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最新专利技术
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511123653.3
    本发明涉及光伏技术领域，旨在解决现有BC电池封装中存在的电池片翘曲、焊点失效、外观划伤及高密度封装难等问题。为此，提供了一种光伏组件，该组件由依次叠置的正面盖板、正面封装胶膜、多个电池片、背面封装胶膜、背面盖板层压而成，相邻电池片彼此搭接，...
    2025-11-23
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511123655.2
    本发明涉及光伏技术领域，旨在解决现有光伏组件封装中存在的翘曲、脱层、透光损失及制程损伤问题。为此，提供了一种光伏组件及其制备方法，光伏组件由依次叠置的正面盖板、正面封装胶层、正面预固层、电池片、背面预固层、背面封装胶层和背面盖板层压而成，背...
    2025-11-23
  • 一种电绝缘轻质光伏组件
    一种电绝缘轻质光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511125389.7
    本发明提供一种电绝缘轻质光伏组件，其属于光伏组件技术领域，所述电绝缘轻质光伏组件包括依次层叠设置的第一耐候性薄膜层、第一聚酰亚胺层、第一玻纤预浸料层、电池片、第二玻纤预浸料层、第二聚酰亚胺层、第二耐候性薄膜层；所述第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚...
    2025-11-23
  • 太阳能板和光伏系统
    太阳能板和光伏系统_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511325997.2
    本发明提供了一种太阳能板和光伏系统，其中，太阳能板包括：框架，框架中设有容置孔。电池层，电池层位于容置孔中。前板，设置在框架的一侧。背板，设置在框架的另一侧。电连接组件，电连接组件位于容置孔内，电连接组件设置在电池层与背板之间，电连接组件靠...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池片及太阳能电池片封装方法
    一种太阳能电池片及太阳能电池片封装方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511428027.5
    本发明属于光伏技术领域，公开了一种太阳能电池片及太阳能电池片封装方法。电池片包括电池片本体和绝缘胶层。电池片本体具有相对的正面和背面，电池片本体上设置有栅线；电池片本体上设置有绝缘胶层，且绝缘胶层覆盖部分栅线。太阳能电池片封装方法用于加工形...
    2025-11-23
  • 背板玻璃结构及其制备方法、光伏组件及其制备方法
    背板玻璃结构及其制备方法、光伏组件及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511196777.4
    本发明揭示了一种背板玻璃结构及其制备方法、光伏组件及其制备方法，包括背板玻璃本体以及多个凸起；所述凸起设置在所述背板玻璃本体朝向电池串的一侧，且位于串间距中，所述凸起的高度大于所述背板玻璃结构应用时电池片的厚度。本发明通过上述结构，能够在无...
    2025-11-23
  • 一种电池串和一种全面屏光伏组件
    一种电池串和一种全面屏光伏组件_天合光能股份有限公司_202511122314.3
    本发明提供了一种电池串和一种全面屏光伏组件。电池串由第一电池短串和第二电池短串拼接形成，第一电池短串和第二电池短串的表面固定有焊带，焊带包括连接电极和非连接电极；以及所述第一电池短串和所述第二电池短串的拼接处设有汇流条，汇流条包括主体部和突...
    2025-11-23
  • 一种背接触式光伏组件
    一种背接触式光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511142902.3
    本申请公开了一种背接触式光伏组件，属于光伏组件技术领域。包括电池片，电池片的第一表面设置有沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布的第一细栅和第二细栅；第一电连接件沿第二方向延伸并设置于电池片的第一表面，第一电连接件电连接于第一细栅，并与第二...
    2025-11-23
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511248623.5
    本申请提供一种光伏组件，该光伏组件包括：电池片，具有相对的第一表面和第二表面；多个第一集电电极位于第一表面，沿第二方向延伸并沿第一方向间隔平行排布；多个第二集电电极，位于第二表面，沿第二方向延伸并沿第一方向间隔平行排布，第一方向与第二方向相...
    2025-11-23
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511255710.3
    本申请提供了一种光伏组件，属于光伏技术领域。该光伏组件包括多个电池片；多条电连接线，沿第一方向延伸并连接相邻的电池片；多个粘接部，位于电池片的至少一个表面上，粘接电连接线和电池片，且粘接部部分地包覆电连接线，粘接部与电池片的表面具有接触区域...
    2025-11-23
  • 一种电池组件和光伏系统
    一种电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511428579.6
    本发明公开了一种电池组件和光伏系统。电池组件包括：多个电池串；多个电池串沿第一方向设置；每一电池串包括多个电池片，多个电池片沿第二方向设置；其中，第一方向与第二方向相互垂直；沿第一方向的相邻两个电池串之间的串间隙大于一串电池串中相邻两个电池...
    2025-11-23
  • 基于CaZrO3/KTaO3界面二维电子气的光调控高频整流器件及制备方法
    基于CaZrO3/KTaO3界面二维电子气的光调控高频整流器件及制备方法_北京航空航天大学_202511103379.3
    本发明提供一种基于CaZrO3/KTaO3界面二维电子气的光调控高频整流器件及制备方法，光调控高频整流器件包括：KTaO3单晶衬底，具备绝缘性；非晶CaZrO3薄膜，设置于KTaO3单晶衬底表面的部分区域，该区域为导电区，非晶CaZrO3薄...
    2025-11-23
  • 一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器及其制备方法
    一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器及其制备方法_南京邮电大学_202511125837.3
    本发明公开一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器及其制备方法，属于红外光电探测器技术领域；一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器包括：包括由下至上依次堆叠的：ITO玻璃沉底、N型缓冲层薄膜、P型TeOx薄膜以及Au电极，所述N型缓冲层薄膜和...
    2025-11-23
  • 雪崩光电二极管
    雪崩光电二极管_朗美通经营有限责任公司_202510509058.7
    本公开涉及雪崩光电二极管。提供了一种特性和可靠性优异的雪崩光电二极管。雪崩光电二极管包括衬底、形成在衬底上方的n型接触层和形成在n型接触层上方的台面结构。台面结构包括倍增层、光吸收层以及p型接触层。在平面图中，倍增层大于光吸收层，并且在平面...
    2025-11-23
  • 单光子雪崩二极管中的光子表面形貌
    单光子雪崩二极管中的光子表面形貌_安华高科技股份有限公司_202510572346.7
    本公开涉及单光子雪崩二极管中的光子表面形貌。一种光电检测器包含半导体层，所述半导体层具有顶部表面、具有第一类型的掺杂的主体，及具有与所述第一类型不同的第二类型的掺杂的第一区域。所述半导体层的所述顶部表面的表面积的第一分率包括表面形貌。所述半...
    2025-11-23
  • 一种基于石墨炔/MoS2范德华异质结构的光电突触晶体管及其制备方法
    一种基于石墨炔/MoS2范德华异质结构的光电突触晶体管及其制备方法_南开大学_202511133817.0
    本发明为一种基于石墨炔/MoS2范德华异质结构的光电突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构自下而上分别为底栅电极/栅介质层、GDY/MoS2异质层和金属源漏电极；所述的GDY/MoS2异质层，其中GDY的厚度为4～5nm，MoS2的厚度为2...
    2025-11-23
  • 用于制造光子或光电子设备的方法
    用于制造光子或光电子设备的方法_意法半导体国际公司_202510629301.9
    本公开涉及用于制造光子或光电子设备的方法。一种制造光子或光学设备的方法，包括以下步骤：a)提供半导体基板，所述半导体基板具有第一区域和第二区域，并被堆叠覆盖，其中堆叠的覆盖第一区域的上部部分包括电介质层，所述电介质层具有形成在其中的被金属焊...
    2025-11-23
  • 集成器件以及形成集成器件的方法
    集成器件以及形成集成器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511035020.7
    一些实施例涉及一种集成器件，包括：衬底，包括第一掺杂区；互连结构，位于衬底上，包括多个布线层和通孔层；第一下部接触层，在衬底和互连结构之间延伸；第一接合层，位于互连结构上方；第一上部接触层，在互连结构和第一接合层之间延伸；电容器，位于互连结...
    2025-11-23
  • 一种碲锌镉像素化探测模块及其制备方法
    一种碲锌镉像素化探测模块及其制备方法_江西铜业集团有限公司_202511066450.5
    本发明属于半导体探测器件领域，具体公开一种碲锌镉像素化探测模块及其制备方法。本发明以InSb晶圆作为生长CdZnTe薄膜的衬底，显著提升CdZnTe薄膜的晶体质量，实现晶圆级CdZnTe单晶薄膜的制备，从而提升探测模块的分辨率，并突破其尺寸...
    2025-11-23
  • 一种短波红外图像传感器像素电路
    一种短波红外图像传感器像素电路_中山大学_202511170004.9
    本发明公开了一种短波红外图像传感器像素电路，其涉及光电探测技术领域，包括：将4T有源像素传感器架构中传输门晶体管所连接的光敏元件替换为光电转换器件；光电转换器件包括：光电二极管和场效应晶体管；光电二极管包括：锗外延层、硅衬底掺杂阱区和锗掺杂...
    2025-11-23
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