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  • 本发明公开了一种紧凑型可调谐窄线宽光纤激光光源,属于光纤激光器领域。其结构包括布里渊泵浦和布里渊半开放环形随机光纤腔。布里渊泵浦采用可调谐激光器,为布里渊半开放环形随机光纤腔提供泵浦光。腔内的掺铒光纤同时作为非线性布里渊增益和线性增益的介质...
  • 本发明提供一种偏振可调谐的极紫外脉冲激光发生装置,包括:光纤激光器,用于产生基频激光;光束方向稳定系统,用于稳定基频激光的输出方向;频率转换模块,用于对基频激光进行三倍频操作获得三倍频的线偏振激光以及第一次剩余激光;双色镜,用于分离三倍频的...
  • 本发明公开了一种有源光纤及制备方法、激光器、激光加工装置及系统,有源光纤包括纤芯和多层包层结构,多层包层结构至少包括第一包层和第二包层,多层包层结构中至少一层包层的截面形状为非圆对称结构;在同一段有源光纤中,至少部分多层包层结构沿纤芯轴向扭...
  • 本申请提供了一种半导体激光模块及其制备方法。半导体激光模块包括:多排芯片及光学整形组件。光学整形组件包括空间合束部件,空间合束部件包括多个透射合束部件。每一个透射合束部件用于将与其对应设置的一排芯片所发出的光束形成透射光束从而降低耦合损耗,...
  • 本发明公开一种少模光纤双级联模式转换器及大功率少模光纤激光器,在少模光纤上级联有纤芯基模与纤芯高阶模式转换器以及纤芯高阶模与包层模转换器;所述纤芯基模与纤芯高阶模式转换器的折射率调制分布均匀分布在纤芯正中央,用于将纤芯基模耦合到纤芯高阶模式...
  • 本发明公开一种可抑制模式不稳定效应的高功率全光纤激光器,包括多模耦合光场模块,用于将单模光束分束为N路,并对分束后的N路单模激光的相位、振幅和偏振参数进行闭环自适应调节后再由N合1耦合器合束为一路时变的多模耦合光场输出;主放大器,时变的多模...
  • 本发明提供了一种泵浦激光发射器、激光线路及激光机,具体涉及激光机技术领域,包括密封壳体;还包括,设置于密封壳体内部的泵浦激光模块;泵浦激光模块由激光发生组件、激光传输组件、光束调节组件以及物镜镜头、成像传输模块、透光孔结构组成;该泵浦激光发...
  • 本发明涉及氧碘化学激光器领域,具体地说是一种氧碘化学激光器的中红外波长转换方法及装置,首先在原有的连续波氧碘化学激光器的增益区上下两侧放置一对脉冲磁场发生器,用于作为磁增益开关使激光器输出具有更高峰值功率的激光脉冲,然后将氧碘化学激光器输出...
  • 本发明公开了一种激光脉冲串产生组件、方法及光学系统,包括分束/合束器、反射组件以及波片,波片位于分束/合束器和反射组件之间;分束/合束器用于将飞秒激光器所发出光束反射至反射组件,光束经反射组件反射后透过分束/合束器出射,在此过程中,飞秒激光...
  • 本发明属于激光器技术领域,尤其涉及一种高重频全光纤被动锁模激光器,本发明通过将复合波分复用器与半导体可饱和吸收镜构成激光谐振腔,泵浦源经复合波分复用器提供泵浦能量,增益光纤完成粒子数反转,最终由半导体可饱和吸收镜实现锁模。本发明整体结构简单...
  • 本申请公开了一种基于声光调制的射频二氧化碳激光器快速开关控制方法,应用于射频二氧化碳激光器,包括:初始化系统监测和参数配置;加载驱动信号生成有效光;包括利用控制模块向声光调制器施加驱动信号,激励超声波在声光调制器中形成相位光栅;令激光谐振腔...
  • 本发明公开了一种用于平衡激光晶体热致双折射的应力补偿方法,包括S1、将晶体固定在应力补偿装置上,并引导激光光束沿光轴方向通过晶体的几何中心;还公开了一种用于平衡激光晶体热致双折射的应力补偿装置,所述应力补偿装置包括夹持台,所述夹持台内具有相...
  • 本发明提供了光加热高功率面发光激光器,包括:发光模块,发光模块包括冷却液管道、热沉以及若干按矩阵排列的基本面发光激光单元,冷却液管道设置在热沉上,热沉与基本面发光激光单元背离发光侧的一侧贴合设置,冷却液管道内的冷却液能够与基本面发光激光单元...
  • 本发明涉及一种用于半导体激光器的微通道液冷散热装置,包括由上至下布置且固定连接的盖板和激光器壳体,其中,激光器壳体朝向盖板的一侧或盖板朝向激光器壳体的一侧设有微通道凹槽,盖板的短侧面和长侧面分别开设有冷却液第一接口和冷却液第二接口,盖板朝向...
  • 本发明涉及驱动电源技术领域,尤其涉及一种半导体激光器的直流驱动电路及其设计方法。电路包括供电电源模块,用于为驱动电路提供稳定的工作电压;控制端模块,用于接收上位机的控制信号并调节输出电流;恒流驱动电路与供电电源模块和控制端模块相连,用于产生...
  • 本申请请求保护的小型化半导体激光器采用折转光路作为饱和吸收光路,在有限空间内增强饱和吸收锁频的稳定性。通过混合集成的方式,在光源内部搭建饱和吸收锁频光路,极大的减小了整个系统的体积,有效解决了半导体激光器实现稳频过程中需要搭建稳频系统光路所...
  • 本发明提供一种多结垂直腔面发射激光器及其制造方法,包括从下至上依次生长的衬底、缓冲层、N型DBR反射层、谐振腔层、P型DBR反射层,其中,所述谐振腔层包括多量子阱层、氧化层和隧穿结层,所述隧穿结层包括从下至上依次层叠的P型限制层、P型隧穿结...
  • 本发明提出了一种半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,在半导体激光器的下波导层与有源层之间设置纳米级预应变调控层以及在有源层内部设置多个原子级应变调控层,能够调控有源层的量子阱层和垒层间的...
  • 本发明涉及一种基于横向电场调控二次谐波响应的光电器件及其调控方法、应用。所述光电器件包括逐层排列的衬底、复合金属电极阵列、3R‑MoS2二维半导体,其中复合金属电极阵列与外部直流电源相连,用于向3R‑MoS2二维半导体施加横向电场。本发明通...
  • 本公开涉及可寻址垂直腔面发射激光器装置。在一些实现方式中,一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)设备可以包括衬底和外延层集,该外延层集被设置在衬底上,限定了多个VCSEL台面结构,其中多个VCSEL台面结构中的每个VCSEL台面结构具有顶表面...
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