...
  • 本发明涉及一种制备硅太阳能电池的方法和太阳能电池, 该方法包括:将硅基底置于刻蚀液中, 在所述硅基底的受光面侧上方设置具有窗口的第一掩膜, 对所述硅基底进行第一光诱导刻蚀, 在所述硅基底的受光面上形成第一织构化表面;在所述第一织构化表面的上...
技术分类