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最新专利技术
  • 一种用于高能离子注入机的离子源
    一种用于高能离子注入机的离子源_中国原子能科学研究院_202511037365.6
    本发明涉及一种用于高能离子注入机的离子源，包括进气口、阴极、放电室和引出系统，阴极安装于放电室中，放电室一端与进气口相连，另一端连接引出系统，进气口、阴极、放电室的中心轴以及引出系统的中心轴均处于同一条直线上，进气口用于通入气体，阴极在放电...
    2025-11-28
  • 一种提高离子源电离效率的方法及系统
    一种提高离子源电离效率的方法及系统_中国原子能科学研究院_202511037568.5
    本发明涉及一种提高离子源电离效率的方法及系统，向离子源的进气口同时通入预设比例的辅助气体和被辅助气体进行电离反应，被辅助气体为待电离气体；使电离反应产生的离子束通过预设大小的偏转磁场以分离出目标离子。通过采用辅助气体与被辅助气体的协同作用机...
    2025-11-28
  • 工作台装置、带电粒子束装置以及真空装置
    工作台装置、带电粒子束装置以及真空装置_株式会社日立高新技术_202510289799.9
    本发明提供一种工作台装置、带电粒子束装置以及真空装置，抑制Z马达的温度变动而能够进行高精度的定位且漏磁场小。其构成为：利用可动磁轭(403)将多个磁铁(502)的底面结合而形成磁路，将多个线圈(501)与可动磁轭(403)分开(分离)而固定...
    2025-11-28
  • 工作台装置、具备该工作台装置的带电粒子束装置
    工作台装置、具备该工作台装置的带电粒子束装置_株式会社日立高新技术_202510602320.2
    本发明提供一种工作台装置、具备该工作台装置的带电粒子束装置，即使是在固定侧的工作台配置珀尔帖模块的方式，也能防止工作台的热变形，提高工作台定位的位置精度。工作台装置具备：直线移动的第一工作台；第一翅片，其在第一工作台的直线移动的方向上延伸，...
    2025-11-28
  • 离子注入机大束流均匀性的动态调节方法
    离子注入机大束流均匀性的动态调节方法_无锡诚承电子科技有限公司_202511107649.8
    本发明涉及离子注入技术领域，公开了离子注入机大束流均匀性的动态调节方法。该方法实时采集束流传输路径中的束斑分布数据序列，结合注入工艺参数集合进行均匀性漂移预测，生成束流均匀性预测参数。利用束斑成像装置捕获当前束斑形态图像，将其与预测参数并行...
    2025-11-28
  • 基板处理设备
    基板处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202511014108.0
    一种能够最小化下部空间中的填充气体对基板处理的影响的基板处理设备包括：基板支撑单元；围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排放单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间中的第一气体通过第一通道传输...
    2025-11-28
  • 一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法
    一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法_北京科技大学_202511139481.9
    本发明公开一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法，涉及微纳加工设备与二维材料工艺技术交叉技术领域，其中设备包括密封腔室、衬底固定模块、等离子体生成模块、低能离子束控制模块、实时原位监测模块、气体供应与尾气处理系统以及控制系统；本发...
    2025-11-28
  • 一种低复合率气体解离腔体结构
    一种低复合率气体解离腔体结构_江苏神州半导体科技有限公司_202511516271.7
    本发明属于远程等离子体源技术领域，提供了一种低复合率气体解离腔体结构，包括进气口、进气端长腔体、短腔体、出气端长腔体、出气口、点火线、真空泵和出气口气体压力仪，进气端长腔体的上端和进气口连接，进气端长腔体接地；短腔体的上端和进气端长腔体的下...
    2025-11-28
  • 一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法
    一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法_安徽皖仪科技股份有限公司_202510902061.5
    本发明公开了一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法，其步骤为向四极杆质谱仪内通入校准标样；四极杆质谱仪的控制系统采集校准标样的离子质谱峰图，并依据质谱峰图获取、记录离子质荷比、峰高、半高峰宽的实际参数；优化校准标样的离子透镜电压；输出调谐校准报...
    2025-11-28
  • 一种空气动力学透镜自动校准系统及其校准方法
    一种空气动力学透镜自动校准系统及其校准方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511177290.1
    本发明公开了一种空气动力学透镜自动校准系统，本发明通过探棒扫描与信号拟合，获取束斑二维/三维空间分布，实现对粒子束状态的直观量化监测，便于判断对准质量或束形异常；系统可自主识别束心偏移与角度误差，驱动透镜平台进行亚毫米级微调，实现无需人工干...
    2025-11-28
  • 可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器
    可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511155010.7
    本发明提供了可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器，该分析器由多个质量分析单元组成，呈中心对称布置并组合形成柱状结构，每个质量分析单元依次包括引入区、加速区、无场飞行区和反射区，柱状结构轴心位置设有微通道板(MCP)检测器。引入区内的...
    2025-11-28
  • 金属异质材料、芯片及在药物质谱解析中的应用
    金属异质材料、芯片及在药物质谱解析中的应用_上海交通大学四川研究院_202511060194.9
    本发明涉及质谱检测技术领域，具体涉及金属异质材料、芯片及在在药物质谱解析中的应用。该金属异质材料通过晶格匹配设计实现TiO2与金的紧密结合，构建等离子体共振增强的异质界面。该芯片包括形成于所述基底上的二氧化钛纳米柱阵列，沉积在所述半导体层表...
    2025-11-28
  • 一种碳化硅沟槽外延制备方法
    一种碳化硅沟槽外延制备方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202510882763.1
    本申请公开一种碳化硅沟槽外延制备方法，包括在衬底的表面制备外延层，在所述外延层上制备预设图案的沟槽；将形成有沟槽的碳化硅衬底放入垂直热壁型CVD外延设备，所述CVD外延设备的压强介于300‑400mbar，在形成有沟槽的碳化硅衬底的表面在第...
    2025-11-28
  • 一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法
    一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法_海纳半导体(金华)有限公司_202510980232.6
    本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体为一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法，具体操作步骤如下：S1：硅片预清洗；S2：低压气相沉积生长第一层SiO2膜；S3：第一膜层清洗；S4：低压气相沉积生长第二层S iO2膜；S5：第...
    2025-11-28
  • 掩膜结构和刻蚀方法
    掩膜结构和刻蚀方法_杭州富芯半导体有限公司_202511187111.2
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜结构和刻蚀方法。刻蚀方法可以包括：提供蚀刻停止层、掩膜结构和图案化的光刻胶层，掩膜结构包括依次层叠于蚀刻停止层上的第一掩膜层和第二掩膜层，光刻胶层遮蔽部分第二掩膜层；对掩膜结构进行第一刻蚀处理，至去...
    2025-11-28
  • 一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法
    一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法_西南技术物理研究所_202510883645.2
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法，在介质层表面依次沉积扩散源薄膜和保护膜，经光刻胶图案化，二次沉积保护膜以及剥离工艺后，通过干法刻蚀暴露两侧扩散源薄膜。高温扩散时，中间区域的扩散源薄膜向下...
    2025-11-28
  • 氧化层的平坦化方法
    氧化层的平坦化方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066193.5
    本发明公开了一种氧化层的平坦化方法，包括步骤：在底层结构上依次形成衬垫氧化层和第一多晶硅层。依次对第一多晶硅层、衬垫氧化层和底层结构进行图形化刻蚀形成沟槽。在沟槽中填充第一氧化层，第一氧化层还延伸到沟槽外。进行CMP以对第一氧化层进行平坦化...
    2025-11-28
  • 使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法
    使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法_星科金朋私人有限公司_202510528981.5
    本发明涉及使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法。半导体器件具有中介层。在中介层之上部署形状金属合金(SMA)结构。SMA结构由镍‑钛形成。在中介层之上部署焊料凸块和电组件。在衬底之上部署中介层，其中SMA结构、焊料凸块和电组件在中介层...
    2025-11-28
  • 一种复合基板的制备方法及其应用
    一种复合基板的制备方法及其应用_南充三环电子有限公司_202510939364.4
    本发明属于陶瓷和金属复合领域，具体公开了一种复合基板的制备方法及其应用，所述制备方法包括以下步骤：对铜基材进行预氧化，使铜基材表面形成氧化铜层；采用磁控溅射的方法在陶瓷基板的至少一个表面上形成氧化铝层；使所述氧化铜层和所述氧化铝层贴合后进行...
    2025-11-28
  • 芯片封装方法及器件总成
    芯片封装方法及器件总成_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511067240.8
    本申请实施例提供一种芯片封装方法及器件总成，其中，方法包括：对第一金属基材卷进行图案化处理，定义出多个器件的引脚基底以及连接多个器件引脚基底的连接筋；对第一金属基材卷进行注塑处理，以形成器件框架；在引脚基底上电镀第一电导金属，分别形成内引脚...
    2025-11-28
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