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最新专利技术
  • 包括电压开关电路的存储器装置
    包括电压开关电路的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202411888628.X
    本公开涉及一种包括电压开关电路的存储器装置，包括：第一半导体层，包括存储器单元阵列，存储器单元阵列连接到沿第一方向延伸的字线和沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸的位线；以及第二半导体层，设置在第一半导体层下方，并且包括在基本垂直于第一方向和...
    2025-12-06
  • 半导体装置、半导体系统以及半导体装置的操作方法
    半导体装置、半导体系统以及半导体装置的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510281610.1
    本公开涉及半导体装置、半导体系统以及半导体装置的操作方法。一种半导体装置的操作方法可以包括：当接收读取命令时检查操作时间戳；基于已存储的操作时间戳和读取命令被接收时的时间来计算经历时间；将经历时间与第一设定时间进行比较；当经历时间大于第一设...
    2025-12-06
  • 一种数据信号优化方法、装置、计算机设备及存储介质
    一种数据信号优化方法、装置、计算机设备及存储介质_东莞记忆存储科技有限公司_202511003632.8
    本发明提供了一种数据信号优化方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括以下步骤：为多个数据信号配置一组可编程参考电压，所述可编程参考电压的数量基于所述数据信号的中心电平浮动范围与可编程步长确定；扫描每个所述数据信号的中心电平值；根据所述...
    2025-12-06
  • 访问时间计算器电路、对应的存储器装置及方法
    访问时间计算器电路、对应的存储器装置及方法_意法半导体国际公司_202510580873.2
    本公开涉及访问时间计算器电路、对应的存储器装置及方法。存储器访问时间经由访问时间计算器确定，该访问时间计算器包括耦合到存储器的读取数据端口，该存储器在不同存储器地址处存储交替数据段。读取数据端口在从不同存储器地址的读取事件的序列中以存储器访...
    2025-12-06
  • 一种三端存储模块、三端存储器及其数据处理方法
    一种三端存储模块、三端存储器及其数据处理方法_北京航空航天大学_202510845872.6
    本发明提供一种三端存储模块、三端存储器及其数据处理方法，所述三端存储模块包括：包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和存储单元，其中：所述存储单元的第一端与所述第一晶体管的第一端相连，所述存储单元的第二端与所述第二晶体管的第一端相连，所述存...
    2025-12-06
  • 一种应用于MRAM的双采样感测电路
    一种应用于MRAM的双采样感测电路_长安大学_202511445628.7
    本发明公开了一种应用于MRAM的双采样感测电路，涉及存储器电路设计技术领域，该电路包括：至少一个SOT‑MRAM、预充电与放电控制模块、采样模块和感测放大模块；每个SOT‑MRAM包含数据单元和参考单元，数据单元的磁化状态与参考单元相反；预...
    2025-12-06
  • 基于铁电晶体管的全数字存内运算CMOS电路
    基于铁电晶体管的全数字存内运算CMOS电路_电子科技大学_202511052497.6
    本发明设计并提出了多种基于铁电晶体管的全数字存内计算电路，属于集成电路领域。本发明设计了多种基于铁电晶体管的全数字存内计算电路，基于FEFET逻辑门结构，本发明可以将权重数据存储在计算电路中进行所有的布尔逻辑运算，对于突破冯.诺伊曼架构的“...
    2025-12-06
  • 一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列
    一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065893.2
    本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列。所述1T1PFC顺铁电存储单元，包括：一个存储晶体管；一个顺铁电电容器，与所述存储晶体管的栅极连接；存储栅极线，通过垂直连接结构电耦合到顺铁电电容器的底电...
    2025-12-06
  • 一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法
    一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065979.5
    本申请提供了一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法，所述4T2FC铁电存储单元包括：第一存储晶体管，其漏极连接第一控制晶体管的源极；第二存储晶体管，其漏极连接第二控制晶体管的源极；第一铁电电容器，分别连接第一板线和所述第一存储晶体管栅极；第...
    2025-12-06
  • 一种1T2FC铁电存储单元及其制备方法
    一种1T2FC铁电存储单元及其制备方法_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511066059.5
    本申请提供了一种1T2FC铁电存储单元及其制备方法，其中，所述1T2FC铁电存储单元，配置于存内计算铁电存储器，包括：选择晶体管；第一铁电电容器，电连接于第一板线和所述选择晶体管栅极之间；第二铁电电容器，电连接于第二板线和所述选择晶体管栅极...
    2025-12-06
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410599076.4
    本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器该操作方法包含：通过第一字串选择线信号携载第一搜索位元；通过第一字串选择线信号控制第一开关元件；通过第二及第三开关元件储存第一数据位元；以及比较第一搜索位元及第一数据位元以产生第一位线信号，其中响...
    2025-12-06
  • 存储器的读取控制方法、读操作控制装置以及存储器
    存储器的读取控制方法、读操作控制装置以及存储器_联芸科技(杭州)股份有限公司_202410557689.1
    本公开实施例提供一种存储器的读取控制方法、读操作控制装置以及存储器。该读取控制方法向存储器的各个存储单元上施加第一检测电压；通过硬判决获得与第一检测电压相对应的硬信息；采用第一硬译码算法对硬信息进行译码；重复施加第一检测电压、获得与第一检测...
    2025-12-06
  • 一种用于FLASH存内计算的电阻型读出单元电路
    一种用于FLASH存内计算的电阻型读出单元电路_西安交通大学_202511445499.1
    本发明公开了一种用于FLASH存内计算的电阻型读出单元电路，涉及集成电路技术领域，包括转换模块和量化模块，转换模块包括结构相同的正权重电流转换单元和负权重电流转换单元，其输入端分别与正权重位线和负权重位线连接，均包括运算放大器、驱动晶体管、...
    2025-12-06
  • 一种存算一体计算误差的低功耗测试电路
    一种存算一体计算误差的低功耗测试电路_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511043002.3
    本发明公开一种存算一体计算误差的低功耗测试电路，包括存算阵列、流水线加法树、数字移位加模块。存算阵列中的存算单元以电荷量或电阻值等模拟信号来存储权重。外部电路对坐标位置为(i, j)的存算单元进行编程写入权重值Wi, j，同时将权重值Wi,...
    2025-12-06
  • DDR4测试工艺、内存条及其计算机设备
    DDR4测试工艺、内存条及其计算机设备_深圳市优盛博纳科技有限公司_202510838788.1
    本发明涉及一种DDR4测试工艺、内存条及其计算机设备，属于存储器技术领域，在DDR4内存控制器与待测模组间插入可编程阻抗扰动电路，所述电路在维持正常通信链路的同时注入预设标称值的伪随机阻抗突变；截取所述伪随机阻抗突变触发时刻的读写数据眼图，...
    2025-12-06
  • 奇偶校验码的更新方法、计算机可读存储介质和固态硬盘
    奇偶校验码的更新方法、计算机可读存储介质和固态硬盘_深圳市时创意电子股份有限公司_202510932204.7
    本申请公开了一种奇偶校验码的更新方法、计算机可读存储介质和固态硬盘，奇偶校验码的更新方法包括以下步骤：获取新的写入指令；把新的写入指令对应的写入数据，写入到对应的条带的数据块中，同时将条带的标记位改为第一状态，以标示对应的条带的奇偶校验位为...
    2025-12-06
  • SOC芯片、桥接集成芯片及DRAM
    SOC芯片、桥接集成芯片及DRAM_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511024988.X
    本发明公开一种SOC芯片、桥接集成芯片及DRAM，涉及存储单元修复技术领域。SOC芯片用于与DRAM电连接，SOC芯片包括：第一控制电路；存储修复模块，存储修复模块分别与第一控制电路、DRAM电连接；桥接集成芯片用于分别与SOC芯片、DRA...
    2025-12-06
  • 降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质
    降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质_深圳三地一芯电子股份有限公司_202511063770.5
    本申请提供了一种降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法包括：读取Flash的预设偏移电压，并得到预设偏移电压与之匹配的错误比特位数值；根据第一调整方法对预设偏移电压进行右偏调整，得到错误比特位数变化值超出变化阈值的第一偏...
    2025-12-06
  • 老化测试系统、固态存储设备以及相关方法
    老化测试系统、固态存储设备以及相关方法_上海江波龙数字技术有限公司_202410559538.X
    本申请公开了一种老化测试系统，应用于固态存储设备，固态存储设备包括至少一个待测固态存储片；老化测试系统包括控制器；至少一个散热器，与控制器电连接，每个至少一个散热器用于对对应的待测固态存储片进行散热；以及至少一个温度传感器，与控制器电连接，...
    2025-12-06
  • 自动测试系统
    自动测试系统_深圳市时创意电子股份有限公司_202510928995.6
    本申请涉及芯片领域，具体公开了一种自动测试系统，自动测试系统包括机台，机台上设置有上料装置、送料装置以及测试装置；上料装置用于存放多个测试硬盘，送料装置用于将上料装置上的多个测试硬盘运送至测试装置；测试装置包括第一测试组件和第二测试组件，第...
    2025-12-06
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